Результат пошуку "irl3" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 586
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 174
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 188
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 148
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 112
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 330
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 134
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 115
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 136
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRL3103 Код товару: 189656 |
JSMicro |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 64 A Rds(on), Ohm: 12 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm Монтаж: THT |
у наявності: 220 шт
|
|
|||||||||||||||
IRL3705NPBF Код товару: 24017 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 55 V Idd,A: 89 A Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 358 шт
|
|
|||||||||||||||
IRL3705ZPBF Код товару: 113435 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 55 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 8 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 113 шт
|
|
|||||||||||||||
IRL3713PBF Код товару: 198923 |
VBsemi |
Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 30 V Idd,A: 260 A Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 100 шт
|
|
|||||||||||||||
IRL3713PBF Код товару: 35005 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 260 A Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 14 шт
|
|
|||||||||||||||
IRL3803PBF Код товару: 28690 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 30 V Idd,A: 140 A Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: THT |
у наявності: 23 шт
|
|
|||||||||||||||
IRL3103STRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V |
на замовлення 163572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705N | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705N | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm |
на замовлення 4 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 130W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 10mΩ Mounting: THT Gate charge: 65.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRL3705NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4248 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V Power Dissipation (Max): 170W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 1028 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 77A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NSPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm |
на замовлення 37 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NSTRLPBF | Infineon | Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level |
на замовлення 227 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRL3705NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 170W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl |
на замовлення 1613 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1706 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705NSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705Z | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB |
на замовлення 1364 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 86A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZPBF | International Rectifier |
Description: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V |
на замовлення 5004 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V |
на замовлення 1868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V |
на замовлення 1604 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-263AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl |
на замовлення 2471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 195 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3705ZSTRLPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRL3713 | International Rectifier |
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3713 | International Rectifier |
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3716L | International Rectifier |
N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l кількість в упаковці: 11 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3803 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3803PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 93.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3803PBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 93.3nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 34 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3803PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4762 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3803PBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V |
на замовлення 3095 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRL3803PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRL3103 Код товару: 189656 |
Виробник: JSMicro
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 12 mOhm
Монтаж: THT
у наявності: 220 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 38 грн |
10+ | 34.5 грн |
100+ | 29.9 грн |
IRL3705NPBF Код товару: 24017 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 89 A
Rds(on), Ohm: 0,01 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 3600/98
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 358 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 30 грн |
10+ | 27.4 грн |
IRL3705ZPBF Код товару: 113435 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 55 V
Idd,A: 75 A
Rds(on), Ohm: 8 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 2880/40
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 113 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 42 грн |
10+ | 37.7 грн |
IRL3713PBF Код товару: 198923 |
Виробник: VBsemi
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 100 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 70 грн |
10+ | 65 грн |
IRL3713PBF Код товару: 35005 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 260 A
Rds(on), Ohm: 0,003 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5890/110
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 14 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 85 грн |
10+ | 77 грн |
IRL3803PBF Код товару: 28690 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 140 A
Rds(on), Ohm: 0,006 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 5000/140
Примітка: Керування логічним рівнем
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 39 грн |
10+ | 34.7 грн |
IRL3103STRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 163572 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
586+ | 35.15 грн |
IRL3705N |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 68.2 грн |
IRL3705N |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 18mOhm; 89A; 170W; -55°C ~ 175°C; IRL3705N TIRL3705n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 68.2 грн |
IRL3705NPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
Транз. Пол. БМ N-HEXFET TO220AB Udss=55V; Id=77A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 96.3 грн |
10+ | 79.12 грн |
IRL3705NPBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 89A
Power dissipation: 130W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 65.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IRL3705NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRL3705NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4248 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
174+ | 68.84 грн |
184+ | 65.31 грн |
199+ | 60.13 грн |
250+ | 57.51 грн |
500+ | 46.46 грн |
1000+ | 41.26 грн |
2000+ | 32.58 грн |
IRL3705NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.66 грн |
10+ | 101.94 грн |
100+ | 81.15 грн |
500+ | 64.44 грн |
1000+ | 54.67 грн |
IRL3705NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
MOSFET MOSFT 55V 77A 65.3nC 10mOhm LogLvAB
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.19 грн |
10+ | 107.14 грн |
100+ | 77.29 грн |
250+ | 76.6 грн |
500+ | 65.49 грн |
1000+ | 56.31 грн |
2000+ | 53.49 грн |
IRL3705NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 39.45 грн |
IRL3705NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 60.59 грн |
100+ | 55.79 грн |
250+ | 53.35 грн |
500+ | 43.1 грн |
1000+ | 38.29 грн |
2000+ | 30.22 грн |
IRL3705NPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
188+ | 63.92 грн |
IRL3705NPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRL3705NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 77 A, 0.01 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 136.26 грн |
10+ | 102.19 грн |
100+ | 85.93 грн |
500+ | 76.2 грн |
1000+ | 67.02 грн |
IRL3705NSPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,01 Ohm
на замовлення 37 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 159.54 грн |
10+ | 142.86 грн |
IRL3705NSTRLPBF |
Виробник: Infineon
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2PAK Udss=55V; Id=89A; Pdmax=130W; Rds=0,018 Ohm, Logic Level
на замовлення 227 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 182.34 грн |
IRL3705NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRL3705NSTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 68.58 грн |
250+ | 62.05 грн |
IRL3705NSTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRL3705NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 89 A, 0.01 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 170W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 116.13 грн |
10+ | 96 грн |
50+ | 84.39 грн |
100+ | 68.58 грн |
250+ | 62.05 грн |
IRL3705NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
MOSFET MOSFT 55V 89A 10mOhm 65.3nC LogLvl
на замовлення 1613 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.83 грн |
IRL3705NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
148+ | 81.37 грн |
153+ | 78.68 грн |
166+ | 72.5 грн |
200+ | 67.98 грн |
500+ | 62.77 грн |
1600+ | 57.26 грн |
IRL3705NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 65.64 грн |
IRL3705NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 70.76 грн |
IRL3705NSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 89A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 45.49 грн |
IRL3705Z |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRL3705Z TIRL3705z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 70.48 грн |
IRL3705ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
112+ | 107.69 грн |
120+ | 99.72 грн |
142+ | 84.36 грн |
200+ | 76.92 грн |
500+ | 70.96 грн |
1000+ | 61.63 грн |
IRL3705ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 95.66 грн |
10+ | 83.16 грн |
100+ | 71.48 грн |
250+ | 65.64 грн |
500+ | 55.08 грн |
1000+ | 46.72 грн |
2000+ | 45.46 грн |
IRL3705ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.14 грн |
IRL3705ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log LvlAB
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.27 грн |
10+ | 111.9 грн |
100+ | 78.67 грн |
250+ | 73.15 грн |
500+ | 66.11 грн |
1000+ | 56.11 грн |
2000+ | 55.97 грн |
IRL3705ZPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRL3705ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 86 A, 0.008 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 149.42 грн |
10+ | 111.48 грн |
100+ | 85.93 грн |
500+ | 66.86 грн |
1000+ | 50.63 грн |
IRL3705ZPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Description: IRL3705 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
330+ | 62.72 грн |
IRL3705ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 129.9 грн |
50+ | 100.28 грн |
100+ | 82.5 грн |
500+ | 65.52 грн |
1000+ | 55.59 грн |
IRL3705ZPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
134+ | 89.64 грн |
156+ | 77.05 грн |
250+ | 73.38 грн |
500+ | 64.12 грн |
1000+ | 52.46 грн |
2000+ | 49.01 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 70.52 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 149.31 грн |
10+ | 119.69 грн |
100+ | 95.27 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 83.72 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 126.97 грн |
10+ | 100.64 грн |
50+ | 89.81 грн |
100+ | 73.33 грн |
250+ | 66.36 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 70.39 грн |
1600+ | 70.17 грн |
2400+ | 69.15 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
115+ | 104.7 грн |
120+ | 99.72 грн |
134+ | 89.65 грн |
200+ | 83.08 грн |
500+ | 76.74 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 81.81 грн |
10+ | 76 грн |
25+ | 75.24 грн |
100+ | 57.54 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 40.98 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - IRL3705ZSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0065 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 130W
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 73.33 грн |
250+ | 66.36 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
MOSFET MOSFT 55V 86A 8mOhm 40nC Log Lvl
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.58 грн |
10+ | 102.38 грн |
100+ | 73.15 грн |
800+ | 60.8 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 65.3 грн |
1600+ | 65.09 грн |
2400+ | 64.14 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
136+ | 88.11 грн |
147+ | 81.85 грн |
148+ | 81.03 грн |
187+ | 61.96 грн |
IRL3705ZSTRLPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 55V 86A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRL3713 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 224.06 грн |
IRL3713 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 260A 30V 330W 0.003Ω IRL3713 TIRL3713
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 224.06 грн |
IRL3716L |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
кількість в упаковці: 11 шт
N-MOSFET 180A 20V 210W 0.004Ω IRL3716L TIRL3716l
кількість в упаковці: 11 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 92.4 грн |
IRL3803 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 16V; 9mOhm; 140A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRL3803 TIRL3803
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 69.96 грн |
IRL3803PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 135.48 грн |
4+ | 112.15 грн |
10+ | 86.27 грн |
27+ | 81.23 грн |
IRL3803PBF |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 93.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 34 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 162.58 грн |
3+ | 139.75 грн |
10+ | 103.52 грн |
27+ | 97.48 грн |
IRL3803PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 75.1 грн |
10+ | 66.3 грн |
100+ | 61.01 грн |
250+ | 58.25 грн |
500+ | 51.48 грн |
1000+ | 41.39 грн |
2000+ | 40.98 грн |
IRL3803PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 140A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 71A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 3095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 149.31 грн |
50+ | 115.63 грн |
100+ | 95.13 грн |
500+ | 75.54 грн |
1000+ | 64.1 грн |
2000+ | 60.89 грн |
IRL3803PBF |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 30V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 88.98 грн |
10+ | 76.69 грн |
100+ | 69.59 грн |
250+ | 66.43 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]