Результат пошуку "10N6" : > 180

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
RTS6BS10N6S03 RTS6BS10N6S03 Amphenol SINE Systems RTS6BS10N6S03.pdf Standard Circular Connector PLUG BCK SHELL SZ 10 6POS SOCKET
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+890.61 грн
10+ 719.96 грн
50+ 569.51 грн
100+ 568.16 грн
200+ 562.1 грн
500+ 514.3 грн
1000+ 510.94 грн
RTS710N6P03 RTS710N6P03 AMPHENOL Ecomate_Aquarius.pdf RTS710N6P03.pdf Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; socket; for panel mounting,front side nut
Type of connector: circular
Connector: socket
Connector series: eco|mate Aquarius
Kind of connector: male
Number of pins: 6
Connector variant: w/o contacts
Connector pinout layout: 10-6
IP rating: IP68; IP69K
Mechanical mounting: for panel mounting; front side nut
Rated voltage: 0.25kV
Connectors application: terminals, size 20
Operating temperature: -40...125°C
Case: size 10
Maximum current: 7.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+382.41 грн
4+ 288.36 грн
10+ 262.54 грн
50+ 258.33 грн
100+ 252.44 грн
RTS710N6S03 RTS710N6S03 Amphenol Sine Systems Corp RTS710N6S03.pdf Description: CONN RCPT HSNG FMALE 6POS PNL MT
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle Housing
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 6
Type: For Female Sockets
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 10-6
Contact Type: Crimp
Fastening Type: Bayonet Lock
Ingress Protection: IP67/IP69K - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Contact Size: 20
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut
Housing Color: Black
Part Status: Active
Shell Material: Thermoplastic
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+591.37 грн
25+ 520.05 грн
50+ 488.32 грн
100+ 430.29 грн
200+ 374.17 грн
500+ 340.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIHJ10N60E-T1-GE3 SIHJ10N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj10n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHJ10N60E-T1-GE3 SIHJ10N60E-T1-GE3 Vishay Semiconductors sihj10n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 3587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.2 грн
10+ 167.99 грн
100+ 115.79 грн
250+ 107.03 грн
500+ 96.94 грн
1000+ 83.47 грн
3000+ 82.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHJ10N60E-T1-GE3 SIHJ10N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihj10n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 100 V
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.51 грн
10+ 153.36 грн
100+ 122.07 грн
500+ 96.93 грн
1000+ 82.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB10N60M2 STB10N60M2 STMicroelectronics stp10n60m2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.16 грн
10+ 102.45 грн
100+ 81.53 грн
500+ 64.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD10N60DM2 STD10N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299236.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.22 грн
10+ 79.52 грн
100+ 61.84 грн
500+ 49.19 грн
1000+ 40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD10N60M2 STD10N60M2 STMicroelectronics std10n60m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+97.42 грн
10+ 74.33 грн
15+ 57.5 грн
40+ 54.7 грн
500+ 52.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD10N60M2 STD10N60M2 STMicroelectronics std10n60m2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+116.9 грн
10+ 92.63 грн
15+ 69 грн
40+ 65.63 грн
500+ 63.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD10N60M2 STD10N60M2 STMicroelectronics stp10n60m2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD10N60M2 STD10N60M2 STMicroelectronics stp10n60m2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+104.86 грн
10+ 82.81 грн
100+ 64.41 грн
500+ 51.23 грн
1000+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD10N60M2 STD10N60M2 STMicroelectronics stb10n60m2-1850076.pdf MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 19233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+112.31 грн
10+ 91.35 грн
100+ 61.39 грн
500+ 52.04 грн
1000+ 42.41 грн
2500+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N60DM2 STF10N60DM2 STMicroelectronics en.DM00299235.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.09 грн
50+ 56.15 грн
100+ 46.2 грн
500+ 39.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF10N60M2 STF10N60M2 STMicroelectronics en.DM00086387.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.36 грн
50+ 55.55 грн
100+ 44.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF10N65K3 STMicroelectronics en.CD00235865.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+96.66 грн
10+ 81.34 грн
16+ 51.89 грн
44+ 49.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10N65K3 STMicroelectronics en.CD00235865.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+115.99 грн
10+ 101.36 грн
16+ 62.27 грн
44+ 58.9 грн
1000+ 57.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N65K3 STF10N65K3 STMicroelectronics en.CD00235865.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.7 грн
50+ 91.66 грн
100+ 75.42 грн
500+ 59.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL10N65M2 STL10N65M2 STMicroelectronics stl10n65m2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.96 грн
10+ 86.67 грн
100+ 67.4 грн
500+ 53.61 грн
1000+ 43.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL10N65M2 STL10N65M2 STMicroelectronics stl10n65m2.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL10N65M2 STL10N65M2 STMicroelectronics stl10n65m2-1851215.pdf MOSFET N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+117.81 грн
10+ 95.22 грн
100+ 64.49 грн
500+ 54.39 грн
1000+ 44.29 грн
3000+ 41.74 грн
6000+ 39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP10N60M2 STP10N60M2 STMicroelectronics stb10n60m2-1850076.pdf MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.95 грн
10+ 64.49 грн
100+ 48.67 грн
500+ 43.55 грн
1000+ 38.44 грн
2000+ 35.88 грн
5000+ 35.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP10N60M2 STP10N60M2 STMicroelectronics stp10n60m2.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+100.49 грн
50+ 77.32 грн
100+ 61.27 грн
500+ 48.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK110N65Z,S1F TK110N65Z,S1F Toshiba TK110N65Z_datasheet_en_20190927-1928394.pdf MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+400.54 грн
10+ 342.17 грн
30+ 198.59 грн
120+ 197.91 грн
270+ 197.24 грн
510+ 196.57 грн
1020+ 181.76 грн
WMF10N60C2 WMF10N60C2 WAYON WMF10N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+44.55 грн
10+ 37.38 грн
12+ 31.27 грн
25+ 27.63 грн
39+ 21.46 грн
106+ 20.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
WMF10N60C2 WMF10N60C2 WAYON WMF10N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 651 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
6+46.58 грн
10+ 37.53 грн
25+ 33.15 грн
39+ 25.75 грн
106+ 24.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
WML10N60C4 WML10N60C4 WAYON Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+58.28 грн
10+ 47.21 грн
25+ 40.9 грн
67+ 38.62 грн
250+ 37.53 грн
500+ 37.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM10N60C2 WMM10N60C2 WAYON WMx10N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 583 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.43 грн
6+ 45.09 грн
25+ 38.37 грн
30+ 33.07 грн
82+ 31.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM10N65C2 WMM10N65C2 WAYON WMx10N65C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 632 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.43 грн
6+ 45.79 грн
25+ 38.96 грн
29+ 34.25 грн
80+ 32.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMN10N60C2 WMN10N60C2 WAYON WMx10N60C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.43 грн
6+ 45.09 грн
25+ 38.37 грн
30+ 33.07 грн
82+ 31.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMN10N65C2 WMN10N65C2 WAYON WMx10N65C2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+63.43 грн
6+ 45.79 грн
25+ 38.96 грн
29+ 34.25 грн
80+ 32.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMO10N60C2 WMO10N60C2 WAYON WMx10N60C2.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
7+42.59 грн
8+ 36 грн
25+ 30.97 грн
37+ 26.67 грн
102+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
Транзистор польовий FQP10N60C 9.5A 600V N-ch TO-220
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
5+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
1210N6R0D501NT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3806/GB10N60L 07+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7A10N-680K-T N/A 2006
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
86C260-10-N6AOIB S3 BGA
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C1210N683M5XPC KEMET
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CIL10N68NMNC ИэРЗ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
F10N60 WXDH Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP F10N60 DONGHAI TDHF10n60
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
FCH110N65F-F155 ON Semiconductor fch110n65f-d.pdf
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCP110N65F ON Semiconductor fcp110n65f-d.pdf
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60C Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60C fairchild to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60C FAIRCHILD 07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60C FAIRCHILD SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60C FAIRCHILD TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60CTM Fairchild FQB10N60C%2C%20FQI10N60C.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP10N60C FSC fqp10n60c-d.pdf 09+ SSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF10N60
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G10N60RUF
на замовлення 615 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G10N60RUFD
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKA10N60T Infineon technologies INFNS30097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw description
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKB10N60T INF TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K10N60 INFINEON TO220/
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
M29W640D-110N6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
M30LW128D110N6 ST M30LW128D.pdf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
M58LW032D-110N6 ST 06+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
M58LW032D-110N6 ST TSOP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
M58LW032D-110N6 ST TSOP56
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RTS6BS10N6S03 RTS6BS10N6S03.pdf
RTS6BS10N6S03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector PLUG BCK SHELL SZ 10 6POS SOCKET
на замовлення 192 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+890.61 грн
10+ 719.96 грн
50+ 569.51 грн
100+ 568.16 грн
200+ 562.1 грн
500+ 514.3 грн
1000+ 510.94 грн
RTS710N6P03 Ecomate_Aquarius.pdf RTS710N6P03.pdf
RTS710N6P03
Виробник: AMPHENOL
Category: AMPHENOL connectors
Description: Connector: circular; socket; for panel mounting,front side nut
Type of connector: circular
Connector: socket
Connector series: eco|mate Aquarius
Kind of connector: male
Number of pins: 6
Connector variant: w/o contacts
Connector pinout layout: 10-6
IP rating: IP68; IP69K
Mechanical mounting: for panel mounting; front side nut
Rated voltage: 0.25kV
Connectors application: terminals, size 20
Operating temperature: -40...125°C
Case: size 10
Maximum current: 7.5A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+382.41 грн
4+ 288.36 грн
10+ 262.54 грн
50+ 258.33 грн
100+ 252.44 грн
RTS710N6S03 RTS710N6S03.pdf
RTS710N6S03
Виробник: Amphenol Sine Systems Corp
Description: CONN RCPT HSNG FMALE 6POS PNL MT
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle Housing
Mounting Type: Panel Mount
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 6
Type: For Female Sockets
Orientation: N (Normal)
Shell Size - Insert: 10-6
Contact Type: Crimp
Fastening Type: Bayonet Lock
Ingress Protection: IP67/IP69K - Dust Tight, Water Resistant, Waterproof
Contact Size: 20
Material Flammability Rating: UL94 V-0
Mounting Feature: Bulkhead - Front Side Nut
Housing Color: Black
Part Status: Active
Shell Material: Thermoplastic
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+591.37 грн
25+ 520.05 грн
50+ 488.32 грн
100+ 430.29 грн
200+ 374.17 грн
500+ 340.15 грн
Мінімальне замовлення: 10
SIHJ10N60E-T1-GE3 sihj10n60e.pdf
SIHJ10N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHJ10N60E-T1-GE3 sihj10n60e.pdf
SIHJ10N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs PowerPAK SO-8L
на замовлення 3587 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.2 грн
10+ 167.99 грн
100+ 115.79 грн
250+ 107.03 грн
500+ 96.94 грн
1000+ 83.47 грн
3000+ 82.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHJ10N60E-T1-GE3 sihj10n60e.pdf
SIHJ10N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 10A PPAK SO-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: PowerPAK® SO-8
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® SO-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 784 pF @ 100 V
на замовлення 4168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+191.51 грн
10+ 153.36 грн
100+ 122.07 грн
500+ 96.93 грн
1000+ 82.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
STB10N60M2 stp10n60m2.pdf
STB10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+128.16 грн
10+ 102.45 грн
100+ 81.53 грн
500+ 64.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD10N60DM2 en.DM00299236.pdf
STD10N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 8A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
на замовлення 2390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.22 грн
10+ 79.52 грн
100+ 61.84 грн
500+ 49.19 грн
1000+ 40.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD10N60M2 std10n60m2.pdf
STD10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+97.42 грн
10+ 74.33 грн
15+ 57.5 грн
40+ 54.7 грн
500+ 52.59 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD10N60M2 std10n60m2.pdf
STD10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.9A; 85W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.9A
Power dissipation: 85W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2427 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.9 грн
10+ 92.63 грн
15+ 69 грн
40+ 65.63 грн
500+ 63.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD10N60M2 stp10n60m2.pdf
STD10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+43.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD10N60M2 stp10n60m2.pdf
STD10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+104.86 грн
10+ 82.81 грн
100+ 64.41 грн
500+ 51.23 грн
1000+ 41.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD10N60M2 stb10n60m2-1850076.pdf
STD10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 19233 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.31 грн
10+ 91.35 грн
100+ 61.39 грн
500+ 52.04 грн
1000+ 42.41 грн
2500+ 37.63 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N60DM2 en.DM00299235.pdf
STF10N60DM2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 100 V
на замовлення 1362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.09 грн
50+ 56.15 грн
100+ 46.2 грн
500+ 39.14 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF10N60M2 en.DM00086387.pdf
STF10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.36 грн
50+ 55.55 грн
100+ 44.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
STF10N65K3 en.CD00235865.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.66 грн
10+ 81.34 грн
16+ 51.89 грн
44+ 49.09 грн
Мінімальне замовлення: 4
STF10N65K3 en.CD00235865.pdf
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 97 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.99 грн
10+ 101.36 грн
16+ 62.27 грн
44+ 58.9 грн
1000+ 57.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STF10N65K3 en.CD00235865.pdf
STF10N65K3
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.7 грн
50+ 91.66 грн
100+ 75.42 грн
500+ 59.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL10N65M2 stl10n65m2.pdf
STL10N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.96 грн
10+ 86.67 грн
100+ 67.4 грн
500+ 53.61 грн
1000+ 43.67 грн
Мінімальне замовлення: 3
STL10N65M2 stl10n65m2.pdf
STL10N65M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+45.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000
STL10N65M2 stl10n65m2-1851215.pdf
STL10N65M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.81 грн
10+ 95.22 грн
100+ 64.49 грн
500+ 54.39 грн
1000+ 44.29 грн
3000+ 41.74 грн
6000+ 39.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
STP10N60M2 stb10n60m2-1850076.pdf
STP10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-CH 600V 0.56Ohm 7.5A MDmesh M2
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.95 грн
10+ 64.49 грн
100+ 48.67 грн
500+ 43.55 грн
1000+ 38.44 грн
2000+ 35.88 грн
5000+ 35.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
STP10N60M2 stp10n60m2.pdf
STP10N60M2
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+100.49 грн
50+ 77.32 грн
100+ 61.27 грн
500+ 48.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
TK110N65Z,S1F TK110N65Z_datasheet_en_20190927-1928394.pdf
TK110N65Z,S1F
Виробник: Toshiba
MOSFET MOSFET 650V 110mOhms DTMOS-VI
на замовлення 1061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+400.54 грн
10+ 342.17 грн
30+ 198.59 грн
120+ 197.91 грн
270+ 197.24 грн
510+ 196.57 грн
1020+ 181.76 грн
WMF10N60C2 WMF10N60C2.pdf
WMF10N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 651 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+44.55 грн
10+ 37.38 грн
12+ 31.27 грн
25+ 27.63 грн
39+ 21.46 грн
106+ 20.27 грн
Мінімальне замовлення: 9
WMF10N60C2 WMF10N60C2.pdf
WMF10N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 720mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 651 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+46.58 грн
10+ 37.53 грн
25+ 33.15 грн
39+ 25.75 грн
106+ 24.32 грн
Мінімальне замовлення: 6
WML10N60C4
WML10N60C4
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C4; unipolar; 600V; 4.8A; Idm: 19A; 27W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C4
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.8A
Pulsed drain current: 19A
Power dissipation: 27W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 9.6nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+58.28 грн
10+ 47.21 грн
25+ 40.9 грн
67+ 38.62 грн
250+ 37.53 грн
500+ 37.11 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM10N60C2 WMx10N60C2.pdf
WMM10N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 583 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.43 грн
6+ 45.09 грн
25+ 38.37 грн
30+ 33.07 грн
82+ 31.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMM10N65C2 WMx10N65C2.pdf
WMM10N65C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 632 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.43 грн
6+ 45.79 грн
25+ 38.96 грн
29+ 34.25 грн
80+ 32.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMN10N60C2 WMx10N60C2.pdf
WMN10N60C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.43 грн
6+ 45.09 грн
25+ 38.37 грн
30+ 33.07 грн
82+ 31.3 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMN10N65C2 WMx10N65C2.pdf
WMN10N65C2
Виробник: WAYON
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 650V; 8A; 57W; TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+63.43 грн
6+ 45.79 грн
25+ 38.96 грн
29+ 34.25 грн
80+ 32.31 грн
Мінімальне замовлення: 5
WMO10N60C2 WMx10N60C2.pdf
WMO10N60C2
Виробник: WAYON
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; WMOS™ C2; unipolar; 600V; 8A; 57W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: WMOS™ C2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8A
Power dissipation: 57W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.69Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+42.59 грн
8+ 36 грн
25+ 30.97 грн
37+ 26.67 грн
102+ 25.24 грн
Мінімальне замовлення: 7
Транзистор польовий FQP10N60C 9.5A 600V N-ch TO-220
на замовлення 30 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+38.59 грн
Мінімальне замовлення: 5
1210N6R0D501NT
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
3806/GB10N60L
07+
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
7A10N-680K-T
Виробник: N/A
2006
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
86C260-10-N6AOIB
Виробник: S3
BGA
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
C1210N683M5XPC
Виробник: KEMET
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
CIL10N68NMNC
Виробник: ИэРЗ
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
F10N60
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 900mOhm; 10A; 40W; -55°C ~ 150°C; Similar to: STP10NK60ZFP F10N60 DONGHAI TDHF10n60
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
FCH110N65F-F155 fch110n65f-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 440 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FCP110N65F fcp110n65f-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 715 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60C
Виробник: Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60C
Виробник: fairchild
to-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60C
Виробник: FAIRCHILD
07+ SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60C
Виробник: FAIRCHILD
SOT-263
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60C
Виробник: FAIRCHILD
TO-263
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQB10N60CTM FQB10N60C%2C%20FQI10N60C.pdf
Виробник: Fairchild
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP10N60C fqp10n60c-d.pdf
Виробник: FSC
09+ SSOP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQPF10N60
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G10N60RUF
на замовлення 615 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G10N60RUFD
на замовлення 2121 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKA10N60T description INFNS30097-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKB10N60T
Виробник: INF
TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
K10N60
Виробник: INFINEON
TO220/
на замовлення 343 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
M29W640D-110N6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
M30LW128D110N6 M30LW128D.pdf
Виробник: ST
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
M58LW032D-110N6
Виробник: ST
06+
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
M58LW032D-110N6
Виробник: ST
TSOP
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
M58LW032D-110N6
Виробник: ST
TSOP56
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]