Продукція > TOSHIBA > XPN7R104NC,L1XHQ(O
XPN7R104NC,L1XHQ(O

XPN7R104NC,L1XHQ(O TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - XPN7R104NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0071 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TSON Advance
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: U-MOSVIII Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+100.36 грн
10+ 77.89 грн
100+ 58.64 грн
500+ 47.57 грн
1000+ 37.68 грн
5000+ 36.91 грн
Мінімальне замовлення: 8
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис XPN7R104NC,L1XHQ(O TOSHIBA

Description: TOSHIBA - XPN7R104NC,L1XHQ(O - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 20 A, 0.0071 ohm, TSON Advance, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TSON Advance, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: U-MOSVIII Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції XPN7R104NC,L1XHQ(O

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
XPN7R104NC,L1XHQ(O Виробник : Toshiba POWER MOSFETs Silicon N-channel MOS - AUTOMOTIVE
товар відсутній