Результат пошуку "12N50" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 700
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 333
Мінімальне замовлення: 286
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 258
Мінімальне замовлення: 121
Мінімальне замовлення: 121
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 197
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
AOT12N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.4A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT12N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 8.4A Power dissipation: 250W Case: TO220 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.52Ω Mounting: THT Gate charge: 37nC Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 601 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
AOT12N50 | ALPHA&OMEGA |
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT12N50 TAOT12n50 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C12N50Z4 | Anaren | High Frequency/RF Resistors |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C12N50Z4 | TTM Technologies Trading (Asia) Company Limited |
Description: SMD TERM 12W 50 OHM 6GHZ 1206 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Function: Termination Frequency: 6GHz RF Type: AMPS, Cellular, DCS, GSM, PCS, PHS, UMTS Secondary Attributes: 12W |
на замовлення 917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500100JCT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 NPO 10PF 5% 500V Tolerance: ±5% Features: General Purpose Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Thickness (Max): 0.071" (1.80mm) Capacitance: 10 pF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500101JCT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1812 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Features: High Voltage Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Thickness (Max): 0.071" (1.80mm) Part Status: Active Capacitance: 100 pF |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500102KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 X7R 1000PF 10% 500V Tolerance: ±10% Features: High Voltage Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.118" (3.00mm) Capacitance: 1000 pF |
на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500103JCT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 COG .01UF 5% 500V Tolerance: ±5% Features: High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.071" (1.80mm) Capacitance: 10000 pF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500103KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 X7R .01UF 10% 500V Tolerance: ±10% Features: High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.118" (3.00mm) Capacitance: 10000 pF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500104KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 X7R .1UF 10% 500V Tolerance: ±10% Features: High Voltage Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.118" (3.00mm) Capacitance: 0.1 µF |
на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500104MXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 X7R .1UF 20% 500V Tolerance: ±20% Features: High Voltage Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.118" (3.00mm) Capacitance: 0.1 µF |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500153KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 X7R .015UF 10% 500V Tolerance: ±10% Features: High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.118" (3.00mm) Capacitance: 0.015 µF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500154KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 X7R .15UF 10% 500V Tolerance: ±10% Features: High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.118" (3.00mm) Capacitance: 0.15 µF |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500221JCT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 COG 220PF 5% 500V Tolerance: ±5% Features: High Voltage Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.071" (1.80mm) Capacitance: 220 pF |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500222JCT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 COG 2200PF 5% 500V Tolerance: ±5% Features: High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.071" (1.80mm) Capacitance: 2200 pF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500223KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 X7R .022UF 10% 500V Tolerance: ±10% Features: High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.118" (3.00mm) Capacitance: 0.022 µF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500224KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 X7R .22UF 10% 500V Tolerance: ±10% Features: High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.118" (3.00mm) Capacitance: 0.22 µF |
на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500331JCT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 COG 330PF 5% 500V Tolerance: ±5% Features: High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.071" (1.80mm) Capacitance: 330 pF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500332JCT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP 1812 COG 3300PF 5% 500V Tolerance: ±5% Features: High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.071" (1.80mm) Capacitance: 3300 pF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500334KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 X7R .33UF 10% 500V Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500472JCT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 COG 4700PF 5% 500V Tolerance: ±5% Features: High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.071" (1.80mm) Capacitance: 4700 pF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500473KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 X7R .047UF 10% 500V Tolerance: ±10% Features: High Voltage Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: X7R Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: SMPS Filtering Thickness (Max): 0.118" (3.00mm) Capacitance: 0.047 µF |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
CHV1812N500474KXT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 X7R .47UF 10% 500V Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDB12N50TM | onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-CH MOSFET |
на замовлення 757 шт: термін постачання 273-282 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDB12N50UTM | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF12N50FT | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V |
на замовлення 24145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF12N50NZ | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V |
на замовлення 1093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF12N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF12N50T | ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: UniFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.9A Power dissipation: 42W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.65Ω Mounting: THT Gate charge: 30nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 301 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FDPF12N50T | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V |
на замовлення 941 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FQB12N50TM | Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 500V 12.1A Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTH12N50C1D | Harris Corporation |
Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT Packaging: Bulk Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 100 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A Supplier Device Package: TO-218 Isolated Gate Charge: 19 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 12 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A Power - Max: 75 W |
на замовлення 483 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HGTH12N50CID | Harris Corporation |
Description: 12A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 1374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA12N50P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA12N50P | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HiPerFET™; Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO263 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: SMD Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 277 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFA12N50P | IXYS | MOSFET 500V 12A |
на замовлення 623 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP12N50P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXFP12N50P | IXYS | MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500 |
на замовлення 517 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTA12N50P | IXYS | MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds |
на замовлення 544 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 12A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 29nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50P | Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V |
на замовлення 73 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP12N50PM | IXYS/Littelfuse | N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3 |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
LMDP-512-N50-WD6Q18.0-1-RH | Omnetics |
Description: CABLE ASSY D-MIC-D 51P 457.2MM Packaging: Bag Contact Finish: Gold Color: Multiple, Ribbon Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 51 Type: D-Type, Micro-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Part Status: Active |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NTB12N50T4 | onsemi |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 3989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA12N50E-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA12N50E-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK |
на замовлення 519 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHA12N50E-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 500V Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V |
на замовлення 909 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHB12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263) |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252) |
на замовлення 5007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHD12N50E-GE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V |
на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHF12N50C-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 36W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Full Pack Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V |
на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50C-E3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50C-E3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-Channel 500V |
на замовлення 2171 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: N-CHANNEL 500V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 114W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V |
на замовлення 982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET N-CHANNEL 500V |
на замовлення 1641 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 114W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 489 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-GE3 | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6.6A Pulsed drain current: 121A Power dissipation: 114W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.38Ω Mounting: THT Gate charge: 50nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 489 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SIHP12N50E-GE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB |
на замовлення 3956 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
AOT12N50 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 71.7 грн |
14+ | 61.16 грн |
38+ | 57.65 грн |
500+ | 55.54 грн |
AOT12N50 |
Виробник: ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8.4A; 250W; TO220
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 8.4A
Power dissipation: 250W
Case: TO220
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.52Ω
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 601 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 108.11 грн |
5+ | 89.36 грн |
14+ | 73.39 грн |
38+ | 69.17 грн |
500+ | 66.64 грн |
AOT12N50 |
Виробник: ALPHA&OMEGA
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT12N50 TAOT12n50
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 500V; 30V; 520mOhm; 12A; 250W; -55°C ~ 150°C; AOT12N50 TAOT12n50
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 32.4 грн |
C12N50Z4 |
Виробник: Anaren
High Frequency/RF Resistors
High Frequency/RF Resistors
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 260.61 грн |
10+ | 229.73 грн |
25+ | 179.52 грн |
50+ | 173.44 грн |
100+ | 149.15 грн |
250+ | 129.57 грн |
500+ | 116.75 грн |
C12N50Z4 |
Виробник: TTM Technologies Trading (Asia) Company Limited
Description: SMD TERM 12W 50 OHM 6GHZ 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: AMPS, Cellular, DCS, GSM, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 12W
Description: SMD TERM 12W 50 OHM 6GHZ 1206
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: AMPS, Cellular, DCS, GSM, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 12W
на замовлення 917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 245.29 грн |
10+ | 211.11 грн |
25+ | 189.95 грн |
100+ | 162.43 грн |
250+ | 146.58 грн |
500+ | 131.53 грн |
CHV1812N500100JCT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 NPO 10PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: General Purpose
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 10 pF
Description: HVCAP1812 NPO 10PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: General Purpose
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 10 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 33.14 грн |
CHV1812N500101JCT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1812
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 pF
Description: CAP CER 100PF 500V C0G/NP0 1812
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Part Status: Active
Capacitance: 100 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 30.76 грн |
2000+ | 28.3 грн |
CHV1812N500102KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R 1000PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 1000 pF
Description: HVCAP1812 X7R 1000PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 1000 pF
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 83.95 грн |
10+ | 60.6 грн |
50+ | 55.31 грн |
100+ | 42.52 грн |
500+ | 33.94 грн |
CHV1812N500103JCT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 COG .01UF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 10000 pF
Description: HVCAP1812 COG .01UF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 85.05 грн |
CHV1812N500103KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .01UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 10000 pF
Description: HVCAP1812 X7R .01UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 10000 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 20.46 грн |
CHV1812N500104KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
Description: HVCAP1812 X7R .1UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 47.45 грн |
10+ | 31.85 грн |
50+ | 26.8 грн |
100+ | 20.48 грн |
500+ | 17.07 грн |
CHV1812N500104MXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .1UF 20% 500V
Tolerance: ±20%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
Description: HVCAP1812 X7R .1UF 20% 500V
Tolerance: ±20%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.1 µF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 55.48 грн |
10+ | 37.12 грн |
50+ | 31.28 грн |
100+ | 23.9 грн |
500+ | 19.91 грн |
CHV1812N500153KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .015UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.015 µF
Description: HVCAP1812 X7R .015UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.015 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 20.55 грн |
CHV1812N500154KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .15UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.15 µF
Description: HVCAP1812 X7R .15UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.15 µF
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 29.82 грн |
CHV1812N500221JCT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 COG 220PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 220 pF
Description: HVCAP1812 COG 220PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 220 pF
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 150.39 грн |
10+ | 111.14 грн |
50+ | 102.12 грн |
100+ | 79.46 грн |
500+ | 63.89 грн |
CHV1812N500222JCT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 COG 2200PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 2200 pF
Description: HVCAP1812 COG 2200PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 2200 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 25.68 грн |
CHV1812N500223KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .022UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.022 µF
Description: HVCAP1812 X7R .022UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.022 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 23.03 грн |
CHV1812N500224KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .22UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.22 µF
Description: HVCAP1812 X7R .22UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.22 µF
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
700+ | 26.74 грн |
CHV1812N500331JCT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 COG 330PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 330 pF
Description: HVCAP1812 COG 330PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 330 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 23.97 грн |
CHV1812N500332JCT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP 1812 COG 3300PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 3300 pF
Description: HVCAP 1812 COG 3300PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 3300 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 31.07 грн |
CHV1812N500334KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .33UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: HVCAP1812 X7R .33UF 10% 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 32.86 грн |
CHV1812N500472JCT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 COG 4700PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
Description: HVCAP1812 COG 4700PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 4700 pF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 29 грн |
CHV1812N500473KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .047UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.047 µF
Description: HVCAP1812 X7R .047UF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: SMPS Filtering
Thickness (Max): 0.118" (3.00mm)
Capacitance: 0.047 µF
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 23.88 грн |
CHV1812N500474KXT |
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 X7R .47UF 10% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: HVCAP1812 X7R .47UF 10% 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.83 грн |
10+ | 35.22 грн |
50+ | 29.64 грн |
100+ | 22.64 грн |
FDB12N50TM |
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N-CH MOSFET
MOSFET 500V N-CH MOSFET
на замовлення 757 шт:
термін постачання 273-282 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 162.98 грн |
10+ | 133.49 грн |
100+ | 92.46 грн |
250+ | 85.03 грн |
500+ | 80.98 грн |
800+ | 66.54 грн |
2400+ | 62.76 грн |
FDB12N50UTM |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: MOSFET N-CH 500V 10A D2PAK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
333+ | 61.52 грн |
FDPF12N50FT |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1395 pF @ 25 V
на замовлення 24145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
286+ | 71.77 грн |
FDPF12N50NZ |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 5.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1235 pF @ 25 V
на замовлення 1093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.13 грн |
50+ | 102.05 грн |
100+ | 83.96 грн |
500+ | 66.67 грн |
1000+ | 56.57 грн |
FDPF12N50T |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 128.7 грн |
4+ | 107.56 грн |
10+ | 94.9 грн |
11+ | 82.25 грн |
28+ | 78.03 грн |
FDPF12N50T |
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.9A; 42W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: UniFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.9A
Power dissipation: 42W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.65Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 301 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 154.44 грн |
3+ | 134.03 грн |
10+ | 113.88 грн |
11+ | 98.7 грн |
28+ | 93.64 грн |
FDPF12N50T |
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 11.5A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 25 V
на замовлення 941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 179.59 грн |
50+ | 139.33 грн |
100+ | 114.64 грн |
500+ | 91.03 грн |
FQB12N50TM |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 500V 12.1A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: MOSFET N-CH 500V 12.1A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
258+ | 79.29 грн |
HGTH12N50C1D |
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W
Description: 12A, 500V, N-CHANNEL IGBT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-218-3 Isolated Tab, TO-218AC
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 20V, 17.5A
Supplier Device Package: TO-218 Isolated
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 17.5 A
Power - Max: 75 W
на замовлення 483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
121+ | 170.2 грн |
HGTH12N50CID |
Виробник: Harris Corporation
Description: 12A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: 12A, 500V, N CHANNEL IGBT WITH A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
121+ | 170.2 грн |
IXFA12N50P |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 247.56 грн |
3+ | 206.68 грн |
5+ | 165.2 грн |
14+ | 156.06 грн |
IXFA12N50P |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HiPerFET™; Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 277 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 297.07 грн |
3+ | 257.55 грн |
5+ | 198.24 грн |
14+ | 187.28 грн |
IXFA12N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET 500V 12A
MOSFET 500V 12A
на замовлення 623 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 303.13 грн |
10+ | 251.46 грн |
50+ | 183.56 грн |
100+ | 160.62 грн |
250+ | 156.57 грн |
500+ | 144.42 грн |
1000+ | 136.32 грн |
IXFP12N50P |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 273.03 грн |
10+ | 220.25 грн |
100+ | 178.17 грн |
IXFP12N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
MOSFET HiPERFET Id12 BVdass500
на замовлення 517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 292.11 грн |
10+ | 239.81 грн |
50+ | 172.77 грн |
100+ | 148.47 грн |
250+ | 145.77 грн |
500+ | 126.88 грн |
1000+ | 123.5 грн |
IXTA12N50P |
Виробник: IXYS
MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
MOSFET 12.0 Amps 500 V 0.5 Ohm Rds
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 286.59 грн |
10+ | 259.99 грн |
50+ | 198.41 грн |
100+ | 166.69 грн |
500+ | 151.17 грн |
1000+ | 128.23 грн |
IXTP12N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 378.53 грн |
IXTP12N50P |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 500V; 12A; 200W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 29nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 300ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 272.54 грн |
3+ | 212 грн |
7+ | 163.66 грн |
17+ | 154.38 грн |
250+ | 151.85 грн |
IXTP12N50P |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1830 pF @ 25 V
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 256.24 грн |
50+ | 195.4 грн |
IXTP12N50PM |
Виробник: IXYS/Littelfuse
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 500; Id = 6 A; Ciss, пФ @ Uds, В = 1830; Qg, нКл = 29; Rds = 0,5 Ом; Ugs(th) = 5,5 В; Р, Вт = 50 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = вивідний; TO-220-3
на замовлення 10 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 143.35 грн |
10+ | 133.8 грн |
100+ | 124.24 грн |
LMDP-512-N50-WD6Q18.0-1-RH |
Виробник: Omnetics
Description: CABLE ASSY D-MIC-D 51P 457.2MM
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Color: Multiple, Ribbon
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 51
Type: D-Type, Micro-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Part Status: Active
Description: CABLE ASSY D-MIC-D 51P 457.2MM
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Color: Multiple, Ribbon
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 51
Type: D-Type, Micro-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Part Status: Active
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 27988.51 грн |
NTB12N50T4 |
на замовлення 3989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
197+ | 104.58 грн |
SIHA12N50E-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 10.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 124.1 грн |
10+ | 99.33 грн |
100+ | 79.08 грн |
500+ | 62.79 грн |
SIHA12N50E-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.76 грн |
10+ | 108.65 грн |
100+ | 75.59 грн |
250+ | 74.24 грн |
500+ | 62.76 грн |
1000+ | 51.43 грн |
5000+ | 49.74 грн |
SIHA12N50E-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 123.37 грн |
10+ | 98.49 грн |
100+ | 78.39 грн |
500+ | 62.25 грн |
SIHB12N50E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 171.64 грн |
10+ | 140.47 грн |
100+ | 97.18 грн |
250+ | 89.76 грн |
500+ | 85.71 грн |
1000+ | 67.49 грн |
2000+ | 65.93 грн |
SIHD12N50E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 126.76 грн |
10+ | 86.15 грн |
100+ | 63.37 грн |
250+ | 61.41 грн |
500+ | 56.22 грн |
1000+ | 53.31 грн |
SIHD12N50E-GE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 550V 10.5A DPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 550 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.26 грн |
10+ | 94.48 грн |
100+ | 75.18 грн |
500+ | 59.71 грн |
1000+ | 50.66 грн |
SIHF12N50C-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 855 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 346.03 грн |
50+ | 263.85 грн |
100+ | 226.16 грн |
500+ | 188.66 грн |
SIHP12N50C-E3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 555mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 307.34 грн |
10+ | 248.51 грн |
100+ | 201.03 грн |
500+ | 167.7 грн |
1000+ | 143.59 грн |
SIHP12N50C-E3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-Channel 500V
MOSFET N-Channel 500V
на замовлення 2171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 329.9 грн |
10+ | 273.19 грн |
25+ | 224.06 грн |
100+ | 192.34 грн |
250+ | 181.54 грн |
500+ | 170.74 грн |
1000+ | 139.7 грн |
SIHP12N50E-BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 886 pF @ 100 V
на замовлення 982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 122.64 грн |
50+ | 94.54 грн |
100+ | 77.78 грн |
500+ | 61.76 грн |
SIHP12N50E-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 1641 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 130.7 грн |
10+ | 91.58 грн |
100+ | 68.84 грн |
250+ | 65.93 грн |
500+ | 62.16 грн |
1000+ | 60.87 грн |
2500+ | 59.66 грн |
SIHP12N50E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 114.32 грн |
5+ | 95.61 грн |
12+ | 73.81 грн |
31+ | 69.6 грн |
SIHP12N50E-GE3 |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 114W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 50nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 489 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 137.18 грн |
5+ | 119.14 грн |
12+ | 88.58 грн |
31+ | 83.52 грн |
SIHP12N50E-GE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 99.99 грн |
10+ | 86.92 грн |
100+ | 64.05 грн |
250+ | 61.62 грн |
500+ | 57.7 грн |
1000+ | 50.89 грн |
2500+ | 49.4 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]