Результат пошуку "10N6" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
10N65 10N65 LUGUANG ELECTRONIC 10N65.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
10N65 LGE Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
10N60
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOT10N60 AOT10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.56 грн
6+ 68.02 грн
15+ 58.2 грн
39+ 55.4 грн
100+ 53.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOT10N60 AOT10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOT10N60.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+97.87 грн
5+ 84.76 грн
15+ 69.84 грн
39+ 66.48 грн
100+ 64.79 грн
500+ 63.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOT10N60 AOT10N60 Alpha & Omega Semiconductor Inc. AOT10N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+73.55 грн
50+ 57.22 грн
100+ 47.09 грн
500+ 39.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOT10N65 AOT10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.29 грн
6+ 66.62 грн
15+ 57.5 грн
40+ 53.99 грн
100+ 53.29 грн
500+ 51.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOT10N65 AOT10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 589 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+95.15 грн
5+ 83.01 грн
15+ 69 грн
40+ 64.79 грн
100+ 63.95 грн
500+ 62.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOT10N65 ALPHA&OMEGA TO220.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOTF10N60 AOTF10N60 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR TO220F.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 863 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+99.68 грн
5+ 86.51 грн
15+ 69 грн
40+ 65.63 грн
500+ 63.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOTF10N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF10N60 ALPHA&OMEGA TO220F.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF10N65 AOTF10N65 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR AOTF10N65-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 622 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+96.06 грн
5+ 83.01 грн
15+ 68.16 грн
40+ 63.95 грн
500+ 62.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+59.66 грн
10+ 38.57 грн
25+ 34.78 грн
31+ 26.86 грн
85+ 25.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
BXP10N65CF BXP10N65CF BRIDGELUX BXP10N65C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 919 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.59 грн
6+ 48.06 грн
25+ 41.74 грн
31+ 32.23 грн
85+ 30.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCB110N65F FCB110N65F onsemi / Fairchild FCB110N65F_D-2311673.pdf MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+410.75 грн
10+ 353.01 грн
25+ 290.81 грн
100+ 265.9 грн
250+ 263.21 грн
500+ 250.42 грн
800+ 206.66 грн
FCB110N65F FCB110N65F onsemi fcb110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+412.16 грн
10+ 340.44 грн
100+ 283.67 грн
FCB110N65F FCB110N65F onsemi fcb110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+259.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCH110N65F-F155 FCH110N65F-F155 onsemi fch110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.1 грн
30+ 395.05 грн
120+ 353.47 грн
510+ 292.69 грн
FCH110N65F-F155 FCH110N65F-F155 onsemi / Fairchild FCH110N65F_D-2311796.pdf MOSFET SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+550.54 грн
10+ 499.33 грн
25+ 354.76 грн
100+ 336.59 грн
250+ 315.72 грн
450+ 297.54 грн
900+ 280.71 грн
FCP110N65F FCP110N65F onsemi fcp110n65f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.85 грн
50+ 239.22 грн
100+ 205.04 грн
500+ 188.2 грн
FDBL0110N60 FDBL0110N60 onsemi fdbl0110n60-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.35 грн
10+ 341.43 грн
100+ 276.19 грн
500+ 230.39 грн
1000+ 197.28 грн
FLS010N6P03 FLS010N6P03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+545.05 грн
10+ 468.36 грн
100+ 345.34 грн
200+ 330.53 грн
500+ 311.01 грн
1000+ 272.64 грн
2500+ 258.5 грн
FLS010N6P03-PM FLS010N6P03-PM Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+574.11 грн
10+ 488.49 грн
50+ 410.64 грн
100+ 389.77 грн
250+ 348.7 грн
500+ 327.84 грн
1000+ 287.45 грн
FLS010N6PHEC03 FLS010N6PHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+838.77 грн
10+ 732.35 грн
50+ 594.41 грн
100+ 555.37 грн
250+ 506.23 грн
500+ 473.24 грн
1000+ 434.2 грн
FLS010N6S03 FLS010N6S03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+683.27 грн
10+ 606.16 грн
50+ 496.13 грн
100+ 471.22 грн
250+ 420.06 грн
500+ 394.48 грн
1000+ 348.7 грн
FLS010N6S03-PM FLS010N6S03-PM Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+563.9 грн
10+ 507.84 грн
50+ 374.28 грн
100+ 329.18 грн
250+ 292.16 грн
500+ 261.86 грн
FLS010N6SHEC03 FLS010N6SHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+812.07 грн
10+ 754.02 грн
50+ 556.71 грн
100+ 475.93 грн
250+ 403.9 грн
500+ 393.81 грн
FLS610N6PHEC03 FLS610N6PHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 7 POS PLUG
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+925.95 грн
10+ 843.82 грн
50+ 622.69 грн
100+ 517 грн
200+ 508.25 грн
500+ 502.19 грн
1000+ 494.78 грн
FLS610N6SHEC03 FLS610N6SHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 7 POS PLUG
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1039.04 грн
10+ 945.24 грн
50+ 697.41 грн
100+ 595.76 грн
250+ 576.91 грн
500+ 564.79 грн
1000+ 549.98 грн
FLS6BS10N6P03 FLS6BS10N6P03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS PLUG
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+951.08 грн
10+ 830.66 грн
50+ 674.52 грн
100+ 629.42 грн
250+ 574.22 грн
500+ 537.19 грн
1000+ 492.76 грн
FLS6BS10N6S03 FLS6BS10N6S03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS PLUG
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1090.09 грн
10+ 952.2 грн
50+ 773.48 грн
100+ 721.64 грн
250+ 658.36 грн
500+ 615.95 грн
1000+ 565.47 грн
FLS710N6P03 FLS710N6P03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+819.14 грн
10+ 745.51 грн
50+ 549.98 грн
100+ 455.07 грн
250+ 446.99 грн
500+ 441.6 грн
1000+ 434.87 грн
FLS710N6PHEC03 FLS710N6PHEC03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1175.7 грн
10+ 1070.65 грн
50+ 789.63 грн
100+ 778.19 грн
250+ 641.53 грн
500+ 633.46 грн
1000+ 624.03 грн
FLS710N6S03 FLS710N6S03 Amphenol SINE Systems Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+837.2 грн
10+ 781.89 грн
50+ 576.91 грн
100+ 460.45 грн
200+ 440.26 грн
500+ 430.16 грн
1000+ 414.68 грн
FN2010N-60-24 FN2010N-60-24 Schaffner EMC Inc. Schaffner_datasheet_FN2010.pdf Description: LINE FILTER 250VDC/VAC 60A CHAS
Packaging: Box
Inductance: 1mH
Filter Type: Single Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -25°C ~ 100°C
Termination Style: Threaded Post (M6)
Applications: General Purpose
Approval Agency: CE, CSA, ENEC, UR
Voltage - Rated DC: 250V
Voltage - Rated AC: 250V
Frequency - Operating: DC ~ 400Hz
Part Status: Active
Current: 60 A
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8328.34 грн
10+ 7743.11 грн
25+ 7466.59 грн
IGB10N60T IGB10N60T Infineon Technologies Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN-1226697.pdf IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+109.95 грн
10+ 89.03 грн
100+ 60.38 грн
500+ 51.23 грн
1000+ 41.67 грн
2000+ 39.25 грн
5000+ 37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+83.07 грн
6+ 69.42 грн
15+ 55.4 грн
41+ 52.59 грн
250+ 51.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGB10N60T-DTE.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 645 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+99.68 грн
5+ 86.51 грн
15+ 66.48 грн
41+ 63.11 грн
250+ 61.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.4 грн
10+ 81.48 грн
100+ 63.34 грн
500+ 50.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+45.42 грн
2000+ 41.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB10N60TATMA1 IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB10N60TATMA1 Infineon IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92 IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGD10N65T6ARMA1 IGD10N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon_IGD10N65T6_DataSheet_v02_03_EN-3361917.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.5 грн
10+ 120.77 грн
100+ 88.19 грн
250+ 84.82 грн
500+ 74.72 грн
1000+ 68.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.68 грн
5+ 81.34 грн
10+ 73.63 грн
13+ 68.02 грн
34+ 63.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGP10N60T-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+101.36 грн
10+ 88.35 грн
13+ 81.62 грн
34+ 76.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60TXKSA1 Infineon Technologies IGP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b847bd617897 Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+103.4 грн
50+ 80.09 грн
100+ 65.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA10N60TXKSA1 IKA10N60TXKSA1 Infineon Technologies 1957ika10n60t_rev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004file.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.7A 30000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.56 грн
6+ 68.72 грн
13+ 67.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA10N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+97.87 грн
5+ 85.64 грн
13+ 80.78 грн
20+ 75.73 грн
100+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6XKSA2 Infineon Technologies infineon-ika10n65et6-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 15A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKB10N60T IKB10N60T Infineon Technologies Infineon_IKB10N60T_DS_v02_06_EN-1226996.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.94 грн
10+ 108.38 грн
100+ 75.4 грн
250+ 69.34 грн
500+ 62.61 грн
1000+ 53.58 грн
2000+ 50.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.81 грн
5+ 98.87 грн
11+ 81.34 грн
28+ 77.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB10N60T.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 774 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+141.37 грн
5+ 123.21 грн
11+ 97.61 грн
28+ 92.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB10N60TATMA1 IKB10N60TATMA1 Infineon Technologies 5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5df8088c02fd Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.39 грн
10+ 75.24 грн
100+ 58.53 грн
500+ 46.56 грн
1000+ 37.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD10N60RATMA1 IKD10N60RATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD10N60R_DS_v02_05_EN-1731586.pdf IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.31 грн
10+ 82.06 грн
100+ 54.59 грн
500+ 46.05 грн
1000+ 38.24 грн
2500+ 36.22 грн
5000+ 34.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23 Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23 Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.01 грн
10+ 65.35 грн
100+ 50.82 грн
500+ 40.42 грн
1000+ 32.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD10N60RC2ATMA1 IKD10N60RC2ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKD10N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362116.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+76.73 грн
10+ 62.47 грн
100+ 43.89 грн
500+ 38.24 грн
1000+ 32.85 грн
2500+ 31.5 грн
5000+ 29.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
10N65 10N65.pdf
10N65
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; 27.5W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Power dissipation: 27.5W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.63Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
10N65
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+22.58 грн
Мінімальне замовлення: 30
10N60
на замовлення 8995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
AOT10N60 AOT10N60.pdf
AOT10N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.56 грн
6+ 68.02 грн
15+ 58.2 грн
39+ 55.4 грн
100+ 53.99 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOT10N60 AOT10N60.pdf
AOT10N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.87 грн
5+ 84.76 грн
15+ 69.84 грн
39+ 66.48 грн
100+ 64.79 грн
500+ 63.95 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOT10N60 AOT10N60.pdf
AOT10N60
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+73.55 грн
50+ 57.22 грн
100+ 47.09 грн
500+ 39.9 грн
Мінімальне замовлення: 4
AOT10N65 TO220.pdf
AOT10N65
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+79.29 грн
6+ 66.62 грн
15+ 57.5 грн
40+ 53.99 грн
100+ 53.29 грн
500+ 51.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
AOT10N65 TO220.pdf
AOT10N65
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 589 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+95.15 грн
5+ 83.01 грн
15+ 69 грн
40+ 64.79 грн
100+ 63.95 грн
500+ 62.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOT10N65 TO220.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 1Ohm; 10A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT10N65 TAOT10n65
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
AOTF10N60 TO220F.pdf
AOTF10N60
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.4A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.4A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 31.1nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 863 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.68 грн
5+ 86.51 грн
15+ 69 грн
40+ 65.63 грн
500+ 63.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
AOTF10N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF10N60 TO220F.pdf
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 750mOhm; 10A; 50W; -55°C ~ 150°C; AOTF10N60 TAOTF10n60
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+56.26 грн
Мінімальне замовлення: 10
AOTF10N65 AOTF10N65-DTE.pdf
AOTF10N65
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 6.2A; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 6.2A
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 27.7nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 622 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.06 грн
5+ 83.01 грн
15+ 68.16 грн
40+ 63.95 грн
500+ 62.27 грн
Мінімальне замовлення: 3
BXP10N65CF BXP10N65C.pdf
BXP10N65CF
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 919 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+59.66 грн
10+ 38.57 грн
25+ 34.78 грн
31+ 26.86 грн
85+ 25.38 грн
Мінімальне замовлення: 7
BXP10N65CF BXP10N65C.pdf
BXP10N65CF
Виробник: BRIDGELUX
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; Idm: 40A; 48W; TO220F
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 48W
Case: TO220F
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 919 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.59 грн
6+ 48.06 грн
25+ 41.74 грн
31+ 32.23 грн
85+ 30.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
FCB110N65F FCB110N65F_D-2311673.pdf
FCB110N65F
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFE II, FRFET®, 650 V, 35 A, 110 mohm, D2-PAK
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+410.75 грн
10+ 353.01 грн
25+ 290.81 грн
100+ 265.9 грн
250+ 263.21 грн
500+ 250.42 грн
800+ 206.66 грн
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
FCB110N65F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+412.16 грн
10+ 340.44 грн
100+ 283.67 грн
FCB110N65F fcb110n65f-d.pdf
FCB110N65F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+259.92 грн
Мінімальне замовлення: 800
FCH110N65F-F155 fch110n65f-d.pdf
FCH110N65F-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+514.1 грн
30+ 395.05 грн
120+ 353.47 грн
510+ 292.69 грн
FCH110N65F-F155 FCH110N65F_D-2311796.pdf
FCH110N65F-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET SuperFET2 650V, 110 mOhm, FRFET
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+550.54 грн
10+ 499.33 грн
25+ 354.76 грн
100+ 336.59 грн
250+ 315.72 грн
450+ 297.54 грн
900+ 280.71 грн
FCP110N65F fcp110n65f-d.pdf
FCP110N65F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 35A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 145 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4895 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+313.85 грн
50+ 239.22 грн
100+ 205.04 грн
500+ 188.2 грн
FDBL0110N60 fdbl0110n60-d.pdf
FDBL0110N60
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 300A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 429W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13650 pF @ 30 V
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+422.35 грн
10+ 341.43 грн
100+ 276.19 грн
500+ 230.39 грн
1000+ 197.28 грн
FLS010N6P03
FLS010N6P03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+545.05 грн
10+ 468.36 грн
100+ 345.34 грн
200+ 330.53 грн
500+ 311.01 грн
1000+ 272.64 грн
2500+ 258.5 грн
FLS010N6P03-PM
FLS010N6P03-PM
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+574.11 грн
10+ 488.49 грн
50+ 410.64 грн
100+ 389.77 грн
250+ 348.7 грн
500+ 327.84 грн
1000+ 287.45 грн
FLS010N6PHEC03
FLS010N6PHEC03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+838.77 грн
10+ 732.35 грн
50+ 594.41 грн
100+ 555.37 грн
250+ 506.23 грн
500+ 473.24 грн
1000+ 434.2 грн
FLS010N6S03
FLS010N6S03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+683.27 грн
10+ 606.16 грн
50+ 496.13 грн
100+ 471.22 грн
250+ 420.06 грн
500+ 394.48 грн
1000+ 348.7 грн
FLS010N6S03-PM
FLS010N6S03-PM
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+563.9 грн
10+ 507.84 грн
50+ 374.28 грн
100+ 329.18 грн
250+ 292.16 грн
500+ 261.86 грн
FLS010N6SHEC03
FLS010N6SHEC03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS SQUARE FLANGE RECEPT
на замовлення 75 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+812.07 грн
10+ 754.02 грн
50+ 556.71 грн
100+ 475.93 грн
250+ 403.9 грн
500+ 393.81 грн
FLS610N6PHEC03
FLS610N6PHEC03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+925.95 грн
10+ 843.82 грн
50+ 622.69 грн
100+ 517 грн
200+ 508.25 грн
500+ 502.19 грн
1000+ 494.78 грн
FLS610N6SHEC03
FLS610N6SHEC03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 7 POS PLUG
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1039.04 грн
10+ 945.24 грн
50+ 697.41 грн
100+ 595.76 грн
250+ 576.91 грн
500+ 564.79 грн
1000+ 549.98 грн
FLS6BS10N6P03
FLS6BS10N6P03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+951.08 грн
10+ 830.66 грн
50+ 674.52 грн
100+ 629.42 грн
250+ 574.22 грн
500+ 537.19 грн
1000+ 492.76 грн
FLS6BS10N6S03
FLS6BS10N6S03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS PLUG
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1090.09 грн
10+ 952.2 грн
50+ 773.48 грн
100+ 721.64 грн
250+ 658.36 грн
500+ 615.95 грн
1000+ 565.47 грн
FLS710N6P03
FLS710N6P03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+819.14 грн
10+ 745.51 грн
50+ 549.98 грн
100+ 455.07 грн
250+ 446.99 грн
500+ 441.6 грн
1000+ 434.87 грн
FLS710N6PHEC03
FLS710N6PHEC03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1175.7 грн
10+ 1070.65 грн
50+ 789.63 грн
100+ 778.19 грн
250+ 641.53 грн
500+ 633.46 грн
1000+ 624.03 грн
FLS710N6S03
FLS710N6S03
Виробник: Amphenol SINE Systems
Standard Circular Connector 6 POS JAM NUT RECEPT
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+837.2 грн
10+ 781.89 грн
50+ 576.91 грн
100+ 460.45 грн
200+ 440.26 грн
500+ 430.16 грн
1000+ 414.68 грн
FN2010N-60-24 Schaffner_datasheet_FN2010.pdf
FN2010N-60-24
Виробник: Schaffner EMC Inc.
Description: LINE FILTER 250VDC/VAC 60A CHAS
Packaging: Box
Inductance: 1mH
Filter Type: Single Phase
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: Single Stage
Operating Temperature: -25°C ~ 100°C
Termination Style: Threaded Post (M6)
Applications: General Purpose
Approval Agency: CE, CSA, ENEC, UR
Voltage - Rated DC: 250V
Voltage - Rated AC: 250V
Frequency - Operating: DC ~ 400Hz
Part Status: Active
Current: 60 A
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+8328.34 грн
10+ 7743.11 грн
25+ 7466.59 грн
IGB10N60T Infineon_IGB10N60T_DS_v02_01_EN-1226697.pdf
IGB10N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors Low Loss IGBT Trench Stop&Fieldstop Tech
на замовлення 874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+109.95 грн
10+ 89.03 грн
100+ 60.38 грн
500+ 51.23 грн
1000+ 41.67 грн
2000+ 39.25 грн
5000+ 37.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
на замовлення 645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+83.07 грн
6+ 69.42 грн
15+ 55.4 грн
41+ 52.59 грн
250+ 51.19 грн
Мінімальне замовлення: 5
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T-DTE.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 645 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+99.68 грн
5+ 86.51 грн
15+ 66.48 грн
41+ 63.11 грн
250+ 61.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
IGB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 4037 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.4 грн
10+ 81.48 грн
100+ 63.34 грн
500+ 50.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
IGB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+45.42 грн
2000+ 41.18 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB10N60TATMA1 42995280216076296igb10n60t_rev1_2g.pdffileiddb3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92folder.pdf
IGB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 24A 110000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+40.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IGB10N60TATMA1 IGB10N60T_Rev1_2G.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a30431ed1d7b2011f4a5040f45e92
Виробник: Infineon
IGBT 600V 20A 110W TO263-3 TrenchStop -40+175°C   IGB10N60TATMA1 Infineon Technologies TIGB10n60t
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+53.36 грн
Мінімальне замовлення: 10
IGD10N65T6ARMA1 Infineon_IGD10N65T6_DataSheet_v02_03_EN-3361917.pdf
IGD10N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 5997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+155.5 грн
10+ 120.77 грн
100+ 88.19 грн
250+ 84.82 грн
500+ 74.72 грн
1000+ 68.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.68 грн
5+ 81.34 грн
10+ 73.63 грн
13+ 68.02 грн
34+ 63.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T-DTE.pdf
IGP10N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 370 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.36 грн
10+ 88.35 грн
13+ 81.62 грн
34+ 76.57 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGP10N60TXKSA1 IGP10N60T+Rev2_3G[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432313ff5e0123b847bd617897
IGP10N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT FS 600V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
IGBT Type: NPT, Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/215ns
Switching Energy: 430µJ
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 62 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 110 W
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+103.4 грн
50+ 80.09 грн
100+ 65.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA10N60TXKSA1 1957ika10n60t_rev2_4g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004file.pdf
IKA10N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 11.7A 30000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+81.56 грн
6+ 68.72 грн
13+ 67.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA10N65ET6XKSA2 IKA10N65ET6.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 9A; 20W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 9A
Power dissipation: 20W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 42.5A
Mounting: THT
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+97.87 грн
5+ 85.64 грн
13+ 80.78 грн
20+ 75.73 грн
100+ 74.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKA10N65ET6XKSA2 infineon-ika10n65et6-datasheet-v01_00-en.pdf
IKA10N65ET6XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 15A 40000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKB10N60T Infineon_IKB10N60T_DS_v02_06_EN-1226996.pdf
IKB10N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 10A
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.94 грн
10+ 108.38 грн
100+ 75.4 грн
250+ 69.34 грн
500+ 62.61 грн
1000+ 53.58 грн
2000+ 50.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+117.81 грн
5+ 98.87 грн
11+ 81.34 грн
28+ 77.13 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKB10N60TATMA1 IKB10N60T.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 18A; 110W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 18A
Power dissipation: 110W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 253ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 774 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+141.37 грн
5+ 123.21 грн
11+ 97.61 грн
28+ 92.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB10N60TATMA1 5213ikb10n60trev2_3g.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004filei.pdf
IKB10N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 110000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+54.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKD10N60RATMA1 Infineon-IKD10N60R-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433c5c92fb013c5df8088c02fd
IKD10N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 20A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/192ns
Switching Energy: 210µJ (on), 380µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 64 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.39 грн
10+ 75.24 грн
100+ 58.53 грн
500+ 46.56 грн
1000+ 37.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD10N60RATMA1 Infineon_IKD10N60R_DS_v02_05_EN-1731586.pdf
IKD10N60RATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT w/ INTG DIODE 600V 20A
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+101.31 грн
10+ 82.06 грн
100+ 54.59 грн
500+ 46.05 грн
1000+ 38.24 грн
2500+ 36.22 грн
5000+ 34.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23
IKD10N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+34.3 грн
Мінімальне замовлення: 2500
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon-IKD10N60RC2-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4627645f877017652235f064d23
IKD10N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 18.8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 104 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: PG-TO252-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 14ns/250ns
Switching Energy: 320µJ (on), 170µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 49Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 18.8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 79 W
на замовлення 3834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+83.01 грн
10+ 65.35 грн
100+ 50.82 грн
500+ 40.42 грн
1000+ 32.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKD10N60RC2ATMA1 Infineon_IKD10N60RC2_DataSheet_v02_01_EN-3362116.pdf
IKD10N60RC2ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+76.73 грн
10+ 62.47 грн
100+ 43.89 грн
500+ 38.24 грн
1000+ 32.85 грн
2500+ 31.5 грн
5000+ 29.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]