Результат пошуку "BFR193" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
BFR193WH6327 BFR193WH6327
Код товару: 122764 		Infineon bfr193wh6327.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-323
fT: 8 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,08 A
h21: 100
у наявності: 161 шт
1+6.5 грн
10+ 5.2 грн
100+ 4.3 грн
BFR 193 E6327 BFR 193 E6327 Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFR 193 E6327 BFR 193 E6327 Infineon Technologies Infineon-BFR193-DS-v01_01-en-1225481.pdf RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.23 грн
15+ 22.38 грн
100+ 12.08 грн
1000+ 6.35 грн
3000+ 5.73 грн
9000+ 4.97 грн
24000+ 4.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFR 193F H6327 BFR 193F H6327 Infineon Technologies 624bfr193f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
639+18.75 грн
662+ 18.08 грн
1000+ 17.49 грн
2500+ 16.37 грн
5000+ 14.74 грн
Мінімальне замовлення: 639
BFR 193F H6327 BFR 193F H6327 Infineon Technologies Infineon-BFR193F-DS-v01_01-en-1225440.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.19 грн
12+ 26.51 грн
100+ 14.29 грн
1000+ 7.8 грн
3000+ 6.56 грн
9000+ 5.8 грн
24000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR 193L3 E6327 BFR 193L3 E6327 Infineon Technologies Infineon_High_Linearity_LNA_BFR193L3-73888.pdf RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.69 грн
11+ 31.27 грн
100+ 16.22 грн
1000+ 10.49 грн
2500+ 8.7 грн
10000+ 8.14 грн
15000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFR 193W H6327 BFR 193W H6327 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
674+17.76 грн
700+ 17.11 грн
1000+ 16.55 грн
2500+ 15.49 грн
5000+ 13.96 грн
10000+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 674
BFR 193W H6327 BFR 193W H6327 Infineon Technologies Infineon-BFR193W-DS-v01_01-en-1225482.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 18007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.93 грн
13+ 24.44 грн
100+ 13.25 грн
1000+ 7.32 грн
3000+ 6.28 грн
9000+ 5.38 грн
24000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR193E6327 BFR193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
33+12.08 грн
40+ 8.99 грн
100+ 7.91 грн
114+ 7.37 грн
312+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 33
BFR193E6327 BFR193E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.49 грн
25+ 11.2 грн
100+ 9.49 грн
114+ 8.84 грн
312+ 8.36 грн
3000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.16 грн
6000+ 5.61 грн
15000+ 5.11 грн
30000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR193_DS_v01_01_en-1731108.pdf RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
на замовлення 66280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.95 грн
20+ 16.51 грн
100+ 8.28 грн
1000+ 6.35 грн
3000+ 5.31 грн
9000+ 4.55 грн
24000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 INFINEON INFNS22468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.68 грн
500+ 6.61 грн
1500+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1830+6.54 грн
1946+ 6.15 грн
1987+ 6.02 грн
2044+ 5.65 грн
15000+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 1830
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.83 грн
38+ 15.79 грн
100+ 8.84 грн
250+ 8.09 грн
500+ 7.68 грн
1000+ 5.87 грн
3000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 22
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 INFINEON INFNS22468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.74 грн
55+ 14.24 грн
100+ 9.68 грн
500+ 6.61 грн
1500+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 42
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
704+17 грн
1213+ 9.87 грн
1227+ 9.76 грн
1240+ 9.31 грн
1624+ 6.58 грн
3000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 704
BFR193E6327HTSA1 BFR193E6327HTSA1 Infineon Technologies bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 30314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.62 грн
15+ 20.13 грн
25+ 18.14 грн
100+ 11.76 грн
250+ 9.9 грн
500+ 8.05 грн
1000+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFR193FH6327 BFR193FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193FH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
38+10.22 грн
45+ 8.05 грн
100+ 6.4 грн
142+ 5.89 грн
250+ 5.61 грн
1000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 38
BFR193FH6327 BFR193FH6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193FH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
23+12.26 грн
27+ 10.03 грн
100+ 7.68 грн
142+ 7.07 грн
250+ 6.73 грн
1000+ 6.47 грн
Мінімальне замовлення: 23
BFR193FH6327XTSA1 Infineon bfr193f.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b2dfaf05c6&fileId=db3a30431441fb5d0114acfcde76152c Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V;
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
10+28.49 грн
11+ 25.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR193FH6327XTSA1 BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies 624bfr193f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.56 грн
29+ 20.88 грн
100+ 10.43 грн
250+ 9.56 грн
500+ 9.09 грн
1000+ 5.77 грн
3000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
BFR193FH6327XTSA1 BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR193F_DS_v01_01_en-1731082.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 12172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.91 грн
15+ 21.43 грн
100+ 9.39 грн
1000+ 6.21 грн
3000+ 5.87 грн
9000+ 5.31 грн
24000+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFR193FH6327XTSA1 BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies bfr193f.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b2dfaf05c6&fileId=db3a30431441fb5d0114acfcde76152c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
на замовлення 35965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.85 грн
13+ 23.8 грн
25+ 21.42 грн
100+ 13.89 грн
250+ 11.7 грн
500+ 9.5 грн
1000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR193FH6327XTSA1 BFR193FH6327XTSA1 INFINEON 2354694.pdf Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.79 грн
36+ 22.06 грн
100+ 10.92 грн
500+ 8.12 грн
1000+ 5.64 грн
5000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFR193FH6327XTSA1 BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies bfr193f.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b2dfaf05c6&fileId=db3a30431441fb5d0114acfcde76152c Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.28 грн
6000+ 6.62 грн
15000+ 6.04 грн
30000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR193FH6327XTSA1 BFR193FH6327XTSA1 INFINEON 2354694.pdf Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.92 грн
500+ 8.12 грн
1000+ 5.64 грн
5000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFR193FH6327XTSA1 BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies 624bfr193f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+22.49 грн
1028+ 11.65 грн
1039+ 11.53 грн
1049+ 11.01 грн
1652+ 6.47 грн
3000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 533
BFR193FH6327XTSA1 BFR193FH6327XTSA1 Infineon Technologies 624bfr193f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a3043.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+30.31 грн
839+ 14.26 грн
883+ 13.56 грн
960+ 12.02 грн
1539+ 6.94 грн
2000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 395
BFR193L3E6327 BFR193L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193L3E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+35.61 грн
18+ 21.14 грн
25+ 18.4 грн
67+ 12.44 грн
185+ 11.79 грн
500+ 11.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFR193L3E6327 BFR193L3E6327 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193L3E6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 756 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+42.74 грн
11+ 26.34 грн
25+ 22.08 грн
67+ 14.92 грн
185+ 14.15 грн
500+ 13.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+8.66 грн
30000+ 7.93 грн
75000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 14285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1122+10.67 грн
1241+ 9.64 грн
1285+ 9.32 грн
2000+ 8.92 грн
Мінімальне замовлення: 1122
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 INFINEON 2367002.pdf Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+44.59 грн
25+ 31.51 грн
100+ 15.95 грн
500+ 12.08 грн
1000+ 8.56 грн
5000+ 8.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies bfr193l3.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b2dfaf05c6&fileId=db3a30431400ef680114271fc1ec06db Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.09 грн
11+ 27.32 грн
25+ 24.99 грн
100+ 17.45 грн
250+ 15.82 грн
500+ 13.09 грн
1000+ 9.66 грн
2500+ 8.85 грн
5000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies bfr193l3.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b2dfaf05c6&fileId=db3a30431400ef680114271fc1ec06db Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
467+25.67 грн
592+ 20.23 грн
660+ 18.16 грн
807+ 14.32 грн
1339+ 7.98 грн
Мінімальне замовлення: 467
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 INFINEON 2367002.pdf Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+15.95 грн
500+ 12.08 грн
1000+ 8.56 грн
5000+ 8.36 грн
Мінімальне замовлення: 150
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 10958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+37.1 грн
17+ 36.96 грн
25+ 36.82 грн
100+ 35.38 грн
250+ 32.63 грн
500+ 31.21 грн
1000+ 31.09 грн
3000+ 30.97 грн
6000+ 30.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+35.63 грн
21+ 28.49 грн
25+ 25.76 грн
50+ 22.99 грн
100+ 16.77 грн
250+ 14.45 грн
500+ 11.82 грн
1000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BFR193L3E6327XTMA1 BFR193L3E6327XTMA1 Infineon Technologies 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 10958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
302+39.65 грн
303+ 39.51 грн
305+ 39.36 грн
500+ 37.81 грн
1000+ 34.87 грн
3000+ 33.35 грн
6000+ 33.22 грн
Мінімальне замовлення: 302
BFR193W H6327 Infineon NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 200
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+17.57 грн
41+ 8.91 грн
100+ 7.84 грн
119+ 7.05 грн
327+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 23
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON TECHNOLOGIES BFR193WH6327-dte.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
14+21.09 грн
25+ 11.11 грн
100+ 9.4 грн
119+ 8.45 грн
327+ 7.94 грн
3000+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.45 грн
500+ 6.83 грн
1500+ 6.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.59 грн
28+ 21.19 грн
30+ 20 грн
100+ 9.86 грн
250+ 8.66 грн
500+ 8.23 грн
1000+ 4.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.66 грн
6000+ 6.08 грн
12000+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
556+21.54 грн
1087+ 11.01 грн
1146+ 10.45 грн
1157+ 9.98 грн
Мінімальне замовлення: 556
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.2 грн
6000+ 5.66 грн
12000+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_BFR193W_DS_v01_01_en-1731041.pdf RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 21868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.93 грн
16+ 21.11 грн
100+ 8.83 грн
1000+ 6.35 грн
3000+ 5.87 грн
9000+ 5.31 грн
24000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 INFINEON INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+23.54 грн
50+ 17.03 грн
100+ 10.45 грн
500+ 6.83 грн
1500+ 6.18 грн
Мінімальне замовлення: 33
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfr193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 28742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.61 грн
14+ 21.93 грн
25+ 19.73 грн
100+ 12.78 грн
250+ 10.77 грн
500+ 8.75 грн
1000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327XTSA1 Infineon Technologies bfr193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674 Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.7 грн
6000+ 6.1 грн
15000+ 5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR 193 E6327 Infineon
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFR 193F H6327 Infineon
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFR 193W H6327 Infineon
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFR193WH6327
Код товару: 122764		 bfr193wh6327.pdf
BFR193WH6327
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-323
fT: 8 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,08 A
h21: 100
у наявності: 161 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+6.5 грн
10+ 5.2 грн
100+ 4.3 грн
BFR 193 E6327 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR 193 E6327
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFR 193 E6327 Infineon-BFR193-DS-v01_01-en-1225481.pdf
BFR 193 E6327
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
на замовлення 9965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+29.23 грн
15+ 22.38 грн
100+ 12.08 грн
1000+ 6.35 грн
3000+ 5.73 грн
9000+ 4.97 грн
24000+ 4.62 грн
Мінімальне замовлення: 12
BFR 193F H6327 624bfr193f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a3043.pdf
BFR 193F H6327
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
639+18.75 грн
662+ 18.08 грн
1000+ 17.49 грн
2500+ 16.37 грн
5000+ 14.74 грн
Мінімальне замовлення: 639
BFR 193F H6327 Infineon-BFR193F-DS-v01_01-en-1225440.pdf
BFR 193F H6327
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.19 грн
12+ 26.51 грн
100+ 14.29 грн
1000+ 7.8 грн
3000+ 6.56 грн
9000+ 5.8 грн
24000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR 193L3 E6327 Infineon_High_Linearity_LNA_BFR193L3-73888.pdf
BFR 193L3 E6327
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+39.69 грн
11+ 31.27 грн
100+ 16.22 грн
1000+ 10.49 грн
2500+ 8.7 грн
10000+ 8.14 грн
15000+ 7.45 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFR 193W H6327 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR 193W H6327
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
674+17.76 грн
700+ 17.11 грн
1000+ 16.55 грн
2500+ 15.49 грн
5000+ 13.96 грн
10000+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 674
BFR 193W H6327 Infineon-BFR193W-DS-v01_01-en-1225482.pdf
BFR 193W H6327
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 18007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.93 грн
13+ 24.44 грн
100+ 13.25 грн
1000+ 7.32 грн
3000+ 6.28 грн
9000+ 5.38 грн
24000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR193E6327 BFR193E6327-dte.pdf
BFR193E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+12.08 грн
40+ 8.99 грн
100+ 7.91 грн
114+ 7.37 грн
312+ 6.97 грн
Мінімальне замовлення: 33
BFR193E6327 BFR193E6327-dte.pdf
BFR193E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.49 грн
25+ 11.2 грн
100+ 9.49 грн
114+ 8.84 грн
312+ 8.36 грн
3000+ 8.02 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFR193E6327HTSA1 bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.16 грн
6000+ 5.61 грн
15000+ 5.11 грн
30000+ 4.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR193E6327HTSA1 Infineon_BFR193_DS_v01_01_en-1731108.pdf
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
на замовлення 66280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.95 грн
20+ 16.51 грн
100+ 8.28 грн
1000+ 6.35 грн
3000+ 5.31 грн
9000+ 4.55 грн
24000+ 4.35 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFR193E6327HTSA1 INFNS22468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.68 грн
500+ 6.61 грн
1500+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFR193E6327HTSA1 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1830+6.54 грн
1946+ 6.15 грн
1987+ 6.02 грн
2044+ 5.65 грн
15000+ 4.95 грн
Мінімальне замовлення: 1830
BFR193E6327HTSA1 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+27.83 грн
38+ 15.79 грн
100+ 8.84 грн
250+ 8.09 грн
500+ 7.68 грн
1000+ 5.87 грн
3000+ 4.01 грн
Мінімальне замовлення: 22
BFR193E6327HTSA1 INFNS22468-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193E6327HTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
42+18.74 грн
55+ 14.24 грн
100+ 9.68 грн
500+ 6.61 грн
1500+ 5.99 грн
Мінімальне замовлення: 42
BFR193E6327HTSA1 111bfr193.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b1354605c1fileiddb3a30431.pdf
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
704+17 грн
1213+ 9.87 грн
1227+ 9.76 грн
1240+ 9.31 грн
1624+ 6.58 грн
3000+ 4.31 грн
Мінімальне замовлення: 704
BFR193E6327HTSA1 bfr193.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426adab31066c
BFR193E6327HTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 30314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.62 грн
15+ 20.13 грн
25+ 18.14 грн
100+ 11.76 грн
250+ 9.9 грн
500+ 8.05 грн
1000+ 6.09 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFR193FH6327 BFR193FH6327-dte.pdf
BFR193FH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+10.22 грн
45+ 8.05 грн
100+ 6.4 грн
142+ 5.89 грн
250+ 5.61 грн
1000+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 38
BFR193FH6327 BFR193FH6327-dte.pdf
BFR193FH6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+12.26 грн
27+ 10.03 грн
100+ 7.68 грн
142+ 7.07 грн
250+ 6.73 грн
1000+ 6.47 грн
Мінімальне замовлення: 23
BFR193FH6327XTSA1 bfr193f.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b2dfaf05c6&fileId=db3a30431441fb5d0114acfcde76152c
Виробник: Infineon
Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V;
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+28.49 грн
11+ 25.4 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR193FH6327XTSA1 624bfr193f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a3043.pdf
BFR193FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.56 грн
29+ 20.88 грн
100+ 10.43 грн
250+ 9.56 грн
500+ 9.09 грн
1000+ 5.77 грн
3000+ 4.83 грн
Мінімальне замовлення: 18
BFR193FH6327XTSA1 Infineon_BFR193F_DS_v01_01_en-1731082.pdf
BFR193FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 12172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.91 грн
15+ 21.43 грн
100+ 9.39 грн
1000+ 6.21 грн
3000+ 5.87 грн
9000+ 5.31 грн
24000+ 5.24 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFR193FH6327XTSA1 bfr193f.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b2dfaf05c6&fileId=db3a30431441fb5d0114acfcde76152c
BFR193FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
на замовлення 35965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.85 грн
13+ 23.8 грн
25+ 21.42 грн
100+ 13.89 грн
250+ 11.7 грн
500+ 9.5 грн
1000+ 7.19 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR193FH6327XTSA1 2354694.pdf
BFR193FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+38.79 грн
36+ 22.06 грн
100+ 10.92 грн
500+ 8.12 грн
1000+ 5.64 грн
5000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFR193FH6327XTSA1 bfr193f.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b2dfaf05c6&fileId=db3a30431441fb5d0114acfcde76152c
BFR193FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.28 грн
6000+ 6.62 грн
15000+ 6.04 грн
30000+ 5.3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR193FH6327XTSA1 2354694.pdf
BFR193FH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.92 грн
500+ 8.12 грн
1000+ 5.64 грн
5000+ 5.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFR193FH6327XTSA1 624bfr193f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a3043.pdf
BFR193FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
533+22.49 грн
1028+ 11.65 грн
1039+ 11.53 грн
1049+ 11.01 грн
1652+ 6.47 грн
3000+ 5.2 грн
Мінімальне замовлення: 533
BFR193FH6327XTSA1 624bfr193f.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a3043.pdf
BFR193FH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
395+30.31 грн
839+ 14.26 грн
883+ 13.56 грн
960+ 12.02 грн
1539+ 6.94 грн
2000+ 6.39 грн
Мінімальне замовлення: 395
BFR193L3E6327 BFR193L3E6327-dte.pdf
BFR193L3E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+35.61 грн
18+ 21.14 грн
25+ 18.4 грн
67+ 12.44 грн
185+ 11.79 грн
500+ 11.36 грн
Мінімальне замовлення: 11
BFR193L3E6327 BFR193L3E6327-dte.pdf
BFR193L3E6327
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 756 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.74 грн
11+ 26.34 грн
25+ 22.08 грн
67+ 14.92 грн
185+ 14.15 грн
500+ 13.63 грн
Мінімальне замовлення: 7
BFR193L3E6327XTMA1 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+8.66 грн
30000+ 7.93 грн
75000+ 7.64 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BFR193L3E6327XTMA1 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BFR193L3E6327XTMA1 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 14285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1122+10.67 грн
1241+ 9.64 грн
1285+ 9.32 грн
2000+ 8.92 грн
Мінімальне замовлення: 1122
BFR193L3E6327XTMA1 2367002.pdf
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+44.59 грн
25+ 31.51 грн
100+ 15.95 грн
500+ 12.08 грн
1000+ 8.56 грн
5000+ 8.36 грн
Мінімальне замовлення: 18
BFR193L3E6327XTMA1 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+14.95 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BFR193L3E6327XTMA1 bfr193l3.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b2dfaf05c6&fileId=db3a30431400ef680114271fc1ec06db
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.09 грн
11+ 27.32 грн
25+ 24.99 грн
100+ 17.45 грн
250+ 15.82 грн
500+ 13.09 грн
1000+ 9.66 грн
2500+ 8.85 грн
5000+ 8.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
BFR193L3E6327XTMA1 bfr193l3.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b2dfaf05c6&fileId=db3a30431400ef680114271fc1ec06db
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BFR193L3E6327XTMA1 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
467+25.67 грн
592+ 20.23 грн
660+ 18.16 грн
807+ 14.32 грн
1339+ 7.98 грн
Мінімальне замовлення: 467
BFR193L3E6327XTMA1 2367002.pdf
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+15.95 грн
500+ 12.08 грн
1000+ 8.56 грн
5000+ 8.36 грн
Мінімальне замовлення: 150
BFR193L3E6327XTMA1 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 10958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+37.1 грн
17+ 36.96 грн
25+ 36.82 грн
100+ 35.38 грн
250+ 32.63 грн
500+ 31.21 грн
1000+ 31.09 грн
3000+ 30.97 грн
6000+ 30.84 грн
Мінімальне замовлення: 16
BFR193L3E6327XTMA1 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+35.63 грн
21+ 28.49 грн
25+ 25.76 грн
50+ 22.99 грн
100+ 16.77 грн
250+ 14.45 грн
500+ 11.82 грн
1000+ 7.12 грн
Мінімальне замовлення: 17
BFR193L3E6327XTMA1 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 525000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+7.62 грн
Мінімальне замовлення: 15000
BFR193L3E6327XTMA1 184bfr193l3.pdffolderiddb3a30431400ef68011425b2dfaf05c6fileiddb3a304.pdf
BFR193L3E6327XTMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 10958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
302+39.65 грн
303+ 39.51 грн
305+ 39.36 грн
500+ 37.81 грн
1000+ 34.87 грн
3000+ 33.35 грн
6000+ 33.22 грн
Мінімальне замовлення: 302
BFR193W H6327
Виробник: Infineon
NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 200
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327-dte.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+17.57 грн
41+ 8.91 грн
100+ 7.84 грн
119+ 7.05 грн
327+ 6.61 грн
Мінімальне замовлення: 23
BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327-dte.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.09 грн
25+ 11.11 грн
100+ 9.4 грн
119+ 8.45 грн
327+ 7.94 грн
3000+ 7.85 грн
Мінімальне замовлення: 14
BFR193WH6327XTSA1 INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.45 грн
500+ 6.83 грн
1500+ 6.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.59 грн
28+ 21.19 грн
30+ 20 грн
100+ 9.86 грн
250+ 8.66 грн
500+ 8.23 грн
1000+ 4.36 грн
Мінімальне замовлення: 20
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.66 грн
6000+ 6.08 грн
12000+ 6.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
556+21.54 грн
1087+ 11.01 грн
1146+ 10.45 грн
1157+ 9.98 грн
Мінімальне замовлення: 556
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR193WH6327XTSA1 8552infineon_high_linearity_lna_bfr193w.pdffolderiddb3a30431400ef6801.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.2 грн
6000+ 5.66 грн
12000+ 5.6 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR193WH6327XTSA1 Infineon_BFR193W_DS_v01_01_en-1731041.pdf
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 21868 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+32.93 грн
16+ 21.11 грн
100+ 8.83 грн
1000+ 6.35 грн
3000+ 5.87 грн
9000+ 5.31 грн
24000+ 5.04 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR193WH6327XTSA1 INFNS22472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+23.54 грн
50+ 17.03 грн
100+ 10.45 грн
500+ 6.83 грн
1500+ 6.18 грн
Мінімальне замовлення: 33
BFR193WH6327XTSA1 bfr193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 28742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.61 грн
14+ 21.93 грн
25+ 19.73 грн
100+ 12.78 грн
250+ 10.77 грн
500+ 8.75 грн
1000+ 6.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
BFR193WH6327XTSA1 bfr193w.pdf?folderId=db3a30431400ef68011425b1354605c1&fileId=db3a30431400ef68011426b3b6650674
BFR193WH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.7 грн
6000+ 6.1 грн
15000+ 5.56 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BFR 193 E6327
Виробник: Infineon
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFR 193F H6327
Виробник: Infineon
на замовлення 180000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
BFR 193W H6327
Виробник: Infineon
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]