Результат пошуку "1n4150" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 56
Мінімальне замовлення: 140
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 36
Мінімальне замовлення: 45
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 187
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 291
Мінімальне замовлення: 5704
Мінімальне замовлення: 9317
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 278
Мінімальне замовлення: 53
Мінімальне замовлення: 9678
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 50000
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 50000
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 35
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 21
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 2226
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 56
Мінімальне замовлення: 36
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 3513
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 54
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 54
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
1N4150 Код товару: 43481 |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі |
у наявності: 207 шт
|
|
||||||||||||||||||||
1N4150 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.3A Max. load current: 0.6A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.5W Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | DC COMPONENTS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Diotec Semiconductor | Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 50; Io, А = 0,3; If, A = 0,3; Тексп, °С = -50...+200; DO-35 |
на замовлення 140 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | DC COMPONENTS |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5880 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.3A Max. load current: 0.6A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: DO35 Max. forward voltage: 1.2V Max. forward impulse current: 4A Power dissipation: 0.5W Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Diotec Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 50V 0.3A DO35 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Diotec Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode, DO-35, 50V, 0.3A, 175C |
на замовлення 13348 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Diotec Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 50V 0.3A DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 4720 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 | Microchip Technology | Zener Diodes 75 V Signal or Computer Diode |
на замовлення 910 шт: термін постачання 175-184 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 TR PBFREE | Central Semiconductor Corp |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 6 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-35 Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 6321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150 TR PBFREE | Central Semiconductor | Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Planar Diode Vr/50V Io/200mA |
на замовлення 17737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-1 | Microchip Technology | Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-1 | Microchip Technology | Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag |
на замовлення 1126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-1 | Microchip Technology | Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode |
на замовлення 1027 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-1 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35 Packaging: Bulk Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 1237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-TR | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R |
на замовлення 5759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-TR | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R |
на замовлення 5759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150-TR | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R |
на замовлення 9644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Max. load current: 0.6A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 2.5pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.44W Kind of package: Ammo Pack |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | VISHAY |
Category: THT universal diodes Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW Type of diode: switching Mounting: THT Max. off-state voltage: 50V Load current: 0.15A Max. load current: 0.6A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching; small signal Capacitance: 2.5pF Case: DO35 Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 4A Leakage current: 0.1mA Power dissipation: 0.44W Kind of package: Ammo Pack кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo |
на замовлення 10226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 19495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo |
на замовлення 10226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 150mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 8935 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TAP | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA |
на замовлення 54696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 59597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-204AH Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 38594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 300mA Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35) Operating Temperature - Junction: 175°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150TR | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA T/R |
на замовлення 65096 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UBCA/TR | Microchip Technology |
Description: DIODE ARRAY UBC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: UBC Part Status: Active |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UBCA/TR | Microchip Technology |
Description: DIODE ARRAY UBC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Supplier Device Package: UBC Part Status: Active |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 75V Load current: 0.2A Max. load current: 0.4A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: DO213AA Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: bulk |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1 | MICROCHIP (MICROSEMI) |
Category: SMD universal diodes Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk Type of diode: switching Mounting: SMD Max. off-state voltage: 75V Load current: 0.2A Max. load current: 0.4A Reverse recovery time: 4ns Semiconductor structure: single diode Case: DO213AA Max. forward voltage: 1V Max. forward impulse current: 0.5A Kind of package: bulk кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 591 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1 | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA Packaging: Bulk Package / Case: DO-213AA (Glass) Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1 | Microchip Technology | Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode |
на замовлення 1701 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1/TR | Microchip Technology |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-213AA Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: DO-213AA Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150UR-1/TR | Microchip Technology | Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode |
на замовлення 1782 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns |
на замовлення 44501 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 26947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 2535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-08 | VISHAY |
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 Durchlassstoßstrom: - rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 4717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns |
на замовлення 16611 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Vishay | Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 4717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-E3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 48500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-G3-08 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns |
на замовлення 14980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-G3-18 | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123 Mounting Type: Surface Mount Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr): 4 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 200mA Supplier Device Package: SOD-123 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V |
на замовлення 9968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-G3-18 | Vishay Semiconductors | Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns |
на замовлення 9867 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-HE3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 13940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
1N4150W-HE3-08 | Vishay | Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
1N4150 Код товару: 43481 |
у наявності: 207 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 3 грн |
10+ | 2.8 грн |
1N4150 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.07 грн |
450+ | 0.81 грн |
1000+ | 0.66 грн |
1475+ | 0.58 грн |
1N4150 |
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
56+ | 6.97 грн |
88+ | 4.1 грн |
149+ | 2.42 грн |
211+ | 1.7 грн |
252+ | 1.43 грн |
1000+ | 1.19 грн |
1634+ | 0.52 грн |
4499+ | 0.49 грн |
1N4150 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 50; Io, А = 0,3; If, A = 0,3; Тексп, °С = -50...+200; DO-35
Випрямний ультрашвидкий діод вивідний; Ur, В = 50; Io, А = 0,3; If, A = 0,3; Тексп, °С = -50...+200; DO-35
на замовлення 140 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
140+ | 4.46 грн |
1N4150 |
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; reel,tape; Ifsm: 0.5A; DO35; 4ns
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 8.36 грн |
53+ | 5.11 грн |
90+ | 2.9 грн |
127+ | 2.04 грн |
250+ | 1.72 грн |
1000+ | 1.43 грн |
1634+ | 0.62 грн |
1N4150 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 25 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.3A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 500mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.3A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Case: DO35
Max. forward voltage: 1.2V
Max. forward impulse current: 4A
Power dissipation: 0.5W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 2.49 грн |
275+ | 1.01 грн |
1000+ | 0.79 грн |
1475+ | 0.69 грн |
4050+ | 0.65 грн |
1N4150 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 0.3A DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 0.3A DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 0.94 грн |
10000+ | 0.79 грн |
1N4150 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode, DO-35, 50V, 0.3A, 175C
Diodes - General Purpose, Power, Switching Small Signal Diode, DO-35, 50V, 0.3A, 175C
на замовлення 13348 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
36+ | 9.02 грн |
75+ | 4.29 грн |
100+ | 3.17 грн |
500+ | 2.55 грн |
1000+ | 1.86 грн |
5000+ | 0.97 грн |
10000+ | 0.9 грн |
1N4150 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 50V 0.3A DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 0.3A DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 4pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -50°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 4720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 6.72 грн |
56+ | 5.18 грн |
59+ | 4.95 грн |
102+ | 2.65 грн |
250+ | 1.97 грн |
500+ | 1.63 грн |
1000+ | 1.1 грн |
2500+ | 0.93 грн |
1N4150 |
Виробник: Microchip Technology
Zener Diodes 75 V Signal or Computer Diode
Zener Diodes 75 V Signal or Computer Diode
на замовлення 910 шт:
термін постачання 175-184 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.37 грн |
100+ | 64.29 грн |
1N4150 TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 6 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-35
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 200°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 6321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 23.89 грн |
16+ | 18.26 грн |
100+ | 10.95 грн |
500+ | 9.51 грн |
1000+ | 6.47 грн |
2000+ | 5.96 грн |
5000+ | 5.62 грн |
1N4150 TR PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Planar Diode Vr/50V Io/200mA
Diodes - General Purpose, Power, Switching Silicon Planar Diode Vr/50V Io/200mA
на замовлення 17737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 26.25 грн |
16+ | 20.32 грн |
100+ | 10.56 грн |
500+ | 9.66 грн |
1000+ | 6.14 грн |
2500+ | 5.94 грн |
10000+ | 5.59 грн |
1N4150-1 |
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 59.44 грн |
41+ | 14.53 грн |
1N4150-1 |
Виробник: Microchip Technology
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
Diode Switching 50V 0.2A 2-Pin DO-35 Bag
на замовлення 1126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
187+ | 64.02 грн |
1N4150-1 |
Виробник: Microchip Technology
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
на замовлення 1027 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.22 грн |
1N4150-1 |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 1237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 64.95 грн |
100+ | 57.74 грн |
1N4150-TR |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
291+ | 2.04 грн |
296+ | 2.01 грн |
300+ | 1.98 грн |
305+ | 1.88 грн |
311+ | 1.71 грн |
500+ | 1.61 грн |
1000+ | 1.59 грн |
3000+ | 1.56 грн |
1N4150-TR |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 5759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5704+ | 2.1 грн |
1N4150-TR |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 T/R
на замовлення 9644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9317+ | 1.28 грн |
1N4150TAP |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 13.16 грн |
46+ | 7.91 грн |
53+ | 6.83 грн |
73+ | 4.95 грн |
106+ | 3.41 грн |
250+ | 3.17 грн |
499+ | 1.69 грн |
1370+ | 1.6 грн |
10000+ | 1.54 грн |
1N4150TAP |
Виробник: VISHAY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: switching; THT; 50V; 0.15A; Ammo Pack; Ifsm: 4A; DO35; 440mW
Type of diode: switching
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 50V
Load current: 0.15A
Max. load current: 0.6A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching; small signal
Capacitance: 2.5pF
Case: DO35
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 4A
Leakage current: 0.1mA
Power dissipation: 0.44W
Kind of package: Ammo Pack
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 15.79 грн |
28+ | 9.85 грн |
32+ | 8.2 грн |
44+ | 5.94 грн |
100+ | 4.1 грн |
250+ | 3.8 грн |
499+ | 2.03 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 10226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
278+ | 2.13 грн |
397+ | 1.5 грн |
400+ | 1.48 грн |
424+ | 1.35 грн |
452+ | 1.17 грн |
500+ | 1.05 грн |
1000+ | 0.98 грн |
3000+ | 0.91 грн |
6000+ | 0.84 грн |
1N4150TAP |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - 1N4150TAP - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 19495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
53+ | 14.86 грн |
77+ | 10.14 грн |
175+ | 4.44 грн |
500+ | 3.07 грн |
1000+ | 1.86 грн |
5000+ | 1.82 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 10226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9678+ | 1.24 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.7 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50000+ | 0.98 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 150MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 150mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 8935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 12.69 грн |
35+ | 8.34 грн |
100+ | 4.08 грн |
500+ | 3.2 грн |
1000+ | 2.22 грн |
2000+ | 1.93 грн |
5000+ | 1.76 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin DO-35 Ammo
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50000+ | 1.05 грн |
1N4150TAP |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA
Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA
на замовлення 54696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 19.48 грн |
25+ | 13.17 грн |
100+ | 3.8 грн |
1000+ | 2.35 грн |
2500+ | 2.14 грн |
10000+ | 1.59 грн |
1N4150TR |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 59597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 18.66 грн |
24+ | 12.08 грн |
100+ | 5.9 грн |
500+ | 4.62 грн |
1000+ | 3.21 грн |
2000+ | 2.78 грн |
5000+ | 2.54 грн |
1N4150TR |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Description: VISHAY - 1N4150TR - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 150 mA, 920 mV, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-204AH
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 920mV
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 150mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 38594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
35+ | 22.3 грн |
53+ | 14.86 грн |
141+ | 5.5 грн |
500+ | 3.92 грн |
1000+ | 2.52 грн |
5000+ | 2.47 грн |
1N4150TR |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 300MA DO35
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-204AH, DO-35, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 300mA
Supplier Device Package: DO-204AH (DO-35)
Operating Temperature - Junction: 175°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.37 грн |
30000+ | 2.24 грн |
50000+ | 2.01 грн |
1N4150TR |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA T/R
Diodes - General Purpose, Power, Switching Vr/50V Io/150mA T/R
на замовлення 65096 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
21+ | 15.7 грн |
31+ | 10.56 грн |
100+ | 3.93 грн |
1000+ | 2.69 грн |
2500+ | 2.48 грн |
10000+ | 1.93 грн |
50000+ | 1.73 грн |
1N4150UBCA/TR |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 1525.89 грн |
1N4150UBCA/TR |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
Description: DIODE ARRAY UBC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: UBC
Part Status: Active
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1643.12 грн |
1N4150UR-1 |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 91.3 грн |
10+ | 81.95 грн |
11+ | 79.08 грн |
25+ | 75.48 грн |
30+ | 74.76 грн |
100+ | 71.89 грн |
1N4150UR-1 |
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: switching; SMD; 75V; 200mA; 4ns; DO213AA; Ufmax: 1V; bulk
Type of diode: switching
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 75V
Load current: 0.2A
Max. load current: 0.4A
Reverse recovery time: 4ns
Semiconductor structure: single diode
Case: DO213AA
Max. forward voltage: 1V
Max. forward impulse current: 0.5A
Kind of package: bulk
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 591 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 113.77 грн |
10+ | 98.34 грн |
11+ | 94.89 грн |
25+ | 90.58 грн |
30+ | 89.72 грн |
100+ | 86.27 грн |
1N4150UR-1 |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-213AA (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 1038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.64 грн |
100+ | 69.69 грн |
1N4150UR-1 |
Виробник: Microchip Technology
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
на замовлення 1701 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 84.54 грн |
100+ | 77.7 грн |
1N4150UR-1/TR |
Виробник: Microchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA DO213AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: DO-213AA
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 89.58 грн |
100+ | 80.31 грн |
1N4150UR-1/TR |
Виробник: Microchip Technology
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 V Signal or Computer Diode
на замовлення 1782 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 97.42 грн |
100+ | 89.68 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 4.35 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.92 грн |
6000+ | 2.61 грн |
9000+ | 2.17 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 4.04 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
на замовлення 44501 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 18.76 грн |
26+ | 12.62 грн |
100+ | 4.55 грн |
1000+ | 3.11 грн |
2500+ | 2.14 грн |
10000+ | 1.86 грн |
15000+ | 1.79 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2226+ | 5.38 грн |
2246+ | 5.33 грн |
2273+ | 5.26 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 26947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.17 грн |
25+ | 11.5 грн |
100+ | 5.6 грн |
500+ | 4.39 грн |
1000+ | 3.05 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
56+ | 14.01 грн |
139+ | 5.58 грн |
250+ | 3.99 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 2535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
36+ | 16.76 грн |
51+ | 11.63 грн |
119+ | 4.81 грн |
250+ | 4.42 грн |
500+ | 4.19 грн |
1000+ | 2.51 грн |
1N4150W-E3-08 |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: VISHAY - 1N4150W-E3-08 - Kleinsignaldiode, Einfach, 50 V, 200 mA, 1 V, 4 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
Durchlassstoßstrom: -
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 50V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 3.99 грн |
1N4150W-E3-18 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3513+ | 3.41 грн |
3547+ | 3.37 грн |
3589+ | 3.33 грн |
4532+ | 2.55 грн |
1N4150W-E3-18 |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
на замовлення 16611 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.95 грн |
27+ | 11.98 грн |
100+ | 4.55 грн |
1000+ | 2.76 грн |
2500+ | 2.48 грн |
10000+ | 2.07 грн |
50000+ | 1.79 грн |
1N4150W-E3-18 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.25 грн |
30000+ | 2.13 грн |
1N4150W-E3-18 |
Виробник: Vishay
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
Diode Small Signal Switching Si 50V 0.3A 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 4717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
54+ | 11.02 грн |
81+ | 7.37 грн |
82+ | 7.3 грн |
188+ | 3.05 грн |
250+ | 2.8 грн |
500+ | 2.65 грн |
1000+ | 2.1 грн |
3000+ | 1.55 грн |
1N4150W-E3-18 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 48500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.17 грн |
25+ | 11.5 грн |
100+ | 5.6 грн |
500+ | 4.39 грн |
1000+ | 3.05 грн |
2000+ | 2.64 грн |
5000+ | 2.41 грн |
1N4150W-G3-08 |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
на замовлення 14980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 22.46 грн |
21+ | 15.32 грн |
100+ | 6.49 грн |
1000+ | 3.8 грн |
2500+ | 3.24 грн |
10000+ | 2.62 грн |
15000+ | 2.42 грн |
1N4150W-G3-18 |
Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP 50V 200MA SOD123
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-123
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 4 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 2.5pF @ 0V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 200mA
Supplier Device Package: SOD-123
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 200 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 nA @ 50 V
на замовлення 9968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 20.9 грн |
21+ | 13.73 грн |
100+ | 6.7 грн |
500+ | 5.24 грн |
1000+ | 3.64 грн |
2000+ | 3.16 грн |
5000+ | 2.88 грн |
1N4150W-G3-18 |
Виробник: Vishay Semiconductors
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
Diodes - General Purpose, Power, Switching 50 Volt 500mA 4ns
на замовлення 9867 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 22.46 грн |
21+ | 15.32 грн |
100+ | 5.45 грн |
1000+ | 3.24 грн |
2500+ | 3.04 грн |
10000+ | 2.42 грн |
50000+ | 2.21 грн |
1N4150W-HE3-08 |
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 13940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
54+ | 10.98 грн |
81+ | 7.33 грн |
193+ | 2.96 грн |
250+ | 2.72 грн |
500+ | 2.58 грн |
1000+ | 2.26 грн |
3000+ | 1.94 грн |
6000+ | 1.63 грн |
1N4150W-HE3-08 |
Виробник: Vishay
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
Rectifier Diode Small Signal Switching Si 50V 0.2A 4ns Automotive AEC-Q101 2-Pin SOD-123 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]