Результат пошуку "MMBTH10" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8876
Мінімальне замовлення: 3750
Мінімальне замовлення: 12000
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 8876
Мінімальне замовлення: 36
Мінімальне замовлення: 1974
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 43
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 1250
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 1194
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 816
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 9000
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 107
Мінімальне замовлення: 64
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 2239
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 16000
Мінімальне замовлення: 8000
Мінімальне замовлення: 16000
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 8000
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 8000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 4438
Мінімальне замовлення: 6000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBTH10LT1G Код товару: 175304 |
ON |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 650 MHz Uceo,V: 25 V Ucbo,V: 30 V Монтаж: SMD |
у наявності: 213 шт
|
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10 | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10 | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 471914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10 - TRANSISTOR, RF, NPN, 25V, 650MHZ, SOT-23 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10 | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 471914 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10 | Fairchild Semiconductor |
Description: MMBTH10 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 |
на замовлення 4809000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-4LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 999A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-4LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN |
на замовлення 235067 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-4LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 999A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-4LT1G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 800MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 94624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 25842 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-4LT1G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 800MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 87000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-7 | Diodes Incorporated |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active |
на замовлення 386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Diodes Zetex | Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Diodes Zetex | Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Diodes Incorporated |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW |
на замовлення 5257 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Diodes Zetex | Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Diodes Incorporated |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active |
на замовлення 6453 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-7-F | Diodes Zetex | Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10-TP | Micro Commercial Co |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active |
на замовлення 2953 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1 - MMBTH10L - TRANS SS VHF NPN 25V SOT23 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 191566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1 | onsemi |
Description: TRANS SS VHF NPN 25V SOT23 Packaging: Bulk |
на замовлення 191566 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 25V Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 60...240 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 650MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2930 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN |
на замовлення 14095 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1017719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 121388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23 tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 4mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9525 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT1G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 21468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT3G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 99500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT3G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
на замовлення 99500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS VHF XSTR NPN 25V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10M3T5G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10M3T5G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10M3T5G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10M3T5G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 265mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active |
на замовлення 11140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10M3T5G | onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 265mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10M3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SOT723 VHF NPN TRANS |
на замовлення 23835 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10M3T5G | ON Semiconductor | Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10Q-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10Q-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT RF Transistor |
на замовлення 3138 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10Q-7-F | Diodes Incorporated |
Description: RF TRANSISTOR SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 310mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10Q-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 650MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10Q-7-F | Diodes Zetex | NPN Surface Mount VHF/UHF Transistor Automotive AEC-Q101 |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10Q-7-F | Diodes Incorporated |
Description: RF TRANSISTOR SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 310mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 650MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 114000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10RG | Fairchild Semiconductor |
Description: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 450MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 |
на замовлення 135330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10RG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10RG - MMBTH10RG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 243000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
MMBTH10(3E) |
на замовлення 30545 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
MMBTH10(3EM) |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
MMBTH10(3F) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
MMBTH10LT1G Код товару: 175304 |
у наявності: 213 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.5 грн |
100+ | 2.1 грн |
MMBTH10 |
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8876+ | 2.1 грн |
MMBTH10 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 471914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3750+ | 3.19 грн |
8876+ | 1.52 грн |
MMBTH10 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10 - TRANSISTOR, RF, NPN, 25V, 650MHZ, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MMBTH10 - TRANSISTOR, RF, NPN, 25V, 650MHZ, SOT-23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12000+ | 2.48 грн |
MMBTH10 |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 471914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.96 грн |
8876+ | 1.41 грн |
MMBTH10 |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MMBTH10 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Description: MMBTH10 - RF SMALL SIGNAL BIPOLA
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 4809000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8876+ | 2.1 грн |
MMBTH10-4LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 999A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 999A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
36+ | 21.52 грн |
73+ | 10.61 грн |
130+ | 5.98 грн |
500+ | 5.44 грн |
MMBTH10-4LT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1974+ | 6.06 грн |
2344+ | 5.11 грн |
2748+ | 4.36 грн |
4044+ | 2.85 грн |
4478+ | 2.39 грн |
6000+ | 2.04 грн |
15000+ | 1.81 грн |
MMBTH10-4LT1G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 235067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 14.25 грн |
41+ | 7.78 грн |
100+ | 3.52 грн |
1000+ | 2.42 грн |
3000+ | 1.86 грн |
9000+ | 1.73 грн |
MMBTH10-4LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 999A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 999A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 5.44 грн |
MMBTH10-4LT1G |
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 94624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 13.44 грн |
28+ | 10.5 грн |
33+ | 8.8 грн |
100+ | 5.24 грн |
250+ | 4.05 грн |
500+ | 3.45 грн |
1000+ | 2.31 грн |
MMBTH10-4LT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 25842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
43+ | 14.07 грн |
66+ | 9.04 грн |
70+ | 8.53 грн |
106+ | 5.43 грн |
250+ | 4.23 грн |
500+ | 3.47 грн |
1000+ | 2.36 грн |
3000+ | 2.13 грн |
6000+ | 1.9 грн |
MMBTH10-4LT1G |
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 800MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.34 грн |
6000+ | 1.96 грн |
15000+ | 1.72 грн |
MMBTH10-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.85 грн |
12+ | 25.59 грн |
25+ | 23.41 грн |
100+ | 16.33 грн |
250+ | 14.8 грн |
MMBTH10-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1250+ | 1.55 грн |
MMBTH10-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 22.3 грн |
58+ | 13.47 грн |
132+ | 5.9 грн |
500+ | 4.07 грн |
1000+ | 2.46 грн |
MMBTH10-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MMBTH10-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBTH10-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 300 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 4.07 грн |
1000+ | 2.46 грн |
MMBTH10-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.25 грн |
MMBTH10-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW
Bipolar Transistors - BJT 25V 300mW
на замовлення 5257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 20.21 грн |
26+ | 12.3 грн |
100+ | 4.83 грн |
1000+ | 3.24 грн |
3000+ | 2.55 грн |
9000+ | 2.21 грн |
24000+ | 2.07 грн |
MMBTH10-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1194+ | 10.03 грн |
1235+ | 9.69 грн |
1279+ | 9.36 грн |
MMBTH10-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
на замовлення 6453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 18.66 грн |
20+ | 14.59 грн |
25+ | 12.22 грн |
100+ | 7.27 грн |
250+ | 5.61 грн |
500+ | 4.79 грн |
1000+ | 3.2 грн |
MMBTH10-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
816+ | 9.07 грн |
1000+ | 8.69 грн |
MMBTH10-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 16.42 грн |
22+ | 13.16 грн |
27+ | 11.01 грн |
100+ | 6.54 грн |
250+ | 5.05 грн |
500+ | 4.31 грн |
1000+ | 2.88 грн |
MMBTH10LT1 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1 - MMBTH10L - TRANS SS VHF NPN 25V SOT23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1 - MMBTH10L - TRANS SS VHF NPN 25V SOT23
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 191566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9000+ | 4.95 грн |
MMBTH10LT1 |
на замовлення 191566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.49 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
107+ | 3.64 грн |
122+ | 2.97 грн |
371+ | 2.27 грн |
1021+ | 2.15 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 25V; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 25V
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 650MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
64+ | 4.37 грн |
100+ | 3.7 грн |
371+ | 2.73 грн |
1021+ | 2.58 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 6.78 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.3 грн |
6000+ | 2.76 грн |
15000+ | 2.35 грн |
30000+ | 2.07 грн |
75000+ | 1.94 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
на замовлення 14095 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 19.48 грн |
26+ | 12.3 грн |
100+ | 4.97 грн |
1000+ | 3.31 грн |
3000+ | 2.62 грн |
9000+ | 2.21 грн |
24000+ | 2.07 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 17.4 грн |
50+ | 11.93 грн |
51+ | 11.68 грн |
120+ | 4.79 грн |
250+ | 4.38 грн |
500+ | 4.04 грн |
1000+ | 2.75 грн |
3000+ | 2.41 грн |
6000+ | 2.07 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1017719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 2.32 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 121388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 18.66 грн |
20+ | 14.81 грн |
25+ | 12.42 грн |
100+ | 7.39 грн |
250+ | 5.7 грн |
500+ | 4.86 грн |
1000+ | 3.25 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MMBTH10LT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - MMBTH10LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 25 V, 650 MHz, 225 mW, 4 mA, SOT-23
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 4mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9525 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 23.23 грн |
60+ | 13.01 грн |
104+ | 7.45 грн |
500+ | 6.78 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.84 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.92 грн |
MMBTH10LT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2239+ | 5.34 грн |
2263+ | 5.29 грн |
2359+ | 5.07 грн |
3465+ | 3.33 грн |
3948+ | 2.71 грн |
6000+ | 2.23 грн |
15000+ | 1.87 грн |
MMBTH10LT3G |
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 99500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 18.66 грн |
20+ | 14.81 грн |
25+ | 12.42 грн |
100+ | 7.39 грн |
250+ | 5.7 грн |
500+ | 4.86 грн |
1000+ | 3.25 грн |
2500+ | 2.93 грн |
5000+ | 2.55 грн |
MMBTH10LT3G |
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
на замовлення 99500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.44 грн |
30000+ | 2.21 грн |
50000+ | 2.07 грн |
MMBTH10LT3G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS VHF XSTR NPN 25V
Bipolar Transistors - BJT SS VHF XSTR NPN 25V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 20.21 грн |
24+ | 13.65 грн |
100+ | 5.66 грн |
1000+ | 3.38 грн |
2500+ | 2.9 грн |
10000+ | 2.28 грн |
20000+ | 2.14 грн |
MMBTH10M3T5G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16000+ | 2.71 грн |
24000+ | 2.51 грн |
MMBTH10M3T5G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8000+ | 3.19 грн |
16000+ | 3.16 грн |
24000+ | 2.94 грн |
MMBTH10M3T5G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16000+ | 2.4 грн |
MMBTH10M3T5G |
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 265mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 265mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
на замовлення 11140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 23.89 грн |
16+ | 18.55 грн |
25+ | 15.53 грн |
100+ | 9.24 грн |
250+ | 7.13 грн |
500+ | 6.08 грн |
1000+ | 4.06 грн |
2500+ | 3.67 грн |
MMBTH10M3T5G |
Виробник: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 265mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 265mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8000+ | 3.59 грн |
MMBTH10M3T5G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SOT723 VHF NPN TRANS
Bipolar Transistors - BJT SOT723 VHF NPN TRANS
на замовлення 23835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.44 грн |
19+ | 17.06 грн |
100+ | 6.14 грн |
1000+ | 4.21 грн |
2500+ | 3.8 грн |
8000+ | 2.55 грн |
24000+ | 2.35 грн |
MMBTH10M3T5G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8000+ | 2.96 грн |
16000+ | 2.93 грн |
24000+ | 2.73 грн |
MMBTH10Q-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 15.02 грн |
500+ | 10.78 грн |
1000+ | 7.03 грн |
MMBTH10Q-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT RF Transistor
Bipolar Transistors - BJT RF Transistor
на замовлення 3138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 30.68 грн |
14+ | 24.13 грн |
100+ | 13.39 грн |
1000+ | 8.07 грн |
3000+ | 7.32 грн |
9000+ | 5.94 грн |
45000+ | 5.73 грн |
MMBTH10Q-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANSISTOR SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
Description: RF TRANSISTOR SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.6 грн |
6000+ | 7.02 грн |
9000+ | 6.31 грн |
30000+ | 5.84 грн |
75000+ | 5.49 грн |
MMBTH10Q-7-F |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMBTH10Q-7-F - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 650 MHz, 310 mW, 50 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 50mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 650MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 33.83 грн |
30+ | 26.4 грн |
100+ | 15.02 грн |
500+ | 10.78 грн |
1000+ | 7.03 грн |
MMBTH10Q-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
NPN Surface Mount VHF/UHF Transistor Automotive AEC-Q101
NPN Surface Mount VHF/UHF Transistor Automotive AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.86 грн |
MMBTH10Q-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RF TRANSISTOR SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: RF TRANSISTOR SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 310mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 114000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 27.62 грн |
14+ | 21.06 грн |
100+ | 12.62 грн |
500+ | 10.97 грн |
1000+ | 7.46 грн |
MMBTH10RG |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 450MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Description: RF 0.05A, ULTRA HIGH FREQ BAND
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 450MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
на замовлення 135330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4438+ | 4.89 грн |
MMBTH10RG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10RG - MMBTH10RG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MMBTH10RG - MMBTH10RG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 243000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6000+ | 4.95 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]