XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): +10V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5000+ | 61.76 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XPH3R114MC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage
Description: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA, Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): +10V, -20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V.
Інші пропозиції XPH3R114MC,L1XHQ за ціною від 57.99 грн до 154.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
XPH3R114MC,L1XHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: MOSFET P-CH 40V 100A 8SOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +10V, -20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9500 pF @ 10 V |
на замовлення 8792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
XPH3R114MC,L1XHQ | Виробник : Toshiba |
MOSFET 170W 1MHz Automotive; AEC-Q101 |
на замовлення 6877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|