Результат пошуку "1N80" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FQD1N80 fairchild to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N80TF Fairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU1N80TU fqu1n80-d.pdf
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MK4501N-80 ST DIP28
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MLH0402-1N8-03
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD1N80
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD1N80E ON TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD1N80E ON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD1N80E ON 08+ QFP52
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD1N80ET4G
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP1N80E
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PFU1N80
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA11N80
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPW11N80CC
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSS11N80
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF11N80
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW11N80
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SW1N80A
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T1-N80E
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T221N800EOC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T221N800EOF
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT131N800KOC AEG 05+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT131N800KOF AEG
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT131N800KOF EUPEC J4-5
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT251N800KOC AEG 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT251N800KOF AEG 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
WFU1N80
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ZHT431N801
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ZHT431N802
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
09-072X6X11.0 VA-80 NBR 09-072X6X11.0 VA-80 NBR ORING USZCZELNIENIA TECHNICZNE V-RING_EN.pdf Category: Seals
Description: V-ring washer; NBR rubber; Shaft dia: 78÷83mm; L: 11mm; Ø: 72mm
Gasket material: NBR rubber
Type of mounting element: V-ring washer
Shaft diameter: 78...83mm
Diameter: 72mm
Length: 11mm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+104.1 грн
10+ 69.54 грн
15+ 55.63 грн
40+ 52.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
09-072X6X11.0 VA-80 NBR 09-072X6X11.0 VA-80 NBR ORING USZCZELNIENIA TECHNICZNE V-RING_EN.pdf Category: Seals
Description: V-ring washer; NBR rubber; Shaft dia: 78÷83mm; L: 11mm; Ø: 72mm
Gasket material: NBR rubber
Type of mounting element: V-ring washer
Shaft diameter: 78...83mm
Diameter: 72mm
Length: 11mm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+124.92 грн
10+ 86.66 грн
15+ 66.76 грн
40+ 63.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP6K-800:P6:680Ohm,900V,120C,6*3 Shenzhen Bians Import and export Trading Co., Ltd 680 Ом P6: 800V Tswitch=120C 6*3mm (CROSS MZ31-05P681N800 /AMPRON)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1nf 800VDC (FKP2-1N/800-R)
Код товару: 92436 		Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 1 nF
Ном.напруга: 800 VDC
товар відсутній
APT11N80BC3G
Код товару: 176617 		High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
APT11N80KC3G APT11N80KC3G
Код товару: 18385 		High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SPA11N80C3 SPA11N80C3
Код товару: 119117 		description Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SPW11N80C3
Код товару: 132782 		description Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
1N8025 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.
товар відсутній
1N8027 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товар відсутній
1N8029 GeneSiC Semiconductor Schottky Diodes & Rectifiers 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товар відсутній
1N8030-GA 1N8030-GA GeneSiC Semiconductor 9733158768511141n8030-ga.pdf Rectifier Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товар відсутній
1N8032-GA 1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 9732867828337061n8032-ga.pdf Rectifier Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товар відсутній
APT11N80BC3G APT11N80BC3G MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT11N80BC3G APT11N80BC3G MICROCHIP (MICROSEMI) High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT11N80BC3G APT11N80BC3G Microchip Technology apt11n80bc3_c.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT11N80BC3G APT11N80BC3G Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf MOSFET MOSFET COOLMOS 800 V 11 A TO-247
товар відсутній
APT11N80KC3G APT11N80KC3G Microchip Technology apt11n80kc3_b.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AC
товар відсутній
APT31N80JC3 APT31N80JC3 Microchip Technology apt31n80jc3_e.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 31A 4-Pin SOT-227
товар відсутній
D1N80-5070 SHINDENGEN Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; Ifsm: 30A; AX057 (Ø2.6x3mm)
Case: AX057 (Ø2.6x3mm)
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: rectifying
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.05V
Leakage current: 10µA
товар відсутній
D471N80TXPSA1 D471N80TXPSA1 Infineon Technologies 2666ds_d471n_6.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a3.pdf Rectifier Diode
товар відсутній
FQD1N80TF FQD1N80TF ON Semiconductor fqu1n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD1N80TM ON Semiconductor fqu1n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD1N80TM FQD1N80TM ON Semiconductor fqu1n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS ONSEMI fqt1n80-d.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS ON Semiconductor fqt1n80-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQU1N80TU ONSEMI fqu1n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQU1N80TU ONSEMI fqu1n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU1N80TU FQU1N80TU ON Semiconductor fqu1n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU1N80TU ON Semiconductor fqu1n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
IXFH11N80 IXFH11N80 IXYS media-3321361.pdf MOSFET 11 Amps 800V
товар відсутній
FQD1N80
Виробник: fairchild
to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQD1N80TF
Виробник: Fairchild
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQU1N80TU fqu1n80-d.pdf
на замовлення 4758 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MK4501N-80
Виробник: ST
DIP28
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MLH0402-1N8-03
на замовлення 130000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD1N80
на замовлення 1155 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD1N80E
Виробник: ON
TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD1N80E
Виробник: ON
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD1N80E
Виробник: ON
08+ QFP52
на замовлення 380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTD1N80ET4G
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MTP1N80E
на замовлення 4536 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PFU1N80
на замовлення 386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPA11N80
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SPW11N80CC
на замовлення 6900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SSS11N80
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STF11N80
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
STW11N80
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SW1N80A
на замовлення 3985 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T1-N80E
на замовлення 426 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T221N800EOC
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
T221N800EOF
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT131N800KOC
Виробник: AEG
05+
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT131N800KOF
Виробник: AEG
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT131N800KOF
Виробник: EUPEC
J4-5
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT251N800KOC
Виробник: AEG
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TT251N800KOF
Виробник: AEG
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
WFU1N80
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ZHT431N801
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
ZHT431N802
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
09-072X6X11.0 VA-80 NBR V-RING_EN.pdf
09-072X6X11.0 VA-80 NBR
Виробник: ORING USZCZELNIENIA TECHNICZNE
Category: Seals
Description: V-ring washer; NBR rubber; Shaft dia: 78÷83mm; L: 11mm; Ø: 72mm
Gasket material: NBR rubber
Type of mounting element: V-ring washer
Shaft diameter: 78...83mm
Diameter: 72mm
Length: 11mm
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+104.1 грн
10+ 69.54 грн
15+ 55.63 грн
40+ 52.85 грн
Мінімальне замовлення: 5
09-072X6X11.0 VA-80 NBR V-RING_EN.pdf
09-072X6X11.0 VA-80 NBR
Виробник: ORING USZCZELNIENIA TECHNICZNE
Category: Seals
Description: V-ring washer; NBR rubber; Shaft dia: 78÷83mm; L: 11mm; Ø: 72mm
Gasket material: NBR rubber
Type of mounting element: V-ring washer
Shaft diameter: 78...83mm
Diameter: 72mm
Length: 11mm
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+124.92 грн
10+ 86.66 грн
15+ 66.76 грн
40+ 63.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
BSP6K-800:P6:680Ohm,900V,120C,6*3
Виробник: Shenzhen Bians Import and export Trading Co., Ltd
680 Ом P6: 800V Tswitch=120C 6*3mm (CROSS MZ31-05P681N800 /AMPRON)
на замовлення 955 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1nf 800VDC (FKP2-1N/800-R)
Код товару: 92436
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 1 nF
Ном.напруга: 800 VDC
товар відсутній
APT11N80BC3G
Код товару: 176617		 High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
APT11N80KC3G
Код товару: 18385		 High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT11N80KC3G
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SPA11N80C3
Код товару: 119117		 description
SPA11N80C3
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
SPW11N80C3
Код товару: 132782		 description
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
1N8025
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V, 1A, 225 Deg C SiC Schottky Rect.
товар відсутній
1N8027
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V, 5A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товар відсутній
1N8029
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Schottky Diodes & Rectifiers 1200V, 15A, 225 D C SiC Schottky Rect.
товар відсутній
1N8030-GA 9733158768511141n8030-ga.pdf
1N8030-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 650V 0.75A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товар відсутній
1N8032-GA 9732867828337061n8032-ga.pdf
1N8032-GA
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Schottky 650V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-257 Isolated
товар відсутній
APT11N80BC3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT11N80BC3G
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
APT11N80BC3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT11N80BC3G
Виробник: MICROCHIP (MICROSEMI)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; Idm: 33A; 156W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: CoolMOS™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Pulsed drain current: 33A
Power dissipation: 156W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
APT11N80BC3G apt11n80bc3_c.pdf
APT11N80BC3G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
APT11N80BC3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT11N80BC3G
Виробник: Microchip Technology
MOSFET MOSFET COOLMOS 800 V 11 A TO-247
товар відсутній
APT11N80KC3G apt11n80kc3_b.pdf
APT11N80KC3G
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AC
товар відсутній
APT31N80JC3 apt31n80jc3_e.pdf
APT31N80JC3
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH 800V 31A 4-Pin SOT-227
товар відсутній
D1N80-5070
Виробник: SHINDENGEN
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 800V; 1A; Ifsm: 30A; AX057 (Ø2.6x3mm)
Case: AX057 (Ø2.6x3mm)
Mounting: THT
Semiconductor structure: single diode
Max. off-state voltage: 0.8kV
Max. forward impulse current: 30A
Type of diode: rectifying
Load current: 1A
Max. forward voltage: 1.05V
Leakage current: 10µA
товар відсутній
D471N80TXPSA1 2666ds_d471n_6.pdffolderiddb3a304412b407950112b408e8c90004fileiddb3a3.pdf
D471N80TXPSA1
Виробник: Infineon Technologies
Rectifier Diode
товар відсутній
FQD1N80TF fqu1n80jp-d.pdf
FQD1N80TF
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD1N80TM fqu1n80jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD1N80TM fqu1n80jp-d.pdf
FQD1N80TM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQT1N80TF-WS fqt1n80-d.pdf
FQT1N80TF-WS
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 0.12A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.12A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQT1N80TF-WS fqt1n80-d.pdf
FQT1N80TF-WS
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 0.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
FQU1N80TU fqu1n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
FQU1N80TU fqu1n80-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 630mA; Idm: 4A; 45W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.63A
Pulsed drain current: 4A
Power dissipation: 45W
Case: IPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 20Ω
Mounting: THT
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQU1N80TU fqu1n80jp-d.pdf
FQU1N80TU
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU1N80TU fqu1n80jp-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 800V 1A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
IXFH11N80 media-3321361.pdf
IXFH11N80
Виробник: IXYS
MOSFET 11 Amps 800V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]