Результат пошуку "1N80" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SPP11N80C3 SPP11N80C3
Код товару: 111118 		Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en-1227668.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
Монтаж: THT
у наявності: 34 шт
1+165 грн
10+ 149 грн
AL02BT1N802 AL02BT1N802 Viking VIKING-AL.pdf Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 1.8nH; 675mA; 200mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 1.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 10GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.2Ω
Operating current: 675mA
на замовлення 8347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
300+1.39 грн
1000+ 0.88 грн
1300+ 0.66 грн
3500+ 0.62 грн
Мінімальне замовлення: 300
AL02BT1N802 AL02BT1N802 Viking VIKING-AL.pdf Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 1.8nH; 675mA; 200mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 1.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 10GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.2Ω
Operating current: 675mA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 8347 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
200+1.67 грн
1000+ 1.09 грн
1300+ 0.79 грн
3500+ 0.75 грн
Мінімальне замовлення: 200
APT11N80BC3G APT11N80BC3G Microchip Technology High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+305.11 грн
FQD1N80TM FQD1N80TM onsemi fqu1n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.45 грн
10+ 53.71 грн
100+ 41.78 грн
500+ 33.23 грн
1000+ 27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD1N80TM FQD1N80TM onsemi / Fairchild FQU1N80_D-2314168.pdf MOSFET Power MOSFET
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.33 грн
10+ 58.84 грн
100+ 39.78 грн
500+ 33.73 грн
1000+ 27.47 грн
2500+ 26.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD1N80TM FQD1N80TM onsemi fqu1n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+28.2 грн
5000+ 25.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD1N80TM Fairchild fqu1n80-d.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQT1N80TF-WS FQT1N80TF-WS onsemi / Fairchild FQT1N80_D-2313844.pdf MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 15940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.55 грн
10+ 58.14 грн
100+ 38.91 грн
500+ 33.32 грн
1000+ 26.59 грн
2000+ 25.04 грн
4000+ 24.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
MSJB11N80A-TP MSJB11N80A-TP Micro Commercial Co MSJB11N80A(D2PAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+509.74 грн
10+ 420.73 грн
100+ 350.59 грн
MSJB11N80A-TP MSJB11N80A-TP Micro Commercial Components (MCC) MSJB11N80A_D2PAK_-3366084.pdf MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+546.62 грн
10+ 461.39 грн
25+ 364.19 грн
100+ 334.57 грн
250+ 315.05 грн
500+ 295.52 грн
800+ 264.56 грн
MSJB11N80A-TP MSJB11N80A-TP Micro Commercial Co MSJB11N80A(D2PAK).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+321.24 грн
1600+ 278.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
MSJP11N80A-BP MSJP11N80A-BP Micro Commercial Components (MCC) MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.81 грн
10+ 221.41 грн
25+ 182.43 грн
100+ 156.85 грн
250+ 147.43 грн
500+ 138.67 грн
1000+ 119.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP11N80A-BP MSJP11N80A-BP Micro Commercial Co Description: N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 918 pF @ 400 V
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.5 грн
10+ 202.16 грн
100+ 163.53 грн
500+ 136.41 грн
1000+ 116.8 грн
2000+ 109.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N80A-BP MSJPF11N80A-BP Micro Commercial Components (MCC) MSJPF11N80A_TO_220F_-3133565.pdf MOSFET N-Ch 800V Super Junction Power FET
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+276.45 грн
10+ 229.15 грн
25+ 187.82 грн
100+ 161.56 грн
250+ 152.14 грн
500+ 143.39 грн
1000+ 122.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N80A-BP MSJPF11N80A-BP Micro Commercial Co MSJPF11N80A(TO-220F).pdf Description: N-CHANNEL MOSFET, TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.78 грн
10+ 208.68 грн
100+ 168.78 грн
500+ 140.79 грн
1000+ 120.55 грн
2000+ 113.51 грн
5000+ 107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHS0603N01N8002JE NTHS0603N01N8002JE Vishay / Dale nths.pdf NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 80Kohms 5%
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+548.97 грн
10+ 433.52 грн
25+ 348.7 грн
100+ 301.58 грн
250+ 292.16 грн
500+ 282.73 грн
1000+ 263.88 грн
SIHA11N80AE-GE3 SIHA11N80AE-GE3 Vishay / Siliconix siha11n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.58 грн
10+ 115.35 грн
100+ 79.43 грн
250+ 73.38 грн
500+ 66.37 грн
1000+ 57.22 грн
2500+ 56.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA11N80AE-GE3 SIHA11N80AE-GE3 Vishay Siliconix siha11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.8 грн
50+ 101.69 грн
100+ 83.66 грн
500+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 Vishay Siliconix siha11n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.29 грн
50+ 177.41 грн
100+ 152.07 грн
500+ 126.85 грн
1000+ 108.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA11N80E-GE3 SIHA11N80E-GE3 Vishay / Siliconix siha11n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.18 грн
10+ 214.44 грн
25+ 163.58 грн
100+ 141.37 грн
250+ 137.33 грн
500+ 126.56 грн
1000+ 109.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA21N80AE-GE3 SIHA21N80AE-GE3 Vishay / Siliconix doc?92342 MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.56 грн
10+ 162.57 грн
50+ 133.29 грн
100+ 113.77 грн
250+ 107.71 грн
500+ 101.65 грн
1000+ 82.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA21N80AEF-GE3 SIHA21N80AEF-GE3 Vishay Siliconix siha21n80aef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.71 грн
50+ 153.88 грн
100+ 131.89 грн
500+ 110.03 грн
1000+ 94.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB11N80AE-GE3 SIHB11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.45 грн
10+ 114.58 грн
100+ 91.17 грн
500+ 72.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB11N80AE-GE3 SIHB11N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihb11n80ae.pdf MOSFET 800V N-CH MOSFET
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.01 грн
10+ 123.86 грн
100+ 86.84 грн
250+ 86.17 грн
500+ 70.01 грн
1000+ 63.88 грн
2000+ 59.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB11N80AE-GE3 Vishay sihb11n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+63.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHB11N80E-GE3 SIHB11N80E-GE3 Vishay Siliconix sihb11n80e.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+250.5 грн
10+ 202.16 грн
100+ 163.53 грн
500+ 136.41 грн
1000+ 116.8 грн
2000+ 109.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB11N80E-GE3 SIHB11N80E-GE3 Vishay Semiconductors sihb11n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+267.81 грн
10+ 221.41 грн
25+ 182.43 грн
100+ 156.85 грн
250+ 147.43 грн
500+ 138.67 грн
1000+ 114.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB21N80AE-GE3 Vishay sihb21n80ae.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+93.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHB21N80AE-GE3 SIHB21N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihb21n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.06 грн
10+ 153.92 грн
100+ 124.51 грн
500+ 103.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB21N80AE-GE3 SIHB21N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihb21n80ae.pdf MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 10131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+203.41 грн
10+ 169.54 грн
25+ 138.67 грн
100+ 119.15 грн
250+ 112.42 грн
500+ 105.69 грн
1000+ 87.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihd11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.97 грн
75+ 91.16 грн
150+ 75 грн
525+ 59.56 грн
1050+ 50.53 грн
2025+ 48.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD11N80AE-GE3 SIHD11N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihd11n80ae.pdf MOSFET 800V N-CH MOSFET
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.59 грн
10+ 103.74 грн
75+ 73.38 грн
525+ 61.73 грн
1050+ 58.5 грн
5025+ 56.28 грн
10050+ 53.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD11N80AE-T1-GE3 SIHD11N80AE-T1-GE3 Vishay Siliconix sihd11n80ae.pdf Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SIHD11N80AE-T1-GE3 SIHD11N80AE-T1-GE3 Vishay Siliconix sihd11n80ae.pdf Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.97 грн
10+ 94.24 грн
100+ 75 грн
500+ 59.56 грн
1000+ 50.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD11N80AE-T4-GE3 SIHD11N80AE-T4-GE3 Vishay Siliconix sihd11n80ae.pdf Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+117.97 грн
10+ 94.24 грн
100+ 75 грн
500+ 59.56 грн
1000+ 50.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD11N80AE-T4-GE3 SIHD11N80AE-T4-GE3 Vishay Siliconix sihd11n80ae.pdf Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihg11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+181.32 грн
10+ 144.87 грн
100+ 115.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG11N80AE-GE3 SIHG11N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihg11n80ae.pdf MOSFET 800V N-CH MOSFET E-SERIES PWR
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.99 грн
10+ 133.93 грн
100+ 97.61 грн
250+ 94.24 грн
500+ 85.49 грн
1000+ 76.07 грн
2500+ 73.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG11N80AEF-GE3 SIHG11N80AEF-GE3 Vishay MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+259.17 грн
10+ 214.44 грн
25+ 176.37 грн
100+ 150.79 грн
250+ 142.71 грн
500+ 133.96 грн
1000+ 115.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG11N80E-GE3 SIHG11N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihg11n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+288.23 грн
10+ 239.21 грн
25+ 175.03 грн
100+ 160.22 грн
250+ 154.16 грн
500+ 147.43 грн
1000+ 145.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG21N80AE-GE3 SIHG21N80AE-GE3 Vishay Semiconductors sihg21n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+336.14 грн
10+ 278.69 грн
25+ 196.57 грн
100+ 175.03 грн
250+ 170.99 грн
500+ 152.81 грн
1000+ 146.75 грн
SIHG21N80AE-GE3 SIHG21N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihg21n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.85 грн
25+ 239.26 грн
100+ 205.06 грн
SIHG21N80AEF-GE3 SIHG21N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihg21n80aef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.64 грн
10+ 178.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG21N80AEF-GE3 SIHG21N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihg21n80aef.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
2+236.4 грн
10+ 195.86 грн
100+ 154.16 грн
500+ 115.79 грн
1000+ 102.32 грн
2500+ 101.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP11N80AE-GE3 SIHP11N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihp11n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220AB
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.37 грн
10+ 116.12 грн
100+ 80.11 грн
250+ 74.05 грн
500+ 66.98 грн
1000+ 57.83 грн
2500+ 57.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP11N80AE-GE3 SIHP11N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp11n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.26 грн
50+ 102.77 грн
100+ 84.57 грн
500+ 67.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP11N80AEF-GE3 SIHP11N80AEF-GE3 Vishay MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+204.2 грн
10+ 169.54 грн
25+ 138.67 грн
100+ 119.15 грн
250+ 112.42 грн
500+ 105.69 грн
1000+ 90.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP11N80E-BE3 SIHP11N80E-BE3 Vishay / Siliconix sihp11n80e.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.18 грн
10+ 209.02 грн
50+ 154.16 грн
100+ 142.04 грн
250+ 140.02 грн
500+ 138 грн
1000+ 132.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP11N80E-BE3 SIHP11N80E-BE3 Vishay Siliconix sihp11n80e.pdf Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.57 грн
50+ 176.72 грн
100+ 151.46 грн
500+ 126.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP11N80E-GE3 SIHP11N80E-GE3 Vishay / Siliconix sihp11n80e.pdf MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.18 грн
10+ 205.92 грн
25+ 168.97 грн
100+ 144.73 грн
250+ 136.65 грн
500+ 129.25 грн
1000+ 108.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP21N80AE-GE3 SIHP21N80AE-GE3 Vishay Siliconix sihp21n80ae.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.72 грн
50+ 217.52 грн
100+ 186.44 грн
500+ 155.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP21N80AEF-GE3 SIHP21N80AEF-GE3 Vishay Siliconix sihp21n80aef.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+187.15 грн
10+ 151.81 грн
100+ 122.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP21N80AEF-GE3 SIHP21N80AEF-GE3 Vishay / Siliconix sihp21n80aef.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+201.05 грн
10+ 167.22 грн
25+ 140.02 грн
100+ 117.81 грн
250+ 113.77 грн
500+ 104.34 грн
1000+ 88.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHW21N80AE-GE3 SIHW21N80AE-GE3 Vishay / Siliconix sihw21n80ae.pdf MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+343.21 грн
10+ 329.01 грн
30+ 232.92 грн
120+ 199.93 грн
510+ 173.68 грн
1020+ 147.43 грн
SPA11N80C3 SPA11N80C3 Infineon Technologies Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN-3363593.pdf description MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+208.91 грн
10+ 173.41 грн
25+ 142.04 грн
100+ 121.17 грн
250+ 115.11 грн
500+ 108.38 грн
1000+ 92.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN-3363593.pdf MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+209.69 грн
10+ 186.57 грн
25+ 131.94 грн
100+ 112.42 грн
500+ 105.69 грн
1000+ 87.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies infineon-spa11n80c3-ds-v02_93-en.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA1 Infineon Technologies SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.88 грн
50+ 149.36 грн
100+ 128.03 грн
500+ 106.8 грн
1000+ 91.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N80C3XKSA1 Infineon SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+191.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPP11N80C3
Код товару: 111118		 Infineon-SPP11N80C3-DS-v02_91-en-1227668.pdf
SPP11N80C3
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 800 V
Idd,A: 11 A
Rds(on), Ohm: 0,45 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/8
Монтаж: THT
у наявності: 34 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+165 грн
10+ 149 грн
AL02BT1N802 VIKING-AL.pdf
AL02BT1N802
Виробник: Viking
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 1.8nH; 675mA; 200mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 1.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 10GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.2Ω
Operating current: 675mA
на замовлення 8347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+1.39 грн
1000+ 0.88 грн
1300+ 0.66 грн
3500+ 0.62 грн
Мінімальне замовлення: 300
AL02BT1N802 VIKING-AL.pdf
AL02BT1N802
Виробник: Viking
Category: SMD 0402 inductors
Description: Inductor: thin film; SMD; 0402; 1.8nH; 675mA; 200mΩ; Q: 16; ±0,1nH
Mounting: SMD
Tolerance: ±0,1nH
Inductance: 1.8nH
Type of inductor: thin film
Q factor: 16
Test frequency: 500MHz
Resonant frequency: 10GHz
Case - mm: 1005
Case - inch: 0402
Resistance: 0.2Ω
Operating current: 675mA
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 8347 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
200+1.67 грн
1000+ 1.09 грн
1300+ 0.79 грн
3500+ 0.75 грн
Мінімальне замовлення: 200
APT11N80BC3G High-Voltage-Power-Discretes-and-Modules-Brochure-00003052.pdf
APT11N80BC3G
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: TO-247 [B]
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585 pF @ 25 V
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+305.11 грн
FQD1N80TM fqu1n80-d.pdf
FQD1N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.45 грн
10+ 53.71 грн
100+ 41.78 грн
500+ 33.23 грн
1000+ 27.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD1N80TM FQU1N80_D-2314168.pdf
FQD1N80TM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET Power MOSFET
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.33 грн
10+ 58.84 грн
100+ 39.78 грн
500+ 33.73 грн
1000+ 27.47 грн
2500+ 26.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQD1N80TM fqu1n80-d.pdf
FQD1N80TM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 1A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+28.2 грн
5000+ 25.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FQD1N80TM fqu1n80-d.pdf
Виробник: Fairchild
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 20Ohm; 1A; 45W; -55°C ~ 150°C; FQD1N80TM TFQD1n80tm
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+17.44 грн
Мінімальне замовлення: 50
FQT1N80TF-WS FQT1N80_D-2313844.pdf
FQT1N80TF-WS
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 800V 0.2A 20Ohm N-Channel
на замовлення 15940 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.55 грн
10+ 58.14 грн
100+ 38.91 грн
500+ 33.32 грн
1000+ 26.59 грн
2000+ 25.04 грн
4000+ 24.44 грн
Мінімальне замовлення: 5
MSJB11N80A-TP MSJB11N80A(D2PAK).pdf
MSJB11N80A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+509.74 грн
10+ 420.73 грн
100+ 350.59 грн
MSJB11N80A-TP MSJB11N80A_D2PAK_-3366084.pdf
MSJB11N80A-TP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+546.62 грн
10+ 461.39 грн
25+ 364.19 грн
100+ 334.57 грн
250+ 315.05 грн
500+ 295.52 грн
800+ 264.56 грн
MSJB11N80A-TP MSJB11N80A(D2PAK).pdf
MSJB11N80A-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, D2-PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+321.24 грн
1600+ 278.41 грн
Мінімальне замовлення: 800
MSJP11N80A-BP
MSJP11N80A-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.81 грн
10+ 221.41 грн
25+ 182.43 грн
100+ 156.85 грн
250+ 147.43 грн
500+ 138.67 грн
1000+ 119.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJP11N80A-BP
MSJP11N80A-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, TO-220AB(H)
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB (H)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 918 pF @ 400 V
на замовлення 4992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.5 грн
10+ 202.16 грн
100+ 163.53 грн
500+ 136.41 грн
1000+ 116.8 грн
2000+ 109.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N80A-BP MSJPF11N80A_TO_220F_-3133565.pdf
MSJPF11N80A-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
MOSFET N-Ch 800V Super Junction Power FET
на замовлення 4986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+276.45 грн
10+ 229.15 грн
25+ 187.82 грн
100+ 161.56 грн
250+ 152.14 грн
500+ 143.39 грн
1000+ 122.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
MSJPF11N80A-BP MSJPF11N80A(TO-220F).pdf
MSJPF11N80A-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: N-CHANNEL MOSFET, TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 470mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 958 pF @ 400 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+257.78 грн
10+ 208.68 грн
100+ 168.78 грн
500+ 140.79 грн
1000+ 120.55 грн
2000+ 113.51 грн
5000+ 107.12 грн
Мінімальне замовлення: 2
NTHS0603N01N8002JE nths.pdf
NTHS0603N01N8002JE
Виробник: Vishay / Dale
NTC (Negative Temperature Coefficient) Thermistors 80Kohms 5%
на замовлення 1360 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+548.97 грн
10+ 433.52 грн
25+ 348.7 грн
100+ 301.58 грн
250+ 292.16 грн
500+ 282.73 грн
1000+ 263.88 грн
SIHA11N80AE-GE3 siha11n80ae.pdf
SIHA11N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220FP
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+140.58 грн
10+ 115.35 грн
100+ 79.43 грн
250+ 73.38 грн
500+ 66.37 грн
1000+ 57.22 грн
2500+ 56.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA11N80AE-GE3 siha11n80ae.pdf
SIHA11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+131.8 грн
50+ 101.69 грн
100+ 83.66 грн
500+ 66.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA11N80E-GE3 siha11n80e.pdf
SIHA11N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 1084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.29 грн
50+ 177.41 грн
100+ 152.07 грн
500+ 126.85 грн
1000+ 108.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA11N80E-GE3 siha11n80e.pdf
SIHA11N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+237.18 грн
10+ 214.44 грн
25+ 163.58 грн
100+ 141.37 грн
250+ 137.33 грн
500+ 126.56 грн
1000+ 109.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA21N80AE-GE3 doc?92342
SIHA21N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 879 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.56 грн
10+ 162.57 грн
50+ 133.29 грн
100+ 113.77 грн
250+ 107.71 грн
500+ 101.65 грн
1000+ 82.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA21N80AEF-GE3 siha21n80aef.pdf
SIHA21N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.71 грн
50+ 153.88 грн
100+ 131.89 грн
500+ 110.03 грн
1000+ 94.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB11N80AE-GE3 sihb11n80ae.pdf
SIHB11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.45 грн
10+ 114.58 грн
100+ 91.17 грн
500+ 72.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB11N80AE-GE3 sihb11n80ae.pdf
SIHB11N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CH MOSFET
на замовлення 1137 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+150.01 грн
10+ 123.86 грн
100+ 86.84 грн
250+ 86.17 грн
500+ 70.01 грн
1000+ 63.88 грн
2000+ 59.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHB11N80AE-GE3 sihb11n80ae.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+63.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHB11N80E-GE3 sihb11n80e.pdf
SIHB11N80E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+250.5 грн
10+ 202.16 грн
100+ 163.53 грн
500+ 136.41 грн
1000+ 116.8 грн
2000+ 109.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB11N80E-GE3 sihb11n80e.pdf
SIHB11N80E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 800V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+267.81 грн
10+ 221.41 грн
25+ 182.43 грн
100+ 156.85 грн
250+ 147.43 грн
500+ 138.67 грн
1000+ 114.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB21N80AE-GE3 sihb21n80ae.pdf
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 800V 17.4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+93.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHB21N80AE-GE3 sihb21n80ae.pdf
SIHB21N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.06 грн
10+ 153.92 грн
100+ 124.51 грн
500+ 103.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB21N80AE-GE3 sihb21n80ae.pdf
SIHB21N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CHANNEL
на замовлення 10131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+203.41 грн
10+ 169.54 грн
25+ 138.67 грн
100+ 119.15 грн
250+ 112.42 грн
500+ 105.69 грн
1000+ 87.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD11N80AE-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO252AA
Packaging: Tube
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.97 грн
75+ 91.16 грн
150+ 75 грн
525+ 59.56 грн
1050+ 50.53 грн
2025+ 48.01 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD11N80AE-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CH MOSFET
на замовлення 8875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.59 грн
10+ 103.74 грн
75+ 73.38 грн
525+ 61.73 грн
1050+ 58.5 грн
5025+ 56.28 грн
10050+ 53.18 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD11N80AE-T1-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000
SIHD11N80AE-T1-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.97 грн
10+ 94.24 грн
100+ 75 грн
500+ 59.56 грн
1000+ 50.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD11N80AE-T4-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-T4-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+117.97 грн
10+ 94.24 грн
100+ 75 грн
500+ 59.56 грн
1000+ 50.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHD11N80AE-T4-GE3 sihd11n80ae.pdf
SIHD11N80AE-T4-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+53.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHG11N80AE-GE3 sihg11n80ae.pdf
SIHG11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+181.32 грн
10+ 144.87 грн
100+ 115.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG11N80AE-GE3 sihg11n80ae.pdf
SIHG11N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V N-CH MOSFET E-SERIES PWR
на замовлення 4985 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.99 грн
10+ 133.93 грн
100+ 97.61 грн
250+ 94.24 грн
500+ 85.49 грн
1000+ 76.07 грн
2500+ 73.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG11N80AEF-GE3
SIHG11N80AEF-GE3
Виробник: Vishay
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+259.17 грн
10+ 214.44 грн
25+ 176.37 грн
100+ 150.79 грн
250+ 142.71 грн
500+ 133.96 грн
1000+ 115.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG11N80E-GE3 sihg11n80e.pdf
SIHG11N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+288.23 грн
10+ 239.21 грн
25+ 175.03 грн
100+ 160.22 грн
250+ 154.16 грн
500+ 147.43 грн
1000+ 145.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG21N80AE-GE3 sihg21n80ae.pdf
SIHG21N80AE-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+336.14 грн
10+ 278.69 грн
25+ 196.57 грн
100+ 175.03 грн
250+ 170.99 грн
500+ 152.81 грн
1000+ 146.75 грн
SIHG21N80AE-GE3 sihg21n80ae.pdf
SIHG21N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+313.85 грн
25+ 239.26 грн
100+ 205.06 грн
SIHG21N80AEF-GE3 sihg21n80aef.pdf
SIHG21N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.64 грн
10+ 178.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG21N80AEF-GE3 sihg21n80aef.pdf
SIHG21N80AEF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 168-177 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+236.4 грн
10+ 195.86 грн
100+ 154.16 грн
500+ 115.79 грн
1000+ 102.32 грн
2500+ 101.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP11N80AE-GE3 sihp11n80ae.pdf
SIHP11N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V TO-220AB
на замовлення 1045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+141.37 грн
10+ 116.12 грн
100+ 80.11 грн
250+ 74.05 грн
500+ 66.98 грн
1000+ 57.83 грн
2500+ 57.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP11N80AE-GE3 sihp11n80ae.pdf
SIHP11N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 804 pF @ 100 V
на замовлення 692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.26 грн
50+ 102.77 грн
100+ 84.57 грн
500+ 67.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP11N80AEF-GE3
SIHP11N80AEF-GE3
Виробник: Vishay
MOSFET EF Series Power MOSFET With Fast Body Diode
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+204.2 грн
10+ 169.54 грн
25+ 138.67 грн
100+ 119.15 грн
250+ 112.42 грн
500+ 105.69 грн
1000+ 90.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP11N80E-BE3 sihp11n80e.pdf
SIHP11N80E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.18 грн
10+ 209.02 грн
50+ 154.16 грн
100+ 142.04 грн
250+ 140.02 грн
500+ 138 грн
1000+ 132.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP11N80E-BE3 sihp11n80e.pdf
SIHP11N80E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 800V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+231.57 грн
50+ 176.72 грн
100+ 151.46 грн
500+ 126.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP11N80E-GE3 sihp11n80e.pdf
SIHP11N80E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 800V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+248.18 грн
10+ 205.92 грн
25+ 168.97 грн
100+ 144.73 грн
250+ 136.65 грн
500+ 129.25 грн
1000+ 108.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP21N80AE-GE3 sihp21n80ae.pdf
SIHP21N80AE-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 800V 17.4A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1388 pF @ 100 V
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+284.72 грн
50+ 217.52 грн
100+ 186.44 грн
500+ 155.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP21N80AEF-GE3 sihp21n80aef.pdf
SIHP21N80AEF-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1511 pF @ 100 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+187.15 грн
10+ 151.81 грн
100+ 122.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP21N80AEF-GE3 sihp21n80aef.pdf
SIHP21N80AEF-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+201.05 грн
10+ 167.22 грн
25+ 140.02 грн
100+ 117.81 грн
250+ 113.77 грн
500+ 104.34 грн
1000+ 88.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHW21N80AE-GE3 sihw21n80ae.pdf
SIHW21N80AE-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 800V
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+343.21 грн
10+ 329.01 грн
30+ 232.92 грн
120+ 199.93 грн
510+ 173.68 грн
1020+ 147.43 грн
SPA11N80C3 description Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN-3363593.pdf
SPA11N80C3
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 1284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.91 грн
10+ 173.41 грн
25+ 142.04 грн
100+ 121.17 грн
250+ 115.11 грн
500+ 108.38 грн
1000+ 92.9 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N80C3XKSA1 Infineon_SPA11N80C3_DS_v02_93_EN-3363593.pdf
SPA11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 800V 11A TO220FP-3 CoolMOS C3
на замовлення 253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+209.69 грн
10+ 186.57 грн
25+ 131.94 грн
100+ 112.42 грн
500+ 105.69 грн
1000+ 87.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N80C3XKSA1 infineon-spa11n80c3-ds-v02_93-en.pdf
SPA11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
SPA11N80C3XKSA1 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
SPA11N80C3XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220-FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 7.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 680µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-31
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 100 V
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.88 грн
50+ 149.36 грн
100+ 128.03 грн
500+ 106.8 грн
1000+ 91.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
SPA11N80C3XKSA1 SPP_A11N80C3_Rev[1].2.6.pdf?folderId=db3a3043163797a6011638491238009b&fileId=db3a3043163797a60116385b2fcc00ec
Виробник: Infineon
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP SPA11N80C3XKSA1 SPA11N80C3XKSA2 SPA11N80C3 TSPA11n80c3
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 16 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+191.88 грн
Мінімальне замовлення: 4
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]