Результат пошуку "12N50" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOT12N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.4A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT12N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.4A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 601 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT12N50 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT12N50 TAOT12n50 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C12N50Z4 | Anaren | High Frequency/RF Resistors |
на замовлення 701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDB12N50TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-CH MOSFET |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF12N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF12N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 301 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA12N50P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA12N50P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 277 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA12N50P | IXYS | MOSFET 500V 12A |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP12N50P | IXYS | MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500 |
на замовлення 497 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTA12N50P | IXYS | MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50PM | IXYS/Littelfuse | N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA12N50E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 5005 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50C-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 500V |
на замовлення 2171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 500V |
на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 114W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 114W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 489 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 3936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD12N50DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 1367 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STD12N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF12N50DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF12N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP12N50M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZXT12N50DXTA | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOTF12N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
на замовлення 995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
CHV1812N500104KXT | CAL | SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N50 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N50 | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N50 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQB12N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FQPF12N50C |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF12N50FTH |
на замовлення 11497 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF12N50TH |
на замовлення 3723 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDP12N50TH |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTB12N50 |
на замовлення 8646 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NTB12N50T4 |
на замовлення 5589 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
R1112N501B | RICOH | 06+ |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPA12N50C3 | INF | 08+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPA12N50C3 | INFINEON | 09+ SOT-23 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPA12N50C3XK |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPB12N50C3 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB12N50C3 | INFINEON | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB12N50C3 | Infineon technologies |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPB12N50C3 | INFINEON |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPI12N50C3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPP12N50C3 | INF | 07+; |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPP12N50C3 | Infineon technologies |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
SPW12N50C3 | INF | 07+; |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
T12N50DX |
на замовлення 6480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ZXT12N50DX | ZETEX | 07+ MSOP8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
ZXT12N50DX | ZETEX | MSOP8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
ZXT12N50DXTA |
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ZXT12N50DXTC |
на замовлення 6100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF12N50FTH Код товару: 158661 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
SPP12N50C3 Код товару: 47987 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
AOT12N50 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.33 грн |
14+ | 62.54 грн |
38+ | 58.95 грн |
500+ | 56.79 грн |
AOT12N50 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 601 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 110.55 грн |
5+ | 91.38 грн |
14+ | 75.05 грн |
38+ | 70.74 грн |
500+ | 68.15 грн |
AOT12N50 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT12N50 TAOT12n50
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT12N50 TAOT12n50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 33.14 грн |
C12N50Z4 |
Виробник: Anaren
High Frequency/RF Resistors
High Frequency/RF Resistors
на замовлення 701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 266.51 грн |
10+ | 234.92 грн |
25+ | 183.57 грн |
50+ | 177.36 грн |
100+ | 152.52 грн |
250+ | 132.51 грн |
500+ | 119.39 грн |
FDB12N50TM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-CH MOSFET
MOSFET 500V N-CH MOSFET
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 166.67 грн |
10+ | 136.51 грн |
100+ | 94.55 грн |
250+ | 86.96 грн |
500+ | 82.82 грн |
800+ | 68.05 грн |
2400+ | 64.18 грн |
FDPF12N50T |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.61 грн |
4+ | 109.99 грн |
10+ | 97.05 грн |
11+ | 84.11 грн |
28+ | 79.08 грн |
FDPF12N50T |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 157.93 грн |
3+ | 137.06 грн |
10+ | 116.46 грн |
11+ | 100.93 грн |
28+ | 94.89 грн |
IXFA12N50P |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 253.16 грн |
3+ | 211.35 грн |
5+ | 168.22 грн |
14+ | 158.87 грн |
IXFA12N50P |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 303.79 грн |
3+ | 263.38 грн |
5+ | 201.86 грн |
14+ | 190.65 грн |
IXFA12N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 12A
MOSFET 500V 12A
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 309.98 грн |
10+ | 257.14 грн |
50+ | 187.72 грн |
100+ | 164.25 грн |
250+ | 160.11 грн |
500+ | 147.69 грн |
1000+ | 139.41 грн |
IXFP12N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 298.71 грн |
10+ | 245.24 грн |
50+ | 176.67 грн |
100+ | 151.83 грн |
250+ | 149.07 грн |
500+ | 129.74 грн |
1000+ | 125.6 грн |
IXTA12N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 293.08 грн |
10+ | 265.87 грн |
50+ | 202.9 грн |
100+ | 170.46 грн |
500+ | 154.59 грн |
1000+ | 131.12 грн |
IXTP12N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 387.09 грн |
IXTP12N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 278.71 грн |
3+ | 216.79 грн |
7+ | 166.49 грн |
17+ | 157 грн |
250+ | 155.28 грн |
IXTP12N50PM |
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 143.35 грн |
10+ | 133.8 грн |
100+ | 124.24 грн |
SIHA12N50E-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.07 грн |
10+ | 111.11 грн |
100+ | 77.29 грн |
250+ | 73.84 грн |
500+ | 64.8 грн |
1000+ | 52.59 грн |
2500+ | 51.35 грн |
SIHB12N50E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 175.52 грн |
10+ | 143.65 грн |
100+ | 96.62 грн |
250+ | 91.79 грн |
500+ | 87.65 грн |
1000+ | 69.01 грн |
2000+ | 67.43 грн |
SIHD12N50E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.63 грн |
10+ | 88.1 грн |
100+ | 64.8 грн |
250+ | 62.8 грн |
500+ | 57.49 грн |
1000+ | 55.21 грн |
SIHP12N50C-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Channel 500V
MOSFET N-Channel 500V
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 337.36 грн |
10+ | 279.36 грн |
25+ | 229.12 грн |
100+ | 196.69 грн |
250+ | 185.65 грн |
500+ | 174.6 грн |
1000+ | 143.55 грн |
SIHP12N50E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 133.66 грн |
10+ | 102.38 грн |
100+ | 73.15 грн |
250+ | 69.7 грн |
500+ | 63.49 грн |
1000+ | 52.59 грн |
2500+ | 51.69 грн |
SIHP12N50E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 116.9 грн |
5+ | 97.77 грн |
12+ | 75.48 грн |
31+ | 71.17 грн |
SIHP12N50E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 140.28 грн |
5+ | 121.83 грн |
12+ | 90.58 грн |
31+ | 85.4 грн |
SIHP12N50E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 102.25 грн |
10+ | 88.89 грн |
100+ | 65.49 грн |
250+ | 62.73 грн |
500+ | 58.66 грн |
1000+ | 51.76 грн |
2500+ | 50.38 грн |
STD12N50DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.85 грн |
10+ | 109.52 грн |
100+ | 75.91 грн |
500+ | 63.7 грн |
1000+ | 54.04 грн |
2500+ | 51.28 грн |
5000+ | 49.62 грн |
STD12N50M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.53 грн |
10+ | 92.06 грн |
100+ | 62.04 грн |
500+ | 52.66 грн |
1000+ | 42.86 грн |
2500+ | 40.3 грн |
5000+ | 38.37 грн |
STF12N50DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 155.39 грн |
10+ | 123.02 грн |
100+ | 87.65 грн |
250+ | 86.27 грн |
500+ | 74.53 грн |
1000+ | 62.94 грн |
2000+ | 59.83 грн |
STF12N50M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 119.16 грн |
10+ | 93.65 грн |
100+ | 67.43 грн |
250+ | 66.74 грн |
500+ | 55.49 грн |
1000+ | 47.83 грн |
2000+ | 45.27 грн |
STP12N50M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 120.77 грн |
10+ | 96.03 грн |
100+ | 68.67 грн |
250+ | 66.74 грн |
500+ | 57.28 грн |
1000+ | 49.07 грн |
2000+ | 46.51 грн |
ZXT12N50DXTA |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.72 грн |
10+ | 90.48 грн |
100+ | 61.21 грн |
500+ | 51.9 грн |
1000+ | 42.24 грн |
2000+ | 39.82 грн |
5000+ | 37.89 грн |
AOTF12N50 |
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB12N50C3 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB12N50C3 |
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]