на замовлення 11203 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.05 грн |
| 10+ | 92.67 грн |
| 100+ | 62.68 грн |
| 500+ | 52.84 грн |
| 1000+ | 43.99 грн |
| 2000+ | 41.41 грн |
| 4000+ | 38.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZVN4306A Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA), Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 850mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-92, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції ZVN4306A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
ZVN4306A | Виробник : DIODES INCORPORATED |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; 0.85W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.1A Power dissipation: 0.85W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|
 |
ZVN4306A | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 1.1A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 850mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA Supplier Device Package: TO-92 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
|
|
ZVN4306A | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; 0.85W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 1.1A Power dissipation: 0.85W Case: TO92 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: THT Kind of package: bulk Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |