ZVN2106ASTZ Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: E-Line-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA
Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 18 V
на замовлення 25900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 17.95 грн |
| 6000+ | 16.37 грн |
| 10000+ | 15.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN2106ASTZ Diodes Incorporated
Description: DIODES INC. - ZVN2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 450 mA, 2 ohm, E-Line, Durchsteckmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 450mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 700mW, Bauform - Transistor: E-Line, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: PW Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ZVN2106ASTZ за ціною від 15.52 грн до 73.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN2106ASTZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin E-Line T/R |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVN2106ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 450MA E-LINE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: E-Line-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 1mA Supplier Device Package: E-Line (TO-92 compatible) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 18 V |
на замовлення 27104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN2106ASTZ | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET N-Chnl 60V |
на замовлення 1658 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN2106ASTZ | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN2106ASTZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 450 mA, 2 ohm, E-Line, Durchsteckmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: E-Line Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: PW Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1818 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN2106ASTZ | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.45A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZVN2106ASTZ | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.45A; 0.7W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.45A Power dissipation: 0.7W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
ZVN2106ASTZ | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin E-Line T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ZVN2106ASTZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin E-Line T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
ZVN2106ASTZ | Виробник : Diodes Zetex |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.45A 3-Pin E-Line T/R |
товар відсутній |