Результат пошуку "20n6" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.81 грн
3+ 197.7 грн
6+ 149.14 грн
15+ 140.82 грн
50+ 135.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW20N60H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+284.18 грн
3+ 246.36 грн
6+ 178.97 грн
15+ 168.98 грн
50+ 162.32 грн
IHW20N65R5XKSA1 IHW20N65R5XKSA1 Infineon Technologies DS_IHW20N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae1140b900d8 Description: IGBT 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.57 грн
30+ 144.29 грн
120+ 118.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N60H3 IKB20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.96 грн
10+ 116.41 грн
100+ 84.57 грн
250+ 82.58 грн
500+ 75.25 грн
1000+ 66.59 грн
2000+ 65.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3ATMA1 Infineon Technologies IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.04 грн
10+ 125.7 грн
100+ 100.03 грн
500+ 79.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N60T IKB20N60T Infineon Technologies Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+164.71 грн
10+ 140.15 грн
100+ 103.22 грн
250+ 101.89 грн
500+ 91.9 грн
1000+ 83.91 грн
2000+ 81.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 Infineon Technologies IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.5 грн
2000+ 84.62 грн
5000+ 81.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKB20N60TATMA1 IKB20N60TATMA1 Infineon Technologies IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12 Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 8533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.22 грн
10+ 155.87 грн
100+ 124.06 грн
500+ 98.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+236.81 грн
5+ 198.39 грн
6+ 151.92 грн
15+ 143.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKB20N65EH5.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+284.18 грн
5+ 247.23 грн
6+ 182.3 грн
15+ 172.31 грн
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon_IKB20N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3362061.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+213.65 грн
10+ 177.67 грн
25+ 145.84 грн
100+ 125.2 грн
250+ 118.54 грн
500+ 110.55 грн
1000+ 94.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60H3 IKP20N60H3 Infineon Technologies Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en-3360246.pdf IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+184.13 грн
10+ 147.8 грн
100+ 104.55 грн
500+ 88.57 грн
1000+ 69.26 грн
5000+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60T Infineon INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw 40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+238.31 грн
3+ 200.47 грн
6+ 152.61 грн
15+ 144.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+285.97 грн
3+ 249.82 грн
6+ 183.13 грн
15+ 173.14 грн
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60TXKSA1 Infineon Technologies 43108097755415224dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304323b87bc.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N65F5XKSA1 IKP20N65F5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKP20N65F5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4e909416cdc Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.9 грн
10+ 152.61 грн
100+ 121.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N65H5 IKP20N65H5 Infineon Technologies Infineon_IKP20N65H5_DS_v02_01_EN-3360258.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.66 грн
10+ 134.79 грн
100+ 101.89 грн
500+ 89.9 грн
1000+ 80.58 грн
5000+ 77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKP20N65H5-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.84 грн
7+ 129.72 грн
18+ 122.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikp20n65h5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKP20N65H5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461464245d30146a500cc446cf4 Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns
Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.06 грн
50+ 149.24 грн
100+ 122.8 грн
500+ 97.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ120N60T-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149d230bd094df7 Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 241 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns
Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 703 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.8 грн
30+ 614.76 грн
120+ 578.61 грн
510+ 492.1 грн
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+856.95 грн
10+ 803.35 грн
25+ 584.03 грн
50+ 583.36 грн
100+ 552.06 грн
240+ 544.07 грн
480+ 464.82 грн
IKQ120N60TXKSA1 IKQ120N60TXKSA1 Infineon Technologies infineon-ikq120n60t-ds-v02_03-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.68 грн
IKQ120N65EH7XKSA1 IKQ120N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKQ120N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250810c82046 IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+841.41 грн
10+ 710.69 грн
25+ 561.38 грн
100+ 515.43 грн
240+ 484.14 грн
480+ 454.17 грн
1200+ 408.88 грн
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.71 грн
3+ 220.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60H3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+316.45 грн
3+ 274.89 грн
5+ 202.28 грн
14+ 191.46 грн
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3FKSA1 Infineon Technologies 8580ikw20n60h3_2_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileidd.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60T IKW20N60T Infineon Technologies Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.27 грн
10+ 215.2 грн
25+ 176.47 грн
100+ 151.83 грн
240+ 142.51 грн
480+ 134.52 грн
1200+ 114.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW20N60T.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 Infineon Technologies IGBT%20Selection%20Guide.pdf Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+239.16 грн
30+ 182.51 грн
120+ 156.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw20n60t-ds-v02_08-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1 Infineon IGBT%20Selection%20Guide.pdf 40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+158.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW20N65ET7XKSA1 IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW20N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361706.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.28 грн
10+ 209.07 грн
25+ 172.48 грн
100+ 147.17 грн
240+ 138.51 грн
480+ 130.52 грн
1200+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N65ET7XKSA1 IKW20N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bea06e57ef Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.68 грн
30+ 177.72 грн
120+ 152.34 грн
510+ 127.08 грн
1020+ 108.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH20N65WR6XKSA1 IKWH20N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKWH20N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3362364.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.56 грн
10+ 156.23 грн
100+ 111.21 грн
240+ 101.89 грн
480+ 93.9 грн
1200+ 75.25 грн
5040+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH20N65WR6XKSA1 IKWH20N65WR6XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH20N65WR6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce6381926fd1 Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.81 грн
30+ 139.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKY120N65EH7XKSA1 IKY120N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKY120N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507fb37203f IGBT Modules INDUSTRY 14
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+888.02 грн
10+ 771.19 грн
25+ 652.62 грн
50+ 615.99 грн
100+ 580.03 грн
240+ 562.05 грн
480+ 525.42 грн
IXFK120N65X2 IXFK120N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1591.28 грн
25+ 1269.94 грн
100+ 1190.57 грн
IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 IXYS media-3323505.pdf MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1727.88 грн
10+ 1598.28 грн
30+ 1252.62 грн
120+ 1174.04 грн
270+ 1090.14 грн
510+ 1061.5 грн
IXFX120N65X2 IXFX120N65X2 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXGK320N60B3 IXGK320N60B3 IXYS media-3320611.pdf IGBT Modules GenX3 600V IGBTs
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2027.77 грн
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn320n60a3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 735 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2406.73 грн
10+ 2064.75 грн
100+ 1812.34 грн
IXGN320N60A3 IXGN320N60A3 IXYS media-3319728.pdf IGBT Transistors 320 Amps 600V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+2592.6 грн
10+ 2295.18 грн
20+ 1950.53 грн
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS IXGK(x)320N60B3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 1.2kA
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 1.7kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1730.15 грн
2+ 1577.59 грн
IXGX320N60B3 IXGX320N60B3 IXYS media-3320611.pdf IGBT Modules GenX3 600V IGBTs
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1783.04 грн
IXKC20N60C IXKC20N60C IXYS media-3322953.pdf MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+851.51 грн
10+ 723.71 грн
IXKH20N60C5 IXKH20N60C5 IXYS IXK(H)20N60C5.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+537.87 грн
3+ 371.71 грн
8+ 338.79 грн
IXTA20N65X2 IXTA20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+404.3 грн
3+ 350.96 грн
4+ 268.87 грн
10+ 254.72 грн
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS IXTA(H,P)20N65X.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+724.33 грн
2+ 501.37 грн
3+ 481.97 грн
6+ 456.17 грн
IXTH20N65X IXTH20N65X IXYS media-3323101.pdf MOSFET 650V/9A Power MOSFET
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+728.76 грн
10+ 615.72 грн
30+ 486.13 грн
120+ 446.18 грн
270+ 420.21 грн
510+ 393.57 грн
1020+ 354.28 грн
IXTH20N65X2 IXTH20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.89 грн
30+ 314.79 грн
120+ 281.65 грн
IXTK120N65X2 IXTK120N65X2 IXYS media-3319906.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1675.05 грн
10+ 1484.17 грн
25+ 1203.35 грн
50+ 1166.05 грн
100+ 1128.09 грн
250+ 1071.49 грн
500+ 1040.86 грн
IXTP20N65X2 IXTP20N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.44 грн
50+ 246.77 грн
100+ 211.52 грн
IXTP20N65XM IXTP20N65XM IXYS IXTP20N65XM.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 63W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 63W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+635.58 грн
3+ 440 грн
7+ 401.23 грн
IXTX120N65X2 IXTX120N65X2 IXYS media-3319906.pdf MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1677.38 грн
10+ 1531.65 грн
30+ 1192.02 грн
60+ 1171.38 грн
120+ 1118.11 грн
270+ 1074.15 грн
510+ 1030.2 грн
IXTX120N65X2 IXTX120N65X2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_120n65x2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1544.46 грн
30+ 1232.95 грн
120+ 1155.9 грн
510+ 925.67 грн
IXYA20N65C3D1 IXYA20N65C3D1 IXYS IXY_20N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+302.1 грн
3+ 261.92 грн
5+ 201.45 грн
14+ 189.79 грн
IXYH120N65A5 IXYH120N65A5 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh120n65a5_datashe-2530106.pdf IGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+919.88 грн
10+ 833.22 грн
120+ 611.99 грн
270+ 542.07 грн
510+ 502.12 грн
1020+ 474.15 грн
2520+ 462.83 грн
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+236.81 грн
3+ 197.7 грн
6+ 149.14 грн
15+ 140.82 грн
50+ 135.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW20N60H3FKSA1 IGW20N60H3-DTE.pdf
IGW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 170W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 170W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+284.18 грн
3+ 246.36 грн
6+ 178.97 грн
15+ 168.98 грн
50+ 162.32 грн
IHW20N65R5XKSA1 DS_IHW20N65R5_1_2.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=5546d461464245d30146ae1140b900d8
IHW20N65R5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 68 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/250ns
Switching Energy: 300µJ (on), 70µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 20Ohm, 15V
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 150 W
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+186.57 грн
30+ 144.29 грн
120+ 118.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N60H3 Infineon_IKB20N60H3_DS_v02_03_en-3360250.pdf
IKB20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600v Hi-Speed SW IGBT
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+135.96 грн
10+ 116.41 грн
100+ 84.57 грн
250+ 82.58 грн
500+ 75.25 грн
1000+ 66.59 грн
2000+ 65.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0
IKB20N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+74.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKB20N60H3ATMA1 IKB20N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30432a40a650012a476e38862bd0
IKB20N60H3ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 112 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/194ns
Switching Energy: 690µJ
Test Condition: 400V, 20A, 14.6Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 80 A
Power - Max: 170 W
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.04 грн
10+ 125.7 грн
100+ 100.03 грн
500+ 79.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N60T Infineon_IKB20N60T_DS_v02_07_EN-3360257.pdf
IKB20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+164.71 грн
10+ 140.15 грн
100+ 103.22 грн
250+ 101.89 грн
500+ 91.9 грн
1000+ 83.91 грн
2000+ 81.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12
IKB20N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+92.5 грн
2000+ 84.62 грн
5000+ 81.44 грн
Мінімальне замовлення: 1000
IKB20N60TATMA1 IKB20N60T+Rev2_4G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42883273e12
IKB20N60TATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 8533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.22 грн
10+ 155.87 грн
100+ 124.06 грн
500+ 98.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+236.81 грн
5+ 198.39 грн
6+ 151.92 грн
15+ 143.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB20N65EH5ATMA1 IKB20N65EH5.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 25A; 62.5W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 5
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 25A
Power dissipation: 62.5W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: SMD
Gate charge: 48nC
Kind of package: reel; tape
Turn-on time: 40ns
Turn-off time: 183ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 957 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+284.18 грн
5+ 247.23 грн
6+ 182.3 грн
15+ 172.31 грн
IKB20N65EH5ATMA1 Infineon_IKB20N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3362061.pdf
IKB20N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.65 грн
10+ 177.67 грн
25+ 145.84 грн
100+ 125.2 грн
250+ 118.54 грн
500+ 110.55 грн
1000+ 94.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60H3 Infineon_IKP20N60H3_DS_v02_02_en-3360246.pdf
IKP20N60H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V HI SPEED SW IGBT
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+184.13 грн
10+ 147.8 грн
100+ 104.55 грн
500+ 88.57 грн
1000+ 69.26 грн
5000+ 67.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60T INFN-S-A0001299335-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: Infineon
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T TIKP20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+119.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+238.31 грн
3+ 200.47 грн
6+ 152.61 грн
15+ 144.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N60TXKSA1 IKP20N60T.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO220-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+285.97 грн
3+ 249.82 грн
6+ 183.13 грн
15+ 173.14 грн
IKP20N60TXKSA1 43108097755415224dgdlfolderid5546d4694909da4801490a07012f053bfileiddb3a304323b87bc.pdf
IKP20N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+80.8 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N65F5XKSA1 Infineon-IKP20N65F5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461464245d30146a4e909416cdc
IKP20N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 53 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/165ns
Switching Energy: 160µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+190.9 грн
10+ 152.61 грн
100+ 121.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N65H5 Infineon_IKP20N65H5_DS_v02_01_EN-3360258.pdf
IKP20N65H5
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS TrenchStop 5
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+206.66 грн
10+ 134.79 грн
100+ 101.89 грн
500+ 89.9 грн
1000+ 80.58 грн
5000+ 77.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKP20N65H5XKSA1 IKP20N65H5-DTE.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 20A; 125W; TO220-3; H5
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 125W
Case: TO220-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 48nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H5
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.84 грн
7+ 129.72 грн
18+ 122.78 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKP20N65H5XKSA1 infineon-ikp20n65h5-ds-v02_01-en.pdf
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 125000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKP20N65H5XKSA1 Infineon-IKP20N65H5-DS-v02_01-en.pdf?fileId=5546d461464245d30146a500cc446cf4
IKP20N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 42A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 52 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO220-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/156ns
Switching Energy: 170µJ (on), 60µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 32Ohm, 15V
Gate Charge: 48 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 125 W
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+193.06 грн
50+ 149.24 грн
100+ 122.8 грн
500+ 97.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKQ120N60TXKSA1 Infineon-IKQ120N60T-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46249cd10140149d230bd094df7
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 160A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 241 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 120A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-46
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 50ns/565ns
Switching Energy: 6.2mJ (on), 5.9mJ (off)
Test Condition: 400V, 120A, 3Ohm, 15V
Gate Charge: 703 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 480 A
Power - Max: 833 W
на замовлення 704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+788.8 грн
30+ 614.76 грн
120+ 578.61 грн
510+ 492.1 грн
IKQ120N60TXKSA1 Infineon_IKQ120N60T_DS_v02_03_EN-3362010.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+856.95 грн
10+ 803.35 грн
25+ 584.03 грн
50+ 583.36 грн
100+ 552.06 грн
240+ 544.07 грн
480+ 464.82 грн
IKQ120N60TXKSA1 infineon-ikq120n60t-ds-v02_03-en.pdf
IKQ120N60TXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 160A 833000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 59 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+495.68 грн
IKQ120N65EH7XKSA1 Infineon-IKQ120N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250810c82046
IKQ120N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+841.41 грн
10+ 710.69 грн
25+ 561.38 грн
100+ 515.43 грн
240+ 484.14 грн
480+ 454.17 грн
1200+ 408.88 грн
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+263.71 грн
3+ 220.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60H3FKSA1 IKW20N60H3.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 85W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 85W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 28ns
Turn-off time: 205ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+316.45 грн
3+ 274.89 грн
5+ 202.28 грн
14+ 191.46 грн
IKW20N60H3FKSA1 8580ikw20n60h3_2_2.pdffolderiddb3a3043156fd5730115f56849b61941fileidd.pdf
IKW20N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 170000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+91.68 грн
Мінімальне замовлення: 4
IKW20N60T Infineon_IKW20N60T_DS_v02_08_EN-3362092.pdf
IKW20N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 20A
на замовлення 861 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.27 грн
10+ 215.2 грн
25+ 176.47 грн
100+ 151.83 грн
240+ 142.51 грн
480+ 134.52 грн
1200+ 114.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1 IKW20N60T.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 20A; 166W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 20A
Power dissipation: 166W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 60A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 299ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IKW20N60TFKSA1 IGBT%20Selection%20Guide.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 41 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/199ns
Switching Energy: 770µJ
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 166 W
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.16 грн
30+ 182.51 грн
120+ 156.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N60TFKSA1 infineon-ikw20n60t-ds-v02_08-en.pdf
IKW20N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 40A 166000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.87 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW20N60TFKSA1 IGBT%20Selection%20Guide.pdf
Виробник: Infineon
40A; 600V; 166W; IGBT w/ Diode   IKW20N60T TIKW20n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+158.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKW20N65ET7XKSA1 Infineon_IKW20N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361706.pdf
IKW20N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 4170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.28 грн
10+ 209.07 грн
25+ 172.48 грн
100+ 147.17 грн
240+ 138.51 грн
480+ 130.52 грн
1200+ 105.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW20N65ET7XKSA1 Infineon-IKW20N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bea06e57ef
IKW20N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 40A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/210ns
Switching Energy: 360µJ (on), 360µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 128 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.68 грн
30+ 177.72 грн
120+ 152.34 грн
510+ 127.08 грн
1020+ 108.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH20N65WR6XKSA1 Infineon_IKWH20N65WR6_DataSheet_v01_10_EN-3362364.pdf
IKWH20N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 263 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+196.56 грн
10+ 156.23 грн
100+ 111.21 грн
240+ 101.89 грн
480+ 93.9 грн
1200+ 75.25 грн
5040+ 73.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKWH20N65WR6XKSA1 Infineon-IKWH20N65WR6-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46279cccfdb0179ce6381926fd1
IKWH20N65WR6XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 97 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 136 W
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.81 грн
30+ 139.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKY120N65EH7XKSA1 Infineon-IKY120N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892507fb37203f
IKY120N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Modules INDUSTRY 14
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+888.02 грн
10+ 771.19 грн
25+ 652.62 грн
50+ 615.99 грн
100+ 580.03 грн
240+ 562.05 грн
480+ 525.42 грн
IXFK120N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_120n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXFK120N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 120A TO264
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
Supplier Device Package: TO-264AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15500 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1591.28 грн
25+ 1269.94 грн
100+ 1190.57 грн
IXFX120N65X2 media-3323505.pdf
IXFX120N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET 650V/120A Ultra Junction X2
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1727.88 грн
10+ 1598.28 грн
30+ 1252.62 грн
120+ 1174.04 грн
270+ 1090.14 грн
510+ 1061.5 грн
IXFX120N65X2 media.pdf
IXFX120N65X2
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 650V 120A 3-Pin(3+Tab) PLUS 247
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IXGK320N60B3 media-3320611.pdf
IXGK320N60B3
Виробник: IXYS
IGBT Modules GenX3 600V IGBTs
на замовлення 187 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2027.77 грн
IXGN320N60A3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixgn320n60a3_datasheet.pdf.pdf
IXGN320N60A3
Виробник: IXYS
Description: IGBT MOD 600V 320A 735W SOT227B
Packaging: Tube
Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: SOT-227B
IGBT Type: PT
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 320 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Power - Max: 735 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18 nF @ 25 V
на замовлення 1405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2406.73 грн
10+ 2064.75 грн
100+ 1812.34 грн
IXGN320N60A3 media-3319728.pdf
IXGN320N60A3
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 320 Amps 600V
на замовлення 132 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+2592.6 грн
10+ 2295.18 грн
20+ 1950.53 грн
IXGX320N60B3 IXGK(x)320N60B3.pdf
IXGX320N60B3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 320A; 1.7kW; PLUS247™
Mounting: THT
Case: PLUS247™
Kind of package: tube
Gate charge: 585nC
Technology: GenX3™; PT
Pulsed collector current: 1.2kA
Type of transistor: IGBT
Turn-on time: 107ns
Turn-off time: 595ns
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 320A
Collector-emitter voltage: 600V
Power dissipation: 1.7kW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1730.15 грн
2+ 1577.59 грн
IXGX320N60B3 media-3320611.pdf
IXGX320N60B3
Виробник: IXYS
IGBT Modules GenX3 600V IGBTs
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1783.04 грн
IXKC20N60C media-3322953.pdf
IXKC20N60C
Виробник: IXYS
MOSFET 14 Amps 600V 0.19 Rds
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+851.51 грн
10+ 723.71 грн
IXKH20N60C5 IXK(H)20N60C5.pdf
IXKH20N60C5
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; 208W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 32nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: super junction coolmos
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 246 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+537.87 грн
3+ 371.71 грн
8+ 338.79 грн
IXTA20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTA20N65X2
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; Idm: 22A; 290W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 290W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.185Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 27nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+404.3 грн
3+ 350.96 грн
4+ 268.87 грн
10+ 254.72 грн
IXTH20N65X IXTA(H,P)20N65X.pdf
IXTH20N65X
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 320W; TO247-3; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 320W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 275 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+724.33 грн
2+ 501.37 грн
3+ 481.97 грн
6+ 456.17 грн
IXTH20N65X media-3323101.pdf
IXTH20N65X
Виробник: IXYS
MOSFET 650V/9A Power MOSFET
на замовлення 273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+728.76 грн
10+ 615.72 грн
30+ 486.13 грн
120+ 446.18 грн
270+ 420.21 грн
510+ 393.57 грн
1020+ 354.28 грн
IXTH20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTH20N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+409.89 грн
30+ 314.79 грн
120+ 281.65 грн
IXTK120N65X2 media-3319906.pdf
IXTK120N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1675.05 грн
10+ 1484.17 грн
25+ 1203.35 грн
50+ 1166.05 грн
100+ 1128.09 грн
250+ 1071.49 грн
500+ 1040.86 грн
IXTP20N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_20n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTP20N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 290W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+323.44 грн
50+ 246.77 грн
100+ 211.52 грн
IXTP20N65XM IXTP20N65XM.pdf
IXTP20N65XM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 20A; 63W; TO220FP; 350ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20A
Power dissipation: 63W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.21Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 0.35µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+635.58 грн
3+ 440 грн
7+ 401.23 грн
IXTX120N65X2 media-3319906.pdf
IXTX120N65X2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH ULTRA JNCT X2 3&44
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1677.38 грн
10+ 1531.65 грн
30+ 1192.02 грн
60+ 1171.38 грн
120+ 1118.11 грн
270+ 1074.15 грн
510+ 1030.2 грн
IXTX120N65X2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixt_120n65x2_datasheet.pdf.pdf
IXTX120N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 120A PLUS247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3 Variant
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 1250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 8mA
Supplier Device Package: PLUS247™-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13600 pF @ 25 V
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1544.46 грн
30+ 1232.95 грн
120+ 1155.9 грн
510+ 925.67 грн
IXYA20N65C3D1 IXY_20N65C3D1.pdf
IXYA20N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 20A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 20A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 105A
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 51ns
Turn-off time: 132ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+302.1 грн
3+ 261.92 грн
5+ 201.45 грн
14+ 189.79 грн
IXYH120N65A5 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixyh120n65a5_datashe-2530106.pdf
IXYH120N65A5
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT thin-wafer technology, 5th generation (GenX5 ) Trench IGBT. Disc IGBT XPT-GenX5 TO247
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+919.88 грн
10+ 833.22 грн
120+ 611.99 грн
270+ 542.07 грн
510+ 502.12 грн
1020+ 474.15 грн
2520+ 462.83 грн
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]