Результат пошуку "2N55" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 145
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 90
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 11539
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 6000
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 1606
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 7755
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 13889
Мінімальне замовлення: 11539
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 7755
Мінімальне замовлення: 1645
Мінімальне замовлення: 150
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 97
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 29
Мінімальне замовлення: 4808
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 2322
Мінімальне замовлення: 33
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5551 Код товару: 193606 |
Hottech |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A Монтаж: THT |
у наявності: 1572 шт
|
|
|||||||||||||||||
2N5550 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 20...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625/1.5W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 4684 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 20...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 2665 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 20...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625/1.5W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 4684 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 20...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2665 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550 | LGE |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS |
на замовлення 9713 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550/D26Z | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550G - 2N5550G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N5550RLRA | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550RLRA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550RLRA - 2N5550RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550RLRAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550RLRAG - 2N5550RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550RLRAG | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550RLRP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550RLRP - 2N5550RLRP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 164000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550RLRP | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 164000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550RLRPG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N5550RLRPG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550RLRPG - 2N5550RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 29839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TA | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 4831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TA | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 3354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TA | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 33620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 4831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TA | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 8097 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TAR | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 105642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TAR | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 7235 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TAR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N5550TAR | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 134000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 29681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TF | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 29681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TFR | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TFR | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 121057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TFR | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 9346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TFR | Fairchild Semiconductor |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR, Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 76874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5550TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
+1 |
2N5551 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Case: TO92 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz |
на замовлення 24700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N5551 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 30...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625/15W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 | Diotec Semiconductor | Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3 |
на замовлення 97 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 | Diotec | Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 30...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625/15W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
+1 |
2N5551 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Case: TO92 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 24700 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
2N5551 | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN |
на замовлення 13716 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 | Diotec Electronics | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 24700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 | Diotec Semiconductor |
Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 2030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
2N5551 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 65 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 | Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS NPN EBC 0.6A 160V TO-92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.15V @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 | SLKOR |
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 | MIC |
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551 кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 | HOTTECH |
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551 кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 | JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS |
на замовлення 1303 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551-T | Rectron | Bipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V |
на замовлення 8247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551; биполярный; NPN; 180V; 0.6A; 0.625W; корпус: TO-92; 100Mhz; MIC |
на замовлення 16 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
2N5551BU | onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 395662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 19840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
2N5551 Код товару: 193606 |
Виробник: Hottech
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: THT
у наявності: 1572 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.5 грн |
100+ | 1.3 грн |
1000+ | 0.99 грн |
2N5550 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.04 грн |
250+ | 1.55 грн |
275+ | 1.37 грн |
675+ | 1.24 грн |
1000+ | 1.22 грн |
1875+ | 1.17 грн |
2N5550 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
145+ | 2.71 грн |
265+ | 1.38 грн |
500+ | 1.22 грн |
705+ | 1.19 грн |
1940+ | 1.12 грн |
2N5550 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4684 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 2.45 грн |
150+ | 1.93 грн |
250+ | 1.64 грн |
675+ | 1.48 грн |
1000+ | 1.47 грн |
1875+ | 1.41 грн |
5000+ | 1.37 грн |
2N5550 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 5 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2665 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
90+ | 3.25 грн |
160+ | 1.72 грн |
500+ | 1.47 грн |
705+ | 1.42 грн |
1940+ | 1.35 грн |
3000+ | 1.32 грн |
2N5550 |
Виробник: LGE
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
кількість в упаковці: 500 шт
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 1.01 грн |
2N5550 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 9713 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 35.91 грн |
11+ | 30.71 грн |
100+ | 19.94 грн |
500+ | 15.67 грн |
1000+ | 12.08 грн |
2500+ | 11.04 грн |
10000+ | 9.59 грн |
2N5550/D26Z |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 2.07 грн |
2N5550G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550G - 2N5550G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550G - 2N5550G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5550RLRA |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.45 грн |
2N5550RLRA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRA - 2N5550RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550RLRA - 2N5550RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4.34 грн |
2N5550RLRAG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRAG - 2N5550RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550RLRAG - 2N5550RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4.34 грн |
2N5550RLRAG |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.45 грн |
2N5550RLRP |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRP - 2N5550RLRP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550RLRP - 2N5550RLRP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4.34 грн |
2N5550RLRP |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.45 грн |
2N5550RLRPG |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5550RLRPG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRPG - 2N5550RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550RLRPG - 2N5550RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6000+ | 7.51 грн |
2N5550TA |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 2.9 грн |
6000+ | 2.59 грн |
10000+ | 2.22 грн |
2N5550TA |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1606+ | 7.45 грн |
2312+ | 5.18 грн |
4588+ | 2.61 грн |
2N5550TA |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 24.64 грн |
18+ | 16.17 грн |
100+ | 7.91 грн |
500+ | 6.19 грн |
1000+ | 4.3 грн |
2N5550TA |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 33620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7755+ | 2.76 грн |
2N5550TA |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 25.07 грн |
35+ | 16.99 грн |
100+ | 6.92 грн |
1000+ | 4.64 грн |
2000+ | 2.16 грн |
2N5550TA |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.97 грн |
18+ | 18.02 грн |
100+ | 6.42 грн |
1000+ | 4.42 грн |
2000+ | 2.48 грн |
2N5550TA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 29.73 грн |
39+ | 19.9 грн |
100+ | 11.38 грн |
500+ | 7.26 грн |
1000+ | 3.65 грн |
2N5550TAR |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 105642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 23.89 грн |
18+ | 16.25 грн |
100+ | 8.23 грн |
500+ | 6.3 грн |
1000+ | 4.67 грн |
2N5550TAR |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 7235 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 26.25 грн |
18+ | 17.86 грн |
100+ | 5.66 грн |
1000+ | 4.83 грн |
2000+ | 3.04 грн |
2N5550TAR |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5550TAR |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 134000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 3.06 грн |
6000+ | 2.82 грн |
10000+ | 2.68 грн |
2N5550TF |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13889+ | 2.17 грн |
2N5550TF |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 29681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 2.07 грн |
2N5550TFR |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 25.07 грн |
36+ | 16.82 грн |
100+ | 6.76 грн |
1000+ | 4.49 грн |
2000+ | 2.08 грн |
2N5550TFR |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 2.9 грн |
6000+ | 2.59 грн |
10000+ | 2.22 грн |
2N5550TFR |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 121057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 24.64 грн |
18+ | 16.17 грн |
100+ | 7.91 грн |
500+ | 6.19 грн |
1000+ | 4.3 грн |
2N5550TFR |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 9346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.97 грн |
18+ | 18.02 грн |
100+ | 6.35 грн |
1000+ | 4.42 грн |
2000+ | 2.48 грн |
2N5550TFR |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 76874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7755+ | 2.76 грн |
2N5550TFR |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1645+ | 7.28 грн |
2385+ | 5.02 грн |
4762+ | 2.51 грн |
2N5551 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 2.76 грн |
225+ | 1.75 грн |
500+ | 1.39 грн |
775+ | 1.09 грн |
2125+ | 1.03 грн |
12000+ | 1 грн |
2N5551 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 2.04 грн |
250+ | 1.55 грн |
275+ | 1.37 грн |
650+ | 1.32 грн |
1000+ | 1.22 грн |
2N5551 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
на замовлення 97 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
97+ | 6.43 грн |
100+ | 6.24 грн |
2N5551 |
Виробник: Diotec
Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 22.22 грн |
2N5551 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 2.45 грн |
150+ | 1.93 грн |
250+ | 1.64 грн |
650+ | 1.58 грн |
1000+ | 1.47 грн |
5000+ | 1.43 грн |
2N5551 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 25 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 3.31 грн |
125+ | 2.19 грн |
500+ | 1.66 грн |
775+ | 1.31 грн |
2125+ | 1.23 грн |
12000+ | 1.2 грн |
2N5551 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 13716 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 11.27 грн |
39+ | 8.25 грн |
100+ | 5.94 грн |
500+ | 4.83 грн |
1000+ | 3.24 грн |
4000+ | 1.86 грн |
8000+ | 1.73 грн |
2N5551 |
Виробник: Diotec Electronics
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 24700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4808+ | 2.49 грн |
6148+ | 1.95 грн |
2N5551 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.94 грн |
29+ | 9.99 грн |
31+ | 9.55 грн |
100+ | 5.13 грн |
250+ | 3.8 грн |
500+ | 3.15 грн |
1000+ | 2.12 грн |
2N5551 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5551 |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 58.22 грн |
17+ | 46.61 грн |
2N5551 |
Виробник: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS NPN EBC 0.6A 160V TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.15V @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Description: TRANS NPN EBC 0.6A 160V TO-92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.15V @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 19.29 грн |
50+ | 15.93 грн |
100+ | 13.14 грн |
200+ | 10.59 грн |
500+ | 9.34 грн |
1000+ | 7.79 грн |
2000+ | 5.27 грн |
2N5551 |
Виробник: SLKOR
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 0.86 грн |
2N5551 |
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 0.88 грн |
2N5551 |
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 0.88 грн |
2N5551 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 1.14 грн |
2N5551 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 1303 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 65.86 грн |
10+ | 53.17 грн |
100+ | 35.96 грн |
500+ | 30.5 грн |
1000+ | 27.61 грн |
2500+ | 23.4 грн |
10000+ | 23.33 грн |
2N5551 TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 53.14 грн |
10+ | 42.94 грн |
100+ | 29.05 грн |
500+ | 25.33 грн |
2N5551 TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 49.27 грн |
10+ | 38.6 грн |
100+ | 30.04 грн |
500+ | 23.9 грн |
1000+ | 23.64 грн |
2N5551-T |
Виробник: Rectron
Bipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V
Bipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V
на замовлення 8247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 31.32 грн |
14+ | 22.86 грн |
100+ | 11.25 грн |
1000+ | 5.73 грн |
2000+ | 4.9 грн |
10000+ | 3.93 грн |
24000+ | 3.66 грн |
2N5551; биполярный; NPN; 180V; 0.6A; 0.625W; корпус: TO-92; 100Mhz; MIC |
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 42.74 грн |
2N5551BU |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 395662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 17.17 грн |
25+ | 11.5 грн |
100+ | 5.59 грн |
500+ | 4.38 грн |
1000+ | 3.04 грн |
2000+ | 2.64 грн |
5000+ | 2.41 грн |
10000+ | 2.07 грн |
2N5551BU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 19840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2322+ | 5.15 грн |
3857+ | 3.1 грн |
4144+ | 2.89 грн |
10000+ | 2.55 грн |
2N5551BU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
33+ | 18.15 грн |
48+ | 12.56 грн |
116+ | 5.11 грн |
1000+ | 2.96 грн |
2500+ | 2.55 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]