на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXMN10A07FTA Diodes Inc
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 700mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 625mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 625mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ZXMN10A07FTA за ціною від 7.46 грн до 59.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V |
на замовлення 628500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 913 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET 100V N-Chnl UMOS |
на замовлення 29067 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 700mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 625mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 138 pF @ 50 V |
на замовлення 629211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN10A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 700 mA, 0.54 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 700mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 625mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1277 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1277 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.8A; 0.625W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 0.8A Power dissipation: 0.625W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXMN10A07FTA |
на замовлення 35800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ZXMN10A07FTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans MOSFET N-CH 100V 0.7A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |