на замовлення 2739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 26.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZTX951 Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZTX951 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 4A, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.2W, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120MHz, Betriebstemperatur, max.: 200°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції ZTX951 за ціною від 25.18 грн до 83.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZTX951 | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT PNP 60V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 2730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX951 | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 4A E-LINE Packaging: Bulk Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 400mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.2 W |
на замовлення 2788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZTX951 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
на замовлення 2739 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX951 | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT PNP Medium Power |
на замовлення 10882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZTX951 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZTX951 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 4 A, 1.2 W, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 4A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZTX951 | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT PNP 60V 4A 1200mW 3-Pin E-Line |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| ZTX951 | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |