ZXTN25012EZTA Diodes Zetex
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 12.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис ZXTN25012EZTA Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції ZXTN25012EZTA за ціною від 9.65 грн до 50.37 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
ZXTN25012EZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 12V 6.5A SOT89-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.4 W |
на замовлення 62000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN 12V 6.5A SOT89-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V Frequency - Transition: 260MHz Supplier Device Package: SOT-89-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 2.4 W |
на замовлення 63668 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Виробник : Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HIGH GAIN |
на замовлення 1940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 6.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 19.2W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PW Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 260MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Виробник : Diodes Inc | Trans GP BJT NPN 12V 6.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 6.5A; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 6.5A Case: SOT89 Current gain: 30...1500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Виробник : Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 12V 6.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
ZXTN25012EZTA | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 6.5A; SOT89 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 6.5A Case: SOT89 Current gain: 30...1500 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 260MHz |
товар відсутній |