Результат пошуку "12N50" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 268
Мінімальне замовлення: 268
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 500
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
SPI12N50C3XKSA1 | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO262-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
SPP12N50C3XKSA1 | Infineon Technologies |
Description: LOW POWER_LEGACY Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 10979 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD12N50DM2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD12N50DM2 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 1527 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD12N50M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD12N50M2 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 910 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STD12N50M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V |
на замовлення 3439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STF12N50DM2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V |
на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STF12N50DM2 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STF12N50M2 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STF12N50M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V |
на замовлення 472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP12N50M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V |
на замовлення 844 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
STP12N50M2 | STMicroelectronics |
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXT12N50DXTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 132MHz Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active |
на замовлення 64000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXT12N50DXTA | Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN |
на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
ZXT12N50DXTA | Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 1.04W Current - Collector (Ic) (Max): 3A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 132MHz Supplier Device Package: 8-MSOP Part Status: Active |
на замовлення 64516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| AOTF12N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
|
на замовлення 995 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| CHV1812N500104KXT | CAL |
SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N50 | FAIRCHILD | TO-263 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N50 | fairchild | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N50 | FAIRCHILD | 07+ SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQB12N50 | FAIRCHILD | SOT-263 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQPF12N50C |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MDF12N50FTH |
на замовлення 11497 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MDF12N50TH |
на замовлення 3723 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| MDP12N50TH |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| NTB12N50 |
|
на замовлення 8646 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NTB12N50T4 |
|
на замовлення 5589 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| R1112N501B | RICOH | 06+ |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SPA12N50C3 | INF | 08+ |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SPA12N50C3 | INFINEON | 09+ SOT-23 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SPA12N50C3XK |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| SPB12N50C3 | Infineon technologies |
на замовлення 975 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SPB12N50C3 | INFINEON |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SPB12N50C3 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SPB12N50C3 | INFINEON | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SPI12N50C3 |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| SPP12N50C3 | Infineon technologies |
 |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SPP12N50C3 | INF |
07+; |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| SPW12N50C3 | INF |
07+; |
на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| T12N50DX |
на замовлення 6480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| ZXT12N50DX | ZETEX | MSOP8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| ZXT12N50DX | ZETEX | 07+ MSOP8 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| ZXT12N50DXTA |
|
на замовлення 1050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| ZXT12N50DXTC |
|
на замовлення 6100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
|
|
76512.18.08 | Prysmian Group |
Description: HOOK-UP STRND 16AWG BROWN 500' Packaging: Bulk Voltage: 600V Length: 500.0' (152.4m) Wire Gauge: 16 AWG Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC) Conductor Strand: 26/30 Operating Temperature: -20°C ~ 105°C Cable Type: Hook-Up Jacket (Insulation) Diameter: 0.123" (3.12mm) Ratings: UL Style 1015/1335, ASTM B-8 Jacket (Insulation) Thickness: 0.031" (0.80mm) Conductor Material: Copper, Annealed Bare Jacket Color: Brown |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
76812.R8.08 | Prysmian Group |
Description: HOOK-UP STRND 14AWG BROWN Packaging: Bulk Voltage: 600V Length: 500.0' (152.4m) Wire Gauge: 14 AWG Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC) Conductor Strand: 19/0.0147" Operating Temperature: -20°C ~ 105°C Cable Type: Hook-Up Jacket (Insulation) Diameter: 0.136" (3.45mm) Ratings: UL Style 1015/1335, ASTM B-8 Jacket (Insulation) Thickness: 0.031" (0.80mm) Conductor Material: Copper, Annealed Bare Jacket Color: Brown |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
A98150-512 | Omnetics |
Description: CABLE ASSY D-MIC-D 51P 457.2MM Packaging: Bag Contact Finish: Gold Color: Multiple, Individual Length: 1.50' (457.20mm) Shielding: Unshielded Number of Positions: 51 Type: D-Type, Micro-D 1st Connector: Plug, Male Pins 2nd Connector: Individual Wire Leads Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm) Part Status: Active |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MDF12N50FTH Код товару: 158661 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
SPP12N50C3 Код товару: 47987 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
|
STF12N50DM2 Код товару: 181822 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
| ACB-12-N-50A | OPTIFUSE |
Category: Other Car Fuses Description: Fuse: fuse; 50A; 12VDC; automotive; 31.8x20.51x17.27mm Manufacturer series: Automotive Type I Type of fuse: fuse Current rating: 50A Fuse size: 31.8x20.51x17.27mm Rated voltage: 12V DC Kind of fuse: automotive кількість в упаковці: 100 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
| ACBP-12-N-50A | OPTIFUSE |
Category: Other Car Fuses Description: Fuse: fuse; 50A; 12VDC; automotive; 31x21x16.6mm Manufacturer series: Automotive Type I Type of fuse: fuse Current rating: 50A Fuse size: 31x21x16.6mm Rated voltage: 12V DC Kind of fuse: automotive кількість в упаковці: 100 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
AOB12N50L | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AOT12N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AOT12N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AOW12N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
AOWF12N50 | Alpha & Omega Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262F Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
| C12N50Z4 | TTM Technologies Trading (Asia) Company Limited |
Description: SMD TERM 12W 50 OHM 6GHZ 1206 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Function: Termination Frequency: 6GHz RF Type: AMPS, Cellular, DCS, GSM, PCS, PHS, UMTS Secondary Attributes: 12W |
товар відсутній |
||||||||||||||||
|
|
CHV1812N500100JCT | Cal-Chip Electronics, Inc. |
Description: HVCAP1812 NPO 10PF 5% 500V Tolerance: ±5% Features: General Purpose Packaging: Cut Tape (CT) Voltage - Rated: 500V Package / Case: 1812 (4532 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: General Purpose Thickness (Max): 0.071" (1.80mm) Capacitance: 10 pF |
товар відсутній |
| SPI12N50C3XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 560V 11.6A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO262-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 560 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 268+ | 74.93 грн |
| SPP12N50C3XKSA1 |
|
Виробник: Infineon Technologies
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: LOW POWER_LEGACY
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 500µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 10979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 268+ | 74.93 грн |
| STD12N50DM2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 11A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 118.61 грн |
| 10+ | 94.81 грн |
| 100+ | 75.5 грн |
| 500+ | 59.95 грн |
| 1000+ | 50.86 грн |
| STD12N50DM2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.15 грн |
| 10+ | 104.82 грн |
| 100+ | 72.66 грн |
| 500+ | 60.97 грн |
| 1000+ | 51.72 грн |
| 2500+ | 49.08 грн |
| 5000+ | 47.49 грн |
| STD12N50M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 42.07 грн |
| STD12N50M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.65 грн |
| 10+ | 88.11 грн |
| 100+ | 59.38 грн |
| 500+ | 50.4 грн |
| 1000+ | 41.02 грн |
| 2500+ | 38.57 грн |
| 5000+ | 36.72 грн |
| STD12N50M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 550 pF @ 100 V
на замовлення 3439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 101.46 грн |
| 10+ | 80.16 грн |
| 100+ | 62.32 грн |
| 500+ | 49.57 грн |
| 1000+ | 40.38 грн |
| STF12N50DM2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 100 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 138.61 грн |
| 50+ | 107 грн |
| 100+ | 88.03 грн |
| 500+ | 69.91 грн |
| STF12N50DM2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.299 Ohm typ 11 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 148.72 грн |
| 10+ | 117.74 грн |
| 100+ | 83.88 грн |
| 250+ | 82.56 грн |
| 500+ | 71.34 грн |
| 1000+ | 60.24 грн |
| 2000+ | 57.27 грн |
| STF12N50M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.05 грн |
| 10+ | 89.63 грн |
| 100+ | 64.53 грн |
| 250+ | 63.87 грн |
| 500+ | 53.11 грн |
| 1000+ | 45.77 грн |
| 2000+ | 43.33 грн |
| STF12N50M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.46 грн |
| 50+ | 82.55 грн |
| 100+ | 67.92 грн |
| STP12N50M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 10A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 100 V
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.89 грн |
| 50+ | 83.33 грн |
| 100+ | 68.56 грн |
| 500+ | 54.45 грн |
| STP12N50M2 |
|
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 500 V, 0.325 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.59 грн |
| 10+ | 91.91 грн |
| 100+ | 65.72 грн |
| 250+ | 63.87 грн |
| 500+ | 54.82 грн |
| 1000+ | 46.96 грн |
| 2000+ | 44.52 грн |
| ZXT12N50DXTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.04W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 132MHz
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.04W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 132MHz
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 44.09 грн |
| 2000+ | 39.97 грн |
| 5000+ | 38.06 грн |
| 10000+ | 34.07 грн |
| ZXT12N50DXTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
Bipolar Transistors - BJT Dual 50V NPN
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 107.88 грн |
| 10+ | 86.59 грн |
| 100+ | 58.59 грн |
| 500+ | 49.67 грн |
| 1000+ | 40.42 грн |
| 2000+ | 38.11 грн |
| 5000+ | 36.26 грн |
| ZXT12N50DXTA |
|
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.04W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 132MHz
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
Description: TRANS 2NPN 50V 3A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 1.04W
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 132MHz
Supplier Device Package: 8-MSOP
Part Status: Active
на замовлення 64516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 100.03 грн |
| 10+ | 79.05 грн |
| 100+ | 61.48 грн |
| 500+ | 48.91 грн |
| AOTF12N50 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
на замовлення 995 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| SPB12N50C3 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| SPB12N50C3 |
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)| 76512.18.08 |
|
Виробник: Prysmian Group
Description: HOOK-UP STRND 16AWG BROWN 500'
Packaging: Bulk
Voltage: 600V
Length: 500.0' (152.4m)
Wire Gauge: 16 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Conductor Strand: 26/30
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Cable Type: Hook-Up
Jacket (Insulation) Diameter: 0.123" (3.12mm)
Ratings: UL Style 1015/1335, ASTM B-8
Jacket (Insulation) Thickness: 0.031" (0.80mm)
Conductor Material: Copper, Annealed Bare
Jacket Color: Brown
Description: HOOK-UP STRND 16AWG BROWN 500'
Packaging: Bulk
Voltage: 600V
Length: 500.0' (152.4m)
Wire Gauge: 16 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Conductor Strand: 26/30
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Cable Type: Hook-Up
Jacket (Insulation) Diameter: 0.123" (3.12mm)
Ratings: UL Style 1015/1335, ASTM B-8
Jacket (Insulation) Thickness: 0.031" (0.80mm)
Conductor Material: Copper, Annealed Bare
Jacket Color: Brown
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6173.23 грн |
| 3+ | 5499.67 грн |
| 76812.R8.08 |
|
Виробник: Prysmian Group
Description: HOOK-UP STRND 14AWG BROWN
Packaging: Bulk
Voltage: 600V
Length: 500.0' (152.4m)
Wire Gauge: 14 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Conductor Strand: 19/0.0147"
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Cable Type: Hook-Up
Jacket (Insulation) Diameter: 0.136" (3.45mm)
Ratings: UL Style 1015/1335, ASTM B-8
Jacket (Insulation) Thickness: 0.031" (0.80mm)
Conductor Material: Copper, Annealed Bare
Jacket Color: Brown
Description: HOOK-UP STRND 14AWG BROWN
Packaging: Bulk
Voltage: 600V
Length: 500.0' (152.4m)
Wire Gauge: 14 AWG
Jacket (Insulation) Material: Poly-Vinyl Chloride (PVC)
Conductor Strand: 19/0.0147"
Operating Temperature: -20°C ~ 105°C
Cable Type: Hook-Up
Jacket (Insulation) Diameter: 0.136" (3.45mm)
Ratings: UL Style 1015/1335, ASTM B-8
Jacket (Insulation) Thickness: 0.031" (0.80mm)
Conductor Material: Copper, Annealed Bare
Jacket Color: Brown
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 16.22 грн |
| 1000+ | 14.81 грн |
| A98150-512 |
|
Виробник: Omnetics
Description: CABLE ASSY D-MIC-D 51P 457.2MM
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Color: Multiple, Individual
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 51
Type: D-Type, Micro-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Part Status: Active
Description: CABLE ASSY D-MIC-D 51P 457.2MM
Packaging: Bag
Contact Finish: Gold
Color: Multiple, Individual
Length: 1.50' (457.20mm)
Shielding: Unshielded
Number of Positions: 51
Type: D-Type, Micro-D
1st Connector: Plug, Male Pins
2nd Connector: Individual Wire Leads
Contact Finish Thickness: 50.0µin (1.27µm)
Part Status: Active
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 27393.01 грн |
| 10+ | 24444.05 грн |
| ACB-12-N-50A |
|
Виробник: OPTIFUSE
Category: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 50A; 12VDC; automotive; 31.8x20.51x17.27mm
Manufacturer series: Automotive Type I
Type of fuse: fuse
Current rating: 50A
Fuse size: 31.8x20.51x17.27mm
Rated voltage: 12V DC
Kind of fuse: automotive
кількість в упаковці: 100 шт
Category: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 50A; 12VDC; automotive; 31.8x20.51x17.27mm
Manufacturer series: Automotive Type I
Type of fuse: fuse
Current rating: 50A
Fuse size: 31.8x20.51x17.27mm
Rated voltage: 12V DC
Kind of fuse: automotive
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній
| ACBP-12-N-50A |
|
Виробник: OPTIFUSE
Category: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 50A; 12VDC; automotive; 31x21x16.6mm
Manufacturer series: Automotive Type I
Type of fuse: fuse
Current rating: 50A
Fuse size: 31x21x16.6mm
Rated voltage: 12V DC
Kind of fuse: automotive
кількість в упаковці: 100 шт
Category: Other Car Fuses
Description: Fuse: fuse; 50A; 12VDC; automotive; 31x21x16.6mm
Manufacturer series: Automotive Type I
Type of fuse: fuse
Current rating: 50A
Fuse size: 31x21x16.6mm
Rated voltage: 12V DC
Kind of fuse: automotive
кількість в упаковці: 100 шт
товар відсутній
| AOB12N50L |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
| AOT12N50 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
| AOT12N50 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
| AOW12N50 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
товар відсутній
| AOWF12N50 |
|
Виробник: Alpha & Omega Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262F Tube
Trans MOSFET N-CH 500V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-262F Tube
товар відсутній
| C12N50Z4 |
|
Виробник: TTM Technologies Trading (Asia) Company Limited
Description: SMD TERM 12W 50 OHM 6GHZ 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: AMPS, Cellular, DCS, GSM, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 12W
Description: SMD TERM 12W 50 OHM 6GHZ 1206
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Function: Termination
Frequency: 6GHz
RF Type: AMPS, Cellular, DCS, GSM, PCS, PHS, UMTS
Secondary Attributes: 12W
товар відсутній
| CHV1812N500100JCT |
|
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP1812 NPO 10PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: General Purpose
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 10 pF
Description: HVCAP1812 NPO 10PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: General Purpose
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 1812 (4532 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.181" L x 0.126" W (4.60mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.071" (1.80mm)
Capacitance: 10 pF
товар відсутній