YJL2300A YANGJIE TECHNOLOGY
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
120+ | 3.34 грн |
180+ | 2 грн |
500+ | 1.77 грн |
550+ | 1.45 грн |
1520+ | 1.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJL2300A YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TRENCH POWER LV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 20V, Drain current: 3.6A, Pulsed drain current: 18A, Power dissipation: 1W, Case: SOT23, Gate-source voltage: ±10V, On-state resistance: 49mΩ, Mounting: SMD, Gate charge: 4.2nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 10 шт.
Інші пропозиції YJL2300A за ціною від 1.64 грн до 4.01 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YJL2300A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER LV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 3.6A Pulsed drain current: 18A Power dissipation: 1W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 49mΩ Mounting: SMD Gate charge: 4.2nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|