YQ2LAM10BTR Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 36.11 грн |
10+ | 29.69 грн |
25+ | 27.68 грн |
100+ | 20.79 грн |
250+ | 19.31 грн |
500+ | 16.34 грн |
1000+ | 12.42 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис YQ2LAM10BTR Rohm Semiconductor
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOD-128, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Technology: Schottky, Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: PMDTM, Operating Temperature - Junction: 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 2 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V.
Інші пропозиції YQ2LAM10BTR за ціною від 10.41 грн до 38.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
YQ2LAM10BTR | Виробник : ROHM Semiconductor | Schottky Diodes & Rectifiers MOS STRUCTURE, 100V, 2A, PMDTM |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
YQ2LAM10BTR | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Technology: Schottky Capacitance @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: PMDTM Operating Temperature - Junction: 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 2 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 15 µA @ 100 V |
товар відсутній |