на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 469.63 грн |
| 10+ | 389.59 грн |
| 25+ | 319.51 грн |
| 100+ | 273.67 грн |
| 250+ | 258.4 грн |
| 500+ | 252.42 грн |
| 1500+ | 214.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис XPQR3004PB,LXHQ Toshiba
Description: 40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerBSFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.3mOhm @ 200A, 10V, Power Dissipation (Max): 750W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: L-TOGL™, Grade: Automotive, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26910 pF @ 10 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції XPQR3004PB,LXHQ за ціною від 220.4 грн до 426.1 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| XPQR3004PB,LXHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: 40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHMPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.3mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 750W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: L-TOGL™ Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26910 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| XPQR3004PB,LXHQ | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: 40V U-MOS IX-H L-TOGL 0.3MOHM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerBSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.3mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 750W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: L-TOGL™ Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 295 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26910 pF @ 10 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|