ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated
Виробник: Diodes IncorporatedDescription: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 870mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
на замовлення 215000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 28.81 грн |
| 5000+ | 26.43 грн |
| 12500+ | 25.21 грн |
| 25000+ | 23.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMHC6A07N8TC Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 870mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SO.
Інші пропозиції ZXMHC6A07N8TC за ціною від 25.31 грн до 69.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
ZXMHC6A07N8TC | Виробник : Diodes Incorporated |
MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A |
на замовлення 85460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
ZXMHC6A07N8TC | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N and 2 P-Channel (Full Bridge) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 870mW Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.39A, 1.28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166pF @ 40V, 141pF @ 50V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO |
на замовлення 217628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| ZXMHC6A07N8TC |
|
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
ZXMHC6A07N8TC | Виробник : Diodes Inc |
Trans MOSFET N/P-CH 60V 1.39A/1.28A 8-Pin SO T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| ZXMHC6A07N8TC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| ZXMHC6A07N8TC | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: SMD Kind of package: tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |