Name: HH15N120F250CT
Brand: Walsin
SKU: 4295606-4
Price: 1.13 UAH
Availability: BackOrder

Результат пошуку "15n120" : > 120

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 2 3 [ Наступна Сторінка >> ]

Вид перегляду :

Назва	Виробник	Інформація	Доступність
IHW15N120R2	INFINEON	MODULE	на замовлення 100084 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGH15N120CD1	IXYS	MODULE	на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
KGH15N120NDA	KEC	09+	на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
KL732B-15NG-T 15N-1206	KOA		на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB15N120IHRWG	ON Semiconductor		на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB15N120IHWG	ON Semiconductor		на замовлення 30 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG15N120FL2WG	ON Semiconductor		на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
SGB15N120			на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
SGB15N120ATMA1	Infineon		на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH15N120RUF			на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
SGP15N120	INFINEON		на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
SGP15N120	INFINEON	09+ФУ QFP	на замовлення 5176 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
SGP15N120XKSA1	Infineon Technologies	IGBT 1200V 30A 198W TO220-3	на замовлення 800 шт: термін постачання 5 дні (днів)
SGW15N120	INFINEON		на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
SKW15N120	INFINEON	MODULE	на замовлення 84 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
SKW15N120	SKW	08+ SOP	на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
SPN15N120			на замовлення 4784 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
KL732B-15NG-T	KOA	15N-1206	на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA15N120ANDTU(микросхема) Код товару: 59928		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2	товар відсутній
FGA15N120ANTDTU Код товару: 149077		Транзистори > IGBT	товар відсутній
IGW15N120H3FKSA1 Код товару: 189073		Транзистори > IGBT	товар відсутній
IHW15N120E1XKSA1 Код товару: 185295		Транзистори > IGBT	товар відсутній
IHW15N120R3 Код товару: 140007		Транзистори > IGBT	товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1 Код товару: 174089		Транзистори > IGBT	товар відсутній
IKW15N120H3 Код товару: 100561		Транзистори > IGBT	товар відсутній
IKW15N120T2 Код товару: 126256		Транзистори > IGBT	товар відсутній
NGTB15N120FL2WG Код товару: 172890		Транзистори > IGBT	товар відсутній
NGTB15N120IHLWG Код товару: 108636		Транзистори > IGBT	товар відсутній
NGTB15N120IHRWG Код товару: 185531		Транзистори > IGBT	товар відсутній
SGP15N120 Код товару: 39733		Транзистори > IGBT	товар відсутній
SGP15N120XKSA1 Код товару: 195669		Транзистори > IGBT	товар відсутній
SGW15N120 Код товару: 94208		Транзистори > IGBT	товар відсутній
SKW15N120 Код товару: 26557		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2	товар відсутній
101R15N120JV4T	Johanson Dielectrics	Cap Ceramic 12pF 100V C0G 5% Pad SMD 0805 125C T/R	товар відсутній
500R15N120FV4T	Johanson Dielectrics	Cap Ceramic 12pF 50V C0G 1% Pad SMD 0805 125C T/R	товар відсутній
500R15N120JV4T	Johanson Dielectrics	Cap Ceramic 12pF 50V C0G 5% Pad SMD 0805 125C T/R	товар відсутній
FGA15N120ANDTU	ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 24A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail	товар відсутній
FGA15N120ANDTU	onsemi	Description: IGBT 1200V 24A 200W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 330 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: NPT Td (on/off) @ 25°C: 90ns/310ns Switching Energy: 3.27mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 24 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 200 W	товар відсутній
FGA15N120ANTDTU	ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail	товар відсутній
FGA15N120ANTDTU	onsemi	Description: IGBT 1200V 30A 186W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 330 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: NPT and Trench Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns Switching Energy: 3mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 186 W	товар відсутній
FGA15N120ANTDTU-F109	onsemi	Description: IGBT 1200V 30A 186W TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 330 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: NPT and Trench Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns Switching Energy: 3mJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 120 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 186 W	товар відсутній
FGA15N120ANTDTU-F109	ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube	товар відсутній
FGA15N120FTDTU	ON Semiconductor	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 220000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail	товар відсутній
FGA15N120FTDTU	onsemi	Description: IGBT 1200V 30A 220W TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 575 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-3P IGBT Type: Trench Field Stop Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 220 W	товар відсутній
HH15N120F250CT	Walsin	Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12 pF, +/- 1% 25 V T&R HH	товар відсутній
HH15N120F250CT	Walsin Technology Corporation	Description: CAP CER 12PF 25V C0G/NP0 0402 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±1% Features: High Q, Low Loss, Ultra Low ESR Voltage - Rated: 25V Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.022" (0.55mm) Part Status: Active Capacitance: 12 pF	товар відсутній
HH15N120F500CT	WALSIN	Category: MLCC SMD capacitors Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402 Type of capacitor: ceramic Kind of capacitor: MLCC Capacitance: 12pF Operating voltage: 50V Dielectric: C0G (NP0) Tolerance: ±1% Mounting: SMD Case - inch: 0402 Case - mm: 1005 Operating temperature: -55...125°C	товар відсутній
HH15N120F500CT	WALSIN	Category: MLCC SMD capacitors Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402 Type of capacitor: ceramic Kind of capacitor: MLCC Capacitance: 12pF Operating voltage: 50V Dielectric: C0G (NP0) Tolerance: ±1% Mounting: SMD Case - inch: 0402 Case - mm: 1005 Operating temperature: -55...125°C кількість в упаковці: 10000 шт	товар відсутній
HH15N120F500CT	Walsin Technology Corporation	Description: CAP CER 12PF 50V C0G/NP0 0402 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±1% Features: High Q, Low Loss, Ultra Low ESR Voltage - Rated: 50V Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.022" (0.55mm) Part Status: Active Capacitance: 12 pF	товар відсутній
HH15N120F500CT	Walsin	Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12 pF, +/- 1% 50 V T&R HH	товар відсутній
HH15N120G500CT	Walsin	Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12 pF, +/- 2% 50 V T&R HH	товар відсутній
HH15N120G500CT	Walsin Technology Corporation	Description: CAP CER 12PF 50V C0G/NP0 0402 Tolerance: ±2% Features: High Q, Low Loss, Ultra Low ESR Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Rated: 50V Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.022" (0.55mm) Part Status: Active Capacitance: 12 pF	товар відсутній
HH15N120J500CT	Walsin Technology Corporation	Description: CAP CER 12PF 50V C0G/NP0 0402 Packaging: Tape & Reel (TR) Tolerance: ±5% Features: High Q, Low Loss, Ultra Low ESR Voltage - Rated: 50V Package / Case: 0402 (1005 Metric) Temperature Coefficient: C0G, NP0 Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm) Mounting Type: Surface Mount, MLCC Operating Temperature: -55°C ~ 125°C Applications: RF, Microwave, High Frequency Thickness (Max): 0.022" (0.55mm) Part Status: Active Capacitance: 12 pF	товар відсутній
HH15N120J500CT	Walsin	Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12 pF, +/- 5% 50 V T&R HH	товар відсутній
IGB15N120S7	Infineon Technologies	Infineon SMD IGBT series IGB	товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 92nC Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 15A	товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3 Mounting: THT Case: TO247-3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 100W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 92nC Technology: TRENCHSTOP™ 6 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 15A кількість в упаковці: 1 шт	товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1	Infineon Technologies	Description: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 340 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A Supplier Device Package: PG-TO247-3-41 IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V Gate Charge: 92 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A Power - Max: 200 W	товар відсутній
IKW15N120BH6XKSA1	Infineon Technologies	Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube	товар відсутній
IKW15N120H3FKSA1	INFINEON TECHNOLOGIES	Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3 Mounting: THT Case: TO247-3 Manufacturer series: H3 Kind of package: tube Type of transistor: IGBT Power dissipation: 217W Gate-emitter voltage: ±20V Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Gate charge: 75nC Technology: TRENCHSTOP™ 3 Collector-emitter voltage: 1.2kV Pulsed collector current: 60A Collector current: 30A	товар відсутній

IHW15N120R2

Виробник: INFINEON
MODULE

на замовлення 100084 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

IXGH15N120CD1

Виробник: IXYS
MODULE

на замовлення 150 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

KGH15N120NDA

Виробник: KEC
09+

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

KL732B-15NG-T 15N-1206

Виробник: KOA

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NGTB15N120IHRWG

Виробник: ON Semiconductor

на замовлення 90 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NGTB15N120IHWG

Виробник: ON Semiconductor

на замовлення 30 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

NGTG15N120FL2WG

Виробник: ON Semiconductor

на замовлення 300 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SGB15N120

на замовлення 6000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SGB15N120ATMA1

SGB15N120_Rev2_2.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b4279ebd3c7e

Виробник: Infineon

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SGH15N120RUF

на замовлення 10000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SGP15N120

Виробник: INFINEON

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SGP15N120

Виробник: INFINEON
09+ФУ QFP

на замовлення 5176 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SGP15N120XKSA1

SGP_W15N120_Rev2_5[1].pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a304323b87bc20123bc8dd001353b

Виробник: Infineon Technologies
IGBT 1200V 30A 198W TO220-3

на замовлення 800 шт:

термін постачання 5 дні (днів)

SGW15N120

INFNS14172-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw

Виробник: INFINEON

на замовлення 2100 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SKW15N120

Виробник: INFINEON
MODULE

на замовлення 84 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SKW15N120

Виробник: SKW
08+ SOP

на замовлення 448 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

SPN15N120

на замовлення 4784 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

KL732B-15NG-T

Виробник: KOA
15N-1206

на замовлення 1000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

FGA15N120ANDTU(микросхема)
Код товару: 59928

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

FGA15N120ANTDTU
Код товару: 149077

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IGW15N120H3FKSA1
Код товару: 189073

DS_IG15N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d012591b22bb86ffb

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IHW15N120E1XKSA1
Код товару: 185295

Infineon-IHW15N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2b608492129

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IHW15N120R3
Код товару: 140007

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1
Код товару: 174089

Infineon-IKW15N120BH6-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462636cc8fb01638801d11316bd

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW15N120H3
Код товару: 100561

Infineon-IKW15N120H3-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=db3a304325305e6d01258df9167d3741

Транзистори > IGBT

товар відсутній

IKW15N120T2
Код товару: 126256

Транзистори > IGBT

товар відсутній

NGTB15N120FL2WG
Код товару: 172890

Транзистори > IGBT

товар відсутній

NGTB15N120IHLWG
Код товару: 108636

Транзистори > IGBT

товар відсутній

NGTB15N120IHRWG
Код товару: 185531

Транзистори > IGBT

товар відсутній

SGP15N120
Код товару: 39733

Транзистори > IGBT

товар відсутній

SGP15N120XKSA1
Код товару: 195669

Транзистори > IGBT

товар відсутній

SGW15N120
Код товару: 94208

Транзистори > IGBT

товар відсутній

SKW15N120
Код товару: 26557

Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2

товар відсутній

101R15N120JV4T

Виробник: Johanson Dielectrics
Cap Ceramic 12pF 100V C0G 5% Pad SMD 0805 125C T/R

товар відсутній

500R15N120FV4T

Виробник: Johanson Dielectrics
Cap Ceramic 12pF 50V C0G 1% Pad SMD 0805 125C T/R

товар відсутній

500R15N120JV4T

Виробник: Johanson Dielectrics
Cap Ceramic 12pF 50V C0G 5% Pad SMD 0805 125C T/R

товар відсутній

FGA15N120ANDTU

Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 24A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товар відсутній

FGA15N120ANDTU

Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 24A 200W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/310ns
Switching Energy: 3.27mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 200 W

товар відсутній

FGA15N120ANTDTU

Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Rail

товар відсутній

FGA15N120ANTDTU

Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 30A 186W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 3mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 186 W

товар відсутній

FGA15N120ANTDTU-F109

Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 30A 186W TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 330 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: NPT and Trench
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/160ns
Switching Energy: 3mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 186 W

товар відсутній

FGA15N120ANTDTU-F109

Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 186000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube

товар відсутній

FGA15N120FTDTU

Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 220000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

товар відсутній

FGA15N120FTDTU

Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 30A 220W TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 575 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-3P
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 220 W

товар відсутній

HH15N120F250CT

Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12 pF, +/- 1% 25 V T&R HH

товар відсутній

HH15N120F250CT

Виробник: Walsin Technology Corporation
Description: CAP CER 12PF 25V C0G/NP0 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±1%
Features: High Q, Low Loss, Ultra Low ESR
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Capacitance: 12 pF

товар відсутній

HH15N120F500CT

Виробник: WALSIN
Category: MLCC SMD capacitors
Description: Capacitor: ceramic; MLCC; 12pF; 50V; C0G (NP0); ±1%; SMD; 0402
Type of capacitor: ceramic
Kind of capacitor: MLCC
Capacitance: 12pF
Operating voltage: 50V
Dielectric: C0G (NP0)
Tolerance: ±1%
Mounting: SMD
Case - inch: 0402
Case - mm: 1005
Operating temperature: -55...125°C

товар відсутній

HH15N120F500CT

товар відсутній

HH15N120F500CT

Виробник: Walsin Technology Corporation
Description: CAP CER 12PF 50V C0G/NP0 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±1%
Features: High Q, Low Loss, Ultra Low ESR
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Capacitance: 12 pF

товар відсутній

HH15N120F500CT

Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12 pF, +/- 1% 50 V T&R HH

товар відсутній

HH15N120G500CT

Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12 pF, +/- 2% 50 V T&R HH

товар відсутній

HH15N120G500CT

Виробник: Walsin Technology Corporation
Description: CAP CER 12PF 50V C0G/NP0 0402
Tolerance: ±2%
Features: High Q, Low Loss, Ultra Low ESR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Capacitance: 12 pF

товар відсутній

HH15N120J500CT

Виробник: Walsin Technology Corporation
Description: CAP CER 12PF 50V C0G/NP0 0402
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Features: High Q, Low Loss, Ultra Low ESR
Voltage - Rated: 50V
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Active
Capacitance: 12 pF

товар відсутній

HH15N120J500CT

Виробник: Walsin
Multilayer Ceramic Capacitors MLCC - SMD/SMT 0402 MLCC NPO 12 pF, +/- 5% 50 V T&R HH

товар відсутній

IGB15N120S7

Виробник: Infineon Technologies
Infineon SMD IGBT series IGB

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 15A; 100W; TO247-3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 100W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 92nC
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 15A

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200 V 15A TO247-3-46
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 340 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-41
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/240ns
Switching Energy: 700µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Gate Charge: 92 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 200 W

товар відсутній

IKW15N120BH6XKSA1

infineon-ikw15n120bh6-datasheet-v02_01-en.pdf

Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube

товар відсутній

IKW15N120H3FKSA1

Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 30A; 217W; TO247-3; H3
Mounting: THT
Case: TO247-3
Manufacturer series: H3
Kind of package: tube
Type of transistor: IGBT
Power dissipation: 217W
Gate-emitter voltage: ±20V
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Gate charge: 75nC
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Pulsed collector current: 60A
Collector current: 30A

товар відсутній

Обрати Сторінку: [ << Попередня Сторінка ] 1 2 3 [ Наступна Сторінка >> ]