Продукція > DIODES INCORPORATED > ZXMN6A08E6QTA
ZXMN6A08E6QTA

ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated

ZXMN6A08E6Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 207000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+23.06 грн
6000+ 21.04 грн
9000+ 19.48 грн
30000+ 18.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXMN6A08E6QTA Diodes Incorporated

Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-26, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції ZXMN6A08E6QTA за ціною від 21.32 грн до 72.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Виробник : Diodes Zetex 487zxmn6a08e6q.pdf 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101
на замовлення 201000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+23.43 грн
Мінімальне замовлення: 3000
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.08 грн
500+ 29.55 грн
1000+ 26.95 грн
Мінімальне замовлення: 100
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A08E6Q.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 209765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.36 грн
10+ 50.65 грн
100+ 35.07 грн
500+ 27.5 грн
1000+ 23.4 грн
Мінімальне замовлення: 5
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Виробник : Diodes Incorporated ZXMN6A08E6Q.pdf MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
на замовлення 4196 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.86 грн
10+ 57.14 грн
100+ 33.88 грн
500+ 28.3 грн
1000+ 24.11 грн
3000+ 21.79 грн
6000+ 21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0000495689-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.06 грн
13+ 59.61 грн
100+ 38.08 грн
500+ 29.55 грн
1000+ 26.95 грн
Мінімальне замовлення: 11
ZXMN6A08E6QTA ZXMN6A08E6QTA Виробник : Diodes Inc 487zxmn6a08e6q.pdf 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
товар відсутній
ZXMN6A08E6QTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN6A08E6Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ZXMN6A08E6QTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXMN6A08E6Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній