YJM04N10A Yangjie Technology
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 6.78 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YJM04N10A Yangjie Technology
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: TRENCH POWER MV, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 100V, Drain current: 3.2A, Pulsed drain current: 16A, Power dissipation: 2.5W, Case: SOT223, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 0.12Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 16nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 5 шт.
Інші пропозиції YJM04N10A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
YJM04N10A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 5 шт |
товар відсутній |
||
YJM04N10A | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 3.2A; 2.5W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TRENCH POWER MV Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 2.5W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.12Ω Mounting: SMD Gate charge: 16nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |