Результат пошуку "2N55" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
2N5551 2N5551
Код товару: 193606
Hottech 2N5551.pdf Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: THT
у наявності: 1572 шт
3+2 грн
10+ 1.5 грн
100+ 1.3 грн
1000+ 0.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N5550 2N5550 CDIL 2N5550 Rev4.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
200+2.04 грн
250+ 1.55 грн
275+ 1.37 грн
675+ 1.24 грн
1000+ 1.22 грн
1875+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N5550 2N5550 LUGUANG ELECTRONIC 2N5550.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
145+2.71 грн
265+ 1.38 грн
500+ 1.22 грн
705+ 1.19 грн
1940+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 145
2N5550 2N5550 CDIL 2N5550 Rev4.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+2.45 грн
150+ 1.93 грн
250+ 1.64 грн
675+ 1.48 грн
1000+ 1.47 грн
1875+ 1.41 грн
5000+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 125
2N5550 2N5550 LUGUANG ELECTRONIC 2N5550.pdf description Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
90+3.25 грн
160+ 1.72 грн
500+ 1.47 грн
705+ 1.42 грн
1940+ 1.35 грн
3000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 90
2N5550 LGE 2N5550 Rev4.pdf description Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N5550 PBFREE 2N5550 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 9713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+35.91 грн
11+ 30.71 грн
100+ 19.94 грн
500+ 15.67 грн
1000+ 12.08 грн
2500+ 11.04 грн
10000+ 9.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N5550/D26Z 2N5550/D26Z Fairchild Semiconductor FAIRS25003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2N5550G ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5550G - 2N5550G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5550RLRA 2N5550RLRA onsemi 2N5550%20Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2N5550RLRA ONSEMI ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5550RLRA - 2N5550RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N5550RLRAG ONSEMI ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5550RLRAG - 2N5550RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N5550RLRAG 2N5550RLRAG onsemi 2N5550%20Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2N5550RLRP ONSEMI ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5550RLRP - 2N5550RLRP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N5550RLRP 2N5550RLRP onsemi 2N5550%20Rev4.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2N5550RLRPG 2N5550RLRPG ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5550RLRPG ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5550RLRPG - 2N5550RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N5550TA 2N5550TA onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2.9 грн
6000+ 2.59 грн
10000+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5550TA 2N5550TA ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1606+7.45 грн
2312+ 5.18 грн
4588+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 1606
2N5550TA 2N5550TA onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.64 грн
18+ 16.17 грн
100+ 7.91 грн
500+ 6.19 грн
1000+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5550TA 2N5550TA Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 33620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7755+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 7755
2N5550TA 2N5550TA ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.07 грн
35+ 16.99 грн
100+ 6.92 грн
1000+ 4.64 грн
2000+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N5550TA 2N5550TA onsemi / Fairchild 2N5550_D-2309758.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
18+ 18.02 грн
100+ 6.42 грн
1000+ 4.42 грн
2000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5550TA 2N5550TA ONSEMI ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+29.73 грн
39+ 19.9 грн
100+ 11.38 грн
500+ 7.26 грн
1000+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 105642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.89 грн
18+ 16.25 грн
100+ 8.23 грн
500+ 6.3 грн
1000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi / Fairchild 2N5550_D-2309758.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.25 грн
18+ 17.86 грн
100+ 5.66 грн
1000+ 4.83 грн
2000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5550TAR 2N5550TAR ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5550TAR 2N5550TAR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 134000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+3.06 грн
6000+ 2.82 грн
10000+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5550TF ONSEMI FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - 2N5550TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13889+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 13889
2N5550TF 2N5550TF Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 29681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2N5550TFR 2N5550TFR ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.07 грн
36+ 16.82 грн
100+ 6.76 грн
1000+ 4.49 грн
2000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+2.9 грн
6000+ 2.59 грн
10000+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 121057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.64 грн
18+ 16.17 грн
100+ 7.91 грн
500+ 6.19 грн
1000+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5550TFR 2N5550TFR onsemi / Fairchild 2N5550_D-2309758.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 9346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.97 грн
18+ 18.02 грн
100+ 6.35 грн
1000+ 4.42 грн
2000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5550TFR 2N5550TFR Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 76874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7755+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 7755
2N5550TFR 2N5550TFR ON Semiconductor 2n5550-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1645+7.28 грн
2385+ 5.02 грн
4762+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 1645
2N5551
+1
2N5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
150+2.76 грн
225+ 1.75 грн
500+ 1.39 грн
775+ 1.09 грн
2125+ 1.03 грн
12000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 150
2N5551 2N5551 CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
200+2.04 грн
250+ 1.55 грн
275+ 1.37 грн
650+ 1.32 грн
1000+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
на замовлення 97 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
97+6.43 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 97
2N5551 Diotec 2n5551.pdf 2N5551.pdf Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
12+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551 2N5551 CDIL 2n5551.pdf 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
125+2.45 грн
150+ 1.93 грн
250+ 1.64 грн
650+ 1.58 грн
1000+ 1.47 грн
5000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 125
2N5551
+1
2N5551 DIOTEC SEMICONDUCTOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
100+3.31 грн
125+ 2.19 грн
500+ 1.66 грн
775+ 1.31 грн
2125+ 1.23 грн
12000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 13716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
29+11.27 грн
39+ 8.25 грн
100+ 5.94 грн
500+ 4.83 грн
1000+ 3.24 грн
4000+ 1.86 грн
8000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 29
2N5551 2N5551 Diotec Electronics 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4808+2.49 грн
6148+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 4808
2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+11.94 грн
29+ 9.99 грн
31+ 9.55 грн
100+ 5.13 грн
250+ 3.8 грн
500+ 3.15 грн
1000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N5551 2N5551 Diotec Semiconductor 2n5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5551 2N5551 MULTICOMP PRO 2861202.pdf Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.22 грн
17+ 46.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5551 2N5551 Lumimax Optoelectronic Technology 2N5551.pdf Description: TRANS NPN EBC 0.6A 160V TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.15V @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+19.29 грн
50+ 15.93 грн
100+ 13.14 грн
200+ 10.59 грн
500+ 9.34 грн
1000+ 7.79 грн
2000+ 5.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N5551 SLKOR 2n5551.pdf 2N5551.pdf Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N5551 MIC 2n5551.pdf 2N5551.pdf NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N5551 HOTTECH 2n5551.pdf 2N5551.pdf NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N5551 JSMicro Semiconductor 2n5551.pdf 2N5551.pdf Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N5551 PBFREE 2N5551 PBFREE Central Semiconductor Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+65.86 грн
10+ 53.17 грн
100+ 35.96 грн
500+ 30.5 грн
1000+ 27.61 грн
2500+ 23.4 грн
10000+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5551 TIN/LEAD 2N5551 TIN/LEAD Central Semiconductor get_document-1510795.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+53.14 грн
10+ 42.94 грн
100+ 29.05 грн
500+ 25.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N5551 TIN/LEAD 2N5551 TIN/LEAD Central Semiconductor Corp 2N5550_2N5551.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.27 грн
10+ 38.6 грн
100+ 30.04 грн
500+ 23.9 грн
1000+ 23.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N5551-T 2N5551-T Rectron Rectron_11_30_2020_2N5551-1951896.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.32 грн
14+ 22.86 грн
100+ 11.25 грн
1000+ 5.73 грн
2000+ 4.9 грн
10000+ 3.93 грн
24000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N5551; биполярный; NPN; 180V; 0.6A; 0.625W; корпус: TO-92; 100Mhz; MIC
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
16+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N5551BU 2N5551BU onsemi technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 395662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.17 грн
25+ 11.5 грн
100+ 5.59 грн
500+ 4.38 грн
1000+ 3.04 грн
2000+ 2.64 грн
5000+ 2.41 грн
10000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2322+5.15 грн
3857+ 3.1 грн
4144+ 2.89 грн
10000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 2322
2N5551BU 2N5551BU ON Semiconductor 2n5551t-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+18.15 грн
48+ 12.56 грн
116+ 5.11 грн
1000+ 2.96 грн
2500+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 33
2N5551
Код товару: 193606
2N5551.pdf
2N5551
Виробник: Hottech
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: THT
у наявності: 1572 шт
Кількість Ціна без ПДВ
3+2 грн
10+ 1.5 грн
100+ 1.3 грн
1000+ 0.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
2N5550 description 2N5550 Rev4.pdf
2N5550
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+2.04 грн
250+ 1.55 грн
275+ 1.37 грн
675+ 1.24 грн
1000+ 1.22 грн
1875+ 1.17 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N5550 description 2N5550.pdf
2N5550
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
145+2.71 грн
265+ 1.38 грн
500+ 1.22 грн
705+ 1.19 грн
1940+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 145
2N5550 description 2N5550 Rev4.pdf
2N5550
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+2.45 грн
150+ 1.93 грн
250+ 1.64 грн
675+ 1.48 грн
1000+ 1.47 грн
1875+ 1.41 грн
5000+ 1.37 грн
Мінімальне замовлення: 125
2N5550 description 2N5550.pdf
2N5550
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
90+3.25 грн
160+ 1.72 грн
500+ 1.47 грн
705+ 1.42 грн
1940+ 1.35 грн
3000+ 1.32 грн
Мінімальне замовлення: 90
2N5550 description 2N5550 Rev4.pdf
Виробник: LGE
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+1.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N5550 PBFREE
2N5550 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 9713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+35.91 грн
11+ 30.71 грн
100+ 19.94 грн
500+ 15.67 грн
1000+ 12.08 грн
2500+ 11.04 грн
10000+ 9.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
2N5550/D26Z FAIRS25003-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550/D26Z
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2N5550G ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550G - 2N5550G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5550RLRA 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550RLRA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6662+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2N5550RLRA ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRA - 2N5550RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N5550RLRAG ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRAG - 2N5550RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N5550RLRAG 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550RLRAG
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6662+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2N5550RLRP ONSMS11151-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRP - 2N5550RLRP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000
2N5550RLRP 2N5550%20Rev4.pdf
2N5550RLRP
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6662+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 6662
2N5550RLRPG 2n5550-d.pdf
2N5550RLRPG
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5550RLRPG ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRPG - 2N5550RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6000+7.51 грн
Мінімальне замовлення: 6000
2N5550TA ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+2.9 грн
6000+ 2.59 грн
10000+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5550TA 2n5550-d.pdf
2N5550TA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1606+7.45 грн
2312+ 5.18 грн
4588+ 2.61 грн
Мінімальне замовлення: 1606
2N5550TA ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.64 грн
18+ 16.17 грн
100+ 7.91 грн
500+ 6.19 грн
1000+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5550TA FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TA
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 33620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7755+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 7755
2N5550TA 2n5550-d.pdf
2N5550TA
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.07 грн
35+ 16.99 грн
100+ 6.92 грн
1000+ 4.64 грн
2000+ 2.16 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N5550TA 2N5550_D-2309758.pdf
2N5550TA
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.97 грн
18+ 18.02 грн
100+ 6.42 грн
1000+ 4.42 грн
2000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5550TA ONSMS13513-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2N5550TA
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+29.73 грн
39+ 19.9 грн
100+ 11.38 грн
500+ 7.26 грн
1000+ 3.65 грн
Мінімальне замовлення: 27
2N5550TAR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TAR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 105642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.89 грн
18+ 16.25 грн
100+ 8.23 грн
500+ 6.3 грн
1000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5550TAR 2N5550_D-2309758.pdf
2N5550TAR
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.25 грн
18+ 17.86 грн
100+ 5.66 грн
1000+ 4.83 грн
2000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5550TAR 2n5550-d.pdf
2N5550TAR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5550TAR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TAR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 134000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+3.06 грн
6000+ 2.82 грн
10000+ 2.68 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5550TF FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13889+2.17 грн
Мінімальне замовлення: 13889
2N5550TF FAIR-S-A0000605469-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TF
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 29681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 11539
2N5550TFR 2n5550-d.pdf
2N5550TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+25.07 грн
36+ 16.82 грн
100+ 6.76 грн
1000+ 4.49 грн
2000+ 2.08 грн
Мінімальне замовлення: 24
2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+2.9 грн
6000+ 2.59 грн
10000+ 2.22 грн
Мінімальне замовлення: 2000
2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 121057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.64 грн
18+ 16.17 грн
100+ 7.91 грн
500+ 6.19 грн
1000+ 4.3 грн
Мінімальне замовлення: 13
2N5550TFR 2N5550_D-2309758.pdf
2N5550TFR
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 9346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.97 грн
18+ 18.02 грн
100+ 6.35 грн
1000+ 4.42 грн
2000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5550TFR ONSM-S-A0003593127-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
2N5550TFR
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 76874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7755+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 7755
2N5550TFR 2n5550-d.pdf
2N5550TFR
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1645+7.28 грн
2385+ 5.02 грн
4762+ 2.51 грн
Мінімальне замовлення: 1645
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+2.76 грн
225+ 1.75 грн
500+ 1.39 грн
775+ 1.09 грн
2125+ 1.03 грн
12000+ 1 грн
Мінімальне замовлення: 150
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf
2N5551
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+2.04 грн
250+ 1.55 грн
275+ 1.37 грн
650+ 1.32 грн
1000+ 1.22 грн
Мінімальне замовлення: 200
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
на замовлення 97 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
97+6.43 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 97
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf
Виробник: Diotec
Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+22.22 грн
Мінімальне замовлення: 12
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf
2N5551
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
125+2.45 грн
150+ 1.93 грн
250+ 1.64 грн
650+ 1.58 грн
1000+ 1.47 грн
5000+ 1.43 грн
Мінімальне замовлення: 125
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+3.31 грн
125+ 2.19 грн
500+ 1.66 грн
775+ 1.31 грн
2125+ 1.23 грн
12000+ 1.2 грн
Мінімальне замовлення: 100
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf
2N5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 13716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
29+11.27 грн
39+ 8.25 грн
100+ 5.94 грн
500+ 4.83 грн
1000+ 3.24 грн
4000+ 1.86 грн
8000+ 1.73 грн
Мінімальне замовлення: 29
2N5551 2n5551.pdf
2N5551
Виробник: Diotec Electronics
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4808+2.49 грн
6148+ 1.95 грн
Мінімальне замовлення: 4808
2N5551 2n5551.pdf
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+11.94 грн
29+ 9.99 грн
31+ 9.55 грн
100+ 5.13 грн
250+ 3.8 грн
500+ 3.15 грн
1000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N5551 2n5551.pdf
2N5551
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2N5551 2861202.pdf
2N5551
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+58.22 грн
17+ 46.61 грн
Мінімальне замовлення: 14
2N5551 2N5551.pdf
2N5551
Виробник: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS NPN EBC 0.6A 160V TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.15V @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+19.29 грн
50+ 15.93 грн
100+ 13.14 грн
200+ 10.59 грн
500+ 9.34 грн
1000+ 7.79 грн
2000+ 5.27 грн
Мінімальне замовлення: 25
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf
Виробник: SLKOR
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.86 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf
Виробник: MIC
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf
Виробник: HOTTECH
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+0.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N5551 2n5551.pdf 2N5551.pdf
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 1000
2N5551 PBFREE
2N5551 PBFREE
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.86 грн
10+ 53.17 грн
100+ 35.96 грн
500+ 30.5 грн
1000+ 27.61 грн
2500+ 23.4 грн
10000+ 23.33 грн
Мінімальне замовлення: 5
2N5551 TIN/LEAD get_document-1510795.pdf
2N5551 TIN/LEAD
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+53.14 грн
10+ 42.94 грн
100+ 29.05 грн
500+ 25.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N5551 TIN/LEAD 2N5550_2N5551.PDF
2N5551 TIN/LEAD
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+49.27 грн
10+ 38.6 грн
100+ 30.04 грн
500+ 23.9 грн
1000+ 23.64 грн
Мінімальне замовлення: 7
2N5551-T Rectron_11_30_2020_2N5551-1951896.pdf
2N5551-T
Виробник: Rectron
Bipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.32 грн
14+ 22.86 грн
100+ 11.25 грн
1000+ 5.73 грн
2000+ 4.9 грн
10000+ 3.93 грн
24000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 11
2N5551; биполярный; NPN; 180V; 0.6A; 0.625W; корпус: TO-92; 100Mhz; MIC
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+42.74 грн
Мінімальне замовлення: 16
2N5551BU technical-documentation?notFound=2N5551-D.PDF
2N5551BU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 395662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.17 грн
25+ 11.5 грн
100+ 5.59 грн
500+ 4.38 грн
1000+ 3.04 грн
2000+ 2.64 грн
5000+ 2.41 грн
10000+ 2.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2322+5.15 грн
3857+ 3.1 грн
4144+ 2.89 грн
10000+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 2322
2N5551BU 2n5551t-d.pdf
2N5551BU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+18.15 грн
48+ 12.56 грн
116+ 5.11 грн
1000+ 2.96 грн
2500+ 2.55 грн
Мінімальне замовлення: 33
Обрати Сторінку:   1 2  Наступна Сторінка >> ]