ZXTN25012EZTA

ZXTN25012EZTA Diodes Zetex


zxtn25012ez.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 12V 6.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 9000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+12.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ZXTN25012EZTA Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 6.5A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 19.2W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 260MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

Інші пропозиції ZXTN25012EZTA за ціною від 9.65 грн до 50.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ZXTN25012EZTA ZXTN25012EZTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN25012EZ.pdf Description: TRANS NPN 12V 6.5A SOT89-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 2.4 W
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+14.24 грн
2000+ 12.26 грн
5000+ 11.64 грн
10000+ 10.14 грн
25000+ 9.91 грн
50000+ 9.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
ZXTN25012EZTA ZXTN25012EZTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011538078-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
ZXTN25012EZTA ZXTN25012EZTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN25012EZ.pdf Description: TRANS NPN 12V 6.5A SOT89-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 130mA, 6.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 260MHz
Supplier Device Package: SOT-89-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 6.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 2.4 W
на замовлення 63668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.08 грн
10+ 31.07 грн
100+ 21.61 грн
500+ 15.83 грн
Мінімальне замовлення: 8
ZXTN25012EZTA ZXTN25012EZTA Виробник : Diodes Incorporated ZXTN25012EZ.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 12V HIGH GAIN
на замовлення 1940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.77 грн
10+ 34.91 грн
100+ 21.12 грн
500+ 16.47 грн
1000+ 13.35 грн
2000+ 11.49 грн
Мінімальне замовлення: 8
ZXTN25012EZTA ZXTN25012EZTA Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0011538078-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTN25012EZTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 12 V, 6.5 A, 19.2 W, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 185hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 6.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19.2W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 260MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+50.37 грн
19+ 41.36 грн
100+ 27.87 грн
Мінімальне замовлення: 15
ZXTN25012EZTA ZXTN25012EZTA Виробник : Diodes Inc zxtn25012ez.pdf Trans GP BJT NPN 12V 6.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
ZXTN25012EZTA ZXTN25012EZTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXTN25012EZ.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 6.5A; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 6.5A
Case: SOT89
Current gain: 30...1500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
ZXTN25012EZTA ZXTN25012EZTA Виробник : Diodes Zetex zxtn25012ez.pdf Trans GP BJT NPN 12V 6.5A 4460mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
ZXTN25012EZTA ZXTN25012EZTA Виробник : DIODES INCORPORATED ZXTN25012EZ.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 12V; 6.5A; SOT89
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 12V
Collector current: 6.5A
Case: SOT89
Current gain: 30...1500
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 260MHz
товар відсутній