Результат пошуку "160n04" : 54
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
160N04S2-03 | infineon |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IPB160N04S203ATMA4 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
на замовлення 865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB160N04S4-H1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2 |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2 |
на замовлення 1319 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IPB160N04S4LH1ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 30/40V |
на замовлення 862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTA160N04T2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Power dissipation: 250W Case: TO263 On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 40ns |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTA160N04T2 | IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Power dissipation: 250W Case: TO263 On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 40ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTA160N04T2 | IXYS | MOSFET 160Amps 40V |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 | Renesas Electronics | MOSFET POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25LZU |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
GLT4160N04P-100TC | G-LINK | 2003 |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GLT4160N04P-100TC | GL | 03+ |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
GLT4160N04P-100TC318 | TSOP24 |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IPB160N04S2-03 | INF | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPB160N04S2-03 | infineon | 07+ to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPB160N04S2-03 | infineon | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPB160N04S2K-03 | infineon | 07+ to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPB160N04S2K-03 | infineon | to-263/d2-pak |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPB160N04S2L03ATMA2 | Infineon |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IPB160N04S4H1ATMA1 | Infineon |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
NP160N04TDG | NEC | 08+ |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NP160N04TDG | NEC | 08+ |
на замовлення 127 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NP160N04TDG-E1 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NP160N04TUG-E1 |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PE160N04 | INFINEON |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
PE16DN114(PE160N04 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PE16DN114(PE160N04) |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
SPB160N04S2-03 | INF | 09+ |
на замовлення 1018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB160N04S2-03 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB160N04S2-03 | INFINEON | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB160N04S2L-03 | INFINEON | 07+ TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB160N04S2L-03 | INFINEON | TO-263/D2-PAK |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SPB160N04S2L-03 | INF | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1) Код товару: 166065 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IPB160N04S203ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPB160N04S203ATMA4 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPB160N04S2L03ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPB160N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | OptiMOS - T Power-Transistor |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPB160N04S2L03ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET_(20V 40V) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPB160N04S3H2ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPB160N04S402DXTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPB160N04S4LH1ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Pulsed drain current: 640A Power dissipation: 167W Case: PG-TO263-7-3 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPB160N04S4LH1ATMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPD160N04L G | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPD160N04LGBTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTP160N04T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Power dissipation: 250W Case: TO220AB On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 40ns |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTP160N04T2 | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Power dissipation: 250W Case: TO220AB On-state resistance: 5mΩ Mounting: THT Gate charge: 79nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 40ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTP160N04T2 | IXYS | MOSFET 160 Amps 40V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTP160N04T2 | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
MCB160N04Y-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IPB160N04S4LH1ATMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ T2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 160A Pulsed drain current: 640A Power dissipation: 167W Case: PG-TO263-7-3 Gate-source voltage: -16...20V On-state resistance: 1.5mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
IPB160N04S203ATMA4 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
MOSFET MOSFET_(20V 40V)
на замовлення 865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 307.66 грн |
10+ | 254.38 грн |
25+ | 211.23 грн |
100+ | 179.35 грн |
250+ | 169.39 грн |
500+ | 158.76 грн |
1000+ | 136.17 грн |
IPB160N04S4-H1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 227.07 грн |
10+ | 187.92 грн |
25+ | 154.77 грн |
100+ | 132.19 грн |
250+ | 124.88 грн |
500+ | 118.24 грн |
1000+ | 100.3 грн |
IPB160N04S4H1ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
MOSFET N-Ch 40V 160A D2PAK-6 OptiMOS-T2
на замовлення 1319 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.22 грн |
10+ | 178.75 грн |
25+ | 154.11 грн |
100+ | 126.21 грн |
250+ | 124.22 грн |
500+ | 111.6 грн |
1000+ | 94.99 грн |
IPB160N04S4H1ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 95.32 грн |
IPB160N04S4LH1ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
MOSFET N-CHANNEL 30/40V
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 216.22 грн |
10+ | 178.75 грн |
25+ | 154.11 грн |
100+ | 126.21 грн |
250+ | 124.22 грн |
500+ | 111.6 грн |
1000+ | 94.99 грн |
IXTA160N04T2 |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 224.29 грн |
3+ | 187.51 грн |
6+ | 149.46 грн |
15+ | 141.15 грн |
IXTA160N04T2 |
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO263; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO263
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 269.15 грн |
3+ | 233.67 грн |
6+ | 179.35 грн |
15+ | 169.39 грн |
IXTA160N04T2 |
Виробник: IXYS
MOSFET 160Amps 40V
MOSFET 160Amps 40V
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 302.24 грн |
10+ | 261.25 грн |
50+ | 192.63 грн |
100+ | 175.36 грн |
250+ | 154.77 грн |
500+ | 149.46 грн |
1000+ | 144.14 грн |
RBA160N04AHPF-4UA01#GB0 |
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25LZU
MOSFET POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-25LZU
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 311.54 грн |
10+ | 258.2 грн |
25+ | 217.21 грн |
100+ | 181.34 грн |
250+ | 176.03 грн |
500+ | 161.41 грн |
800+ | 129.53 грн |
IPB160N04S2-03 |
Виробник: infineon
07+ to-263/d2-pak
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)IPB160N04S2-03 |
Виробник: infineon
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)IPB160N04S2K-03 |
Виробник: infineon
07+ to-263/d2-pak
07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)IPB160N04S2K-03 |
Виробник: infineon
to-263/d2-pak
to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB160N04S2-03 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB160N04S2-03 |
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB160N04S2L-03 |
Виробник: INFINEON
07+ TO-263/D2-PAK
07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)SPB160N04S2L-03 |
Виробник: INFINEON
TO-263/D2-PAK
TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)IPB160N04S4H1ATMA1 (IPB160N04S4-H1) Код товару: 166065 |
товар відсутній
IPB160N04S203ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S203ATMA4 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S2L03ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S3H2ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S402DXTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPB160N04S4LH1ATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
IPB160N04S4LH1ATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IPD160N04L G |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IPD160N04LGBTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 40V 30A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
IXTP160N04T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
товар відсутній
IXTP160N04T2 |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 160A; 250W; TO220AB; 40ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 79nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 40ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP160N04T2 |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 40V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IPB160N04S4LH1ATMA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; OptiMOS™ T2; unipolar; 40V; 160A; Idm: 640A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ T2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 640A
Power dissipation: 167W
Case: PG-TO263-7-3
Gate-source voltage: -16...20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1000 шт
товар відсутній