Результат пошуку "25n120" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109) FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109)
Код товару: 34959 		ON FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 1200 V
Vce: 2,0 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 25 A
Pd 25: 312 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/190
у наявності: 193 шт
очікується: 20 шт
1+225 грн
10+ 214 грн
100+ 207 грн
25N120
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA25N120ANTDTU-F109 FGA25N120ANTDTU-F109 onsemi / Fairchild FGA25N120ANTDTU_D-2313488.pdf IGBT Transistors Copak Discrete
на замовлення 900 шт:
термін постачання 1516-1525 дні (днів)
2+279.76 грн
10+ 231.46 грн
25+ 189.98 грн
100+ 163.41 грн
250+ 154.11 грн
450+ 144.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+320.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW25N120H3 IGW25N120H3 Infineon Technologies Infineon_IGW25N120H3_DataSheet_v02_01_EN-3361597.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.86 грн
10+ 310.14 грн
25+ 255.08 грн
100+ 218.54 грн
240+ 205.92 грн
480+ 193.96 грн
1200+ 165.4 грн
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+346.5 грн
3+ 289.23 грн
4+ 222.8 грн
11+ 210.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+415.8 грн
3+ 360.42 грн
4+ 267.36 грн
11+ 252.42 грн
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IGW25N120H3_DataSheet_v02_01_EN-3361597.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+375.08 грн
10+ 351.39 грн
25+ 255.08 грн
100+ 218.54 грн
240+ 214.56 грн
480+ 165.4 грн
1200+ 156.1 грн
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+349.93 грн
30+ 267.11 грн
120+ 228.96 грн
510+ 190.99 грн
1020+ 163.54 грн
2010+ 153.99 грн
IGW25N120H3FKSA1 Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e 50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+236.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IHW25N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2acb89b20c1 Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.31 грн
30+ 168.99 грн
120+ 144.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120E1XKSA1 IHW25N120E1XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IHW25N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362415.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.09 грн
10+ 203.2 грн
25+ 150.12 грн
100+ 132.85 грн
480+ 104.95 грн
1200+ 98.97 грн
2640+ 98.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+566.22 грн
IKW25N120CS7XKSA1 IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449262.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+547.13 грн
10+ 472.85 грн
25+ 334.79 грн
100+ 295.59 грн
480+ 268.36 грн
1200+ 251.75 грн
2640+ 242.45 грн
IKW25N120CS7XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw25n120cs7-datasheet-v01_00-en.pdf SP005419560
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3 IKW25N120H3 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362167.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.06 грн
10+ 375.07 грн
25+ 295.59 грн
100+ 271.68 грн
240+ 255.08 грн
480+ 239.13 грн
1200+ 215.22 грн
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+506.71 грн
3+ 360.5 грн
7+ 341.12 грн
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120H3-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+608.05 грн
3+ 449.24 грн
7+ 409.35 грн
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4 Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+413.88 грн
30+ 318.17 грн
120+ 284.68 грн
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies ikw25n120h3_rev1_2g.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362167.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+423.91 грн
10+ 409.45 грн
25+ 292.27 грн
100+ 264.37 грн
240+ 263.71 грн
480+ 215.22 грн
1200+ 205.26 грн
IKW25N120H3XK IKW25N120H3XK Infineon Technologies Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-1226178.pdf IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+413.83 грн
10+ 358.27 грн
25+ 284.3 грн
100+ 263.71 грн
240+ 249.1 грн
480+ 234.48 грн
1200+ 215.22 грн
IKW25N120T2 IKW25N120T2 Infineon Technologies Infineon_IKW25N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362263.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+423.91 грн
10+ 413.27 грн
25+ 287.62 грн
100+ 269.69 грн
240+ 269.02 грн
480+ 221.2 грн
1200+ 211.9 грн
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.32 грн
3+ 360.5 грн
7+ 341.12 грн
100+ 327.98 грн
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKW25N120T2.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+679.59 грн
3+ 449.24 грн
7+ 409.35 грн
100+ 393.57 грн
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2FKSA1 Infineon Technologies IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.82 грн
30+ 327.77 грн
120+ 293.27 грн
IKW25N120T2FKSA1 Infineon IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1 50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+264.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRG8P25N120KD-EPBF IRG8P25N120KD-EPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IRG8P25N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 9825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+278.53 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRG8P25N120KDPBF IRG8P25N120KDPBF International Rectifier IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 13927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
87+234.12 грн
Мінімальне замовлення: 87
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA-BP Micro Commercial Components (MCC) MIW25N120FA_TO_247AB_-3044631.pdf IGBT Transistors
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.73 грн
10+ 313.96 грн
25+ 258.4 грн
100+ 221.2 грн
250+ 208.58 грн
500+ 196.62 грн
1000+ 168.72 грн
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA-BP Micro Commercial Co MIW25N120FA(TO-247AB).pdf Description: IGBT 1200V 25A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 158ns/331ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.53 грн
10+ 286.32 грн
100+ 231.63 грн
500+ 193.22 грн
NGTB25N120FL2WAG NGTB25N120FL2WAG onsemi ngtb25n120fl2wa-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 8762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+171.56 грн
Мінімальне замовлення: 118
NGTB25N120FL2WG onsemi NGTB25N120FL2W_D-2318216.pdf IGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+520 грн
10+ 451.46 грн
30+ 324.16 грн
120+ 318.84 грн
180+ 265.7 грн
540+ 251.75 грн
1080+ 241.13 грн
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2WG onsemi ngtb25n120fl2w-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.02 грн
30+ 372.84 грн
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG onsemi ngtb25n120fl3w-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.6 грн
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3WG onsemi NGTB25N120FL3W_D-2317650.pdf IGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+444.06 грн
10+ 433.13 грн
30+ 303.57 грн
120+ 269.02 грн
180+ 239.8 грн
540+ 215.88 грн
1080+ 205.26 грн
NGTG25N120FL2WG NGTG25N120FL2WG onsemi ONSMS38797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 48084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+179.63 грн
Мінімальне замовлення: 113
SGW25N120FKSA1 SGW25N120FKSA1 Infineon Technologies sgw25n120_rev2g_1.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SKW25N120 SKW25N120 INFINEON TECHNOLOGIES SKW25N120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1082.72 грн
2+ 692.63 грн
4+ 654.57 грн
SKW25N120 SKW25N120 INFINEON TECHNOLOGIES SKW25N120.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1299.26 грн
2+ 863.12 грн
4+ 785.49 грн
Транзистор IGBT FGA25N120ANTD 25A 1200V TO-3P
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
2+137.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT IKW25N120H3 25A 1200V TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+397.1 грн
6MBI25N-120 FUJI MODULE
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA25N120AN
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA25N120ANTDTU-F109 ON Semiconductor fga25n120antdtu-d.pdf
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA25N120D FAIRCHILD 2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH25N120FTDS ON Semiconductor fgh25n120ftds-d.pdf
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA25N120D XI.M.Z 2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G25N120 TOSHIBA 2002 TO-3PL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G25N120CND FAIR ZIP-3;
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW25N120H3FKSA1 Infineon DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120 MODULE
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120R2 Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW25N120H3 Infineon 50A; 1200V; 326W; IGBT w/ Diode IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
MGY25N120CX
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB25N120SWG ON Semiconductor ngtb25n120sw-d.pdf
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDH25N120P SW 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDL25N120P SW 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGA25N120ANTD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH25N120RUF
на замовлення 6491 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109)
Код товару: 34959		 FGA25N120ANTD FAIR IGPT.pdf
FGA25N120ANTD (FGA25N120ANTDTU_F109)
Виробник: ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-3P
Vces: 1200 V
Vce: 2,0 V
Ic 25: 50 A
Ic 100: 25 A
Pd 25: 312 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 50/190
у наявності: 193 шт
очікується: 20 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+225 грн
10+ 214 грн
100+ 207 грн
25N120
на замовлення 2006 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA25N120ANTDTU-F109 FGA25N120ANTDTU_D-2313488.pdf
FGA25N120ANTDTU-F109
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors Copak Discrete
на замовлення 900 шт:
термін постачання 1516-1525 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+279.76 грн
10+ 231.46 грн
25+ 189.98 грн
100+ 163.41 грн
250+ 154.11 грн
450+ 144.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH25N120FTDS; Field Stop Trench IGBT; 25A 1200V 313W; Корпус: TO-247; Fairchild
на замовлення 4 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+320.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW25N120H3 Infineon_IGW25N120H3_DataSheet_v02_01_EN-3361597.pdf
IGW25N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.86 грн
10+ 310.14 грн
25+ 255.08 грн
100+ 218.54 грн
240+ 205.92 грн
480+ 193.96 грн
1200+ 165.4 грн
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3-DTE.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
на замовлення 164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+346.5 грн
3+ 289.23 грн
4+ 222.8 грн
11+ 210.35 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3-DTE.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Mounting: THT
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 164 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+415.8 грн
3+ 360.42 грн
4+ 267.36 грн
11+ 252.42 грн
IGW25N120H3FKSA1 Infineon_IGW25N120H3_DataSheet_v02_01_EN-3361597.pdf
IGW25N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 5223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.08 грн
10+ 351.39 грн
25+ 255.08 грн
100+ 218.54 грн
240+ 214.56 грн
480+ 165.4 грн
1200+ 156.1 грн
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
IGW25N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 3237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+349.93 грн
30+ 267.11 грн
120+ 228.96 грн
510+ 190.99 грн
1020+ 163.54 грн
2010+ 153.99 грн
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
Виробник: Infineon
50A; 1200V; 326W; IGBT IGW25N120H3FKSA1 IGW25N120H3 TIGW25n120h3
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+236.94 грн
Мінімальне замовлення: 5
IHW25N120E1XKSA1 Infineon-IHW25N120E1-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4625696ed760156a2acb89b20c1
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT/TRENCH 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: NPT and Trench
Switching Energy: 800µJ (off)
Gate Charge: 147 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 231 W
на замовлення 127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+221.31 грн
30+ 168.99 грн
120+ 144.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
IHW25N120E1XKSA1 Infineon_IHW25N120E1_DataSheet_v02_01_EN-3362415.pdf
IHW25N120E1XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 173 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+220.09 грн
10+ 203.2 грн
25+ 150.12 грн
100+ 132.85 грн
480+ 104.95 грн
1200+ 98.97 грн
2640+ 98.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120CS7XKSA1 Infineon-IKW25N120CS7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46278d64ffd0178f97da3d005a3
IKW25N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 55A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 150 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/160ns
Switching Energy: 1.2mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 55 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+566.22 грн
IKW25N120CS7XKSA1 Infineon_IKW25N120CS7_DataSheet_v01_00_EN-2449262.pdf
IKW25N120CS7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+547.13 грн
10+ 472.85 грн
25+ 334.79 грн
100+ 295.59 грн
480+ 268.36 грн
1200+ 251.75 грн
2640+ 242.45 грн
IKW25N120CS7XKSA1 infineon-ikw25n120cs7-datasheet-v01_00-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SP005419560
на замовлення 1907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+224.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3 Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362167.pdf
IKW25N120H3
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 1638 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+444.06 грн
10+ 375.07 грн
25+ 295.59 грн
100+ 271.68 грн
240+ 255.08 грн
480+ 239.13 грн
1200+ 215.22 грн
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+506.71 грн
3+ 360.5 грн
7+ 341.12 грн
IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3-DTE.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 326W; TO247-3; H3
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 3
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 326W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 115nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: H3
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+608.05 грн
3+ 449.24 грн
7+ 409.35 грн
IKW25N120H3FKSA1 Infineon-IKW25N120H3-DS-v01_02-en.pdf?folderId=5546d4694909da4801490a07012f053b&fileId=db3a304340e762c80140ed6d64cf2df4
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 290 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/277ns
Switching Energy: 2.65mJ
Test Condition: 600V, 25A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 115 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+413.88 грн
30+ 318.17 грн
120+ 284.68 грн
IKW25N120H3FKSA1 ikw25n120h3_rev1_2g.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 326000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+226.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW25N120H3FKSA1 Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-3362167.pdf
IKW25N120H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 480 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+423.91 грн
10+ 409.45 грн
25+ 292.27 грн
100+ 264.37 грн
240+ 263.71 грн
480+ 215.22 грн
1200+ 205.26 грн
IKW25N120H3XK Infineon_IKW25N120H3_DataSheet_v01_10_EN-1226178.pdf
IKW25N120H3XK
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors IGBT PRODUCTS
на замовлення 479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+413.83 грн
10+ 358.27 грн
25+ 284.3 грн
100+ 263.71 грн
240+ 249.1 грн
480+ 234.48 грн
1200+ 215.22 грн
IKW25N120T2 Infineon_IKW25N120T2_DataSheet_v02_02_EN-3362263.pdf
IKW25N120T2
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 1200V 25A
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+423.91 грн
10+ 413.27 грн
25+ 287.62 грн
100+ 269.69 грн
240+ 269.02 грн
480+ 221.2 грн
1200+ 211.9 грн
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+566.32 грн
3+ 360.5 грн
7+ 341.12 грн
100+ 327.98 грн
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2.pdf
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 50A; 349W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 50A
Power dissipation: 349W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 100A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 148 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+679.59 грн
3+ 449.24 грн
7+ 409.35 грн
100+ 393.57 грн
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
IKW25N120T2FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 1200V 50A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 195 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/265ns
Switching Energy: 2.9mJ
Test Condition: 600V, 25A, 16.4Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 231 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+426.82 грн
30+ 327.77 грн
120+ 293.27 грн
IKW25N120T2FKSA1 IKW25N120T2_Rev2_1.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b426d5a63ad1
Виробник: Infineon
50A; 1200V; 349W; IGBT w/ Diode   IKW25N120T2 TIKW25n120t2
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+264.24 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRG8P25N120KD-EPBF IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P25N120KD-EPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IRG8P25N120 - DISCRETE IGBT WITH
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 9825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
73+278.53 грн
Мінімальне замовлення: 73
IRG8P25N120KDPBF IRSD-S-A0000034005-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRG8P25N120KDPBF
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247AC
Td (on/off) @ 25°C: 20ns/170ns
Switching Energy: 800µJ (on), 900µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 40 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 180 W
на замовлення 13927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
87+234.12 грн
Мінімальне замовлення: 87
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA_TO_247AB_-3044631.pdf
MIW25N120FA-BP
Виробник: Micro Commercial Components (MCC)
IGBT Transistors
на замовлення 1281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+379.73 грн
10+ 313.96 грн
25+ 258.4 грн
100+ 221.2 грн
250+ 208.58 грн
500+ 196.62 грн
1000+ 168.72 грн
MIW25N120FA-BP MIW25N120FA(TO-247AB).pdf
MIW25N120FA-BP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: IGBT 1200V 25A,TO-247AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.35V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247AB
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 158ns/331ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 326 W
на замовлення 1675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+353.53 грн
10+ 286.32 грн
100+ 231.63 грн
500+ 193.22 грн
NGTB25N120FL2WAG ngtb25n120fl2wa-d.pdf
NGTB25N120FL2WAG
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1.2KV TO247-4
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/113ns
Switching Energy: 990µJ (on), 660µJ (off)
Test Condition: 600V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 181 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 8762 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
118+171.56 грн
Мінімальне замовлення: 118
NGTB25N120FL2WG NGTB25N120FL2W_D-2318216.pdf
Виробник: onsemi
IGBT Transistors 1200V/25 FAST IGBT FSII T
на замовлення 452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+520 грн
10+ 451.46 грн
30+ 324.16 грн
120+ 318.84 грн
180+ 265.7 грн
540+ 251.75 грн
1080+ 241.13 грн
NGTB25N120FL2WG ngtb25n120fl2w-d.pdf
NGTB25N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 1200V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 154 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+485.02 грн
30+ 372.84 грн
NGTB25N120FL3WG ngtb25n120fl3w-d.pdf
NGTB25N120FL3WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 100A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/109ns
Switching Energy: 1mJ (on), 700µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 136 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+414.6 грн
NGTB25N120FL3WG NGTB25N120FL3W_D-2317650.pdf
NGTB25N120FL3WG
Виробник: onsemi
IGBT Transistors IGBT, Ultra Field Stop - 1200V 25A
на замовлення 191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+444.06 грн
10+ 433.13 грн
30+ 303.57 грн
120+ 269.02 грн
180+ 239.8 грн
540+ 215.88 грн
1080+ 205.26 грн
NGTG25N120FL2WG ONSMS38797-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
NGTG25N120FL2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 87ns/179ns
Switching Energy: 1.95mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 178 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
Power - Max: 385 W
на замовлення 48084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+179.63 грн
Мінімальне замовлення: 113
SGW25N120FKSA1 sgw25n120_rev2g_1.pdf
SGW25N120FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 46A 313000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
SKW25N120 SKW25N120.pdf
SKW25N120
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1082.72 грн
2+ 692.63 грн
4+ 654.57 грн
SKW25N120 SKW25N120.pdf
SKW25N120
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 25A; 313W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 25A
Power dissipation: 313W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 84A
Mounting: THT
Kind of package: tube
Turn-on time: 85ns
Turn-off time: 760ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1299.26 грн
2+ 863.12 грн
4+ 785.49 грн
Транзистор IGBT FGA25N120ANTD 25A 1200V TO-3P
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+137.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
Транзистор IGBT IKW25N120H3 25A 1200V TO-247
на замовлення 6 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+397.1 грн
6MBI25N-120
Виробник: FUJI
MODULE
на замовлення 160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA25N120AN
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA25N120ANTDTU-F109 fga25n120antdtu-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGA25N120D
Виробник: FAIRCHILD
2005 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH25N120FTDS fgh25n120ftds-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA25N120D
Виробник: XI.M.Z
2002 TO-3P
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G25N120
Виробник: TOSHIBA
2002 TO-3PL
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G25N120CND
Виробник: FAIR
ZIP-3;
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW25N120H3FKSA1 DS_IG25N120H3_1_1_final.pdf?folderId=db3a30431c69a49d011c6f86019b00a1&fileId=db3a304325305e6d01258d0f50a8369e
Виробник: Infineon
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120
MODULE
на замовлення 292 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IHW25N120R2
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW25N120H3
Виробник: Infineon
50A; 1200V; 326W; IGBT w/ Diode IKW25N120H3FKSA1 IKW25N120H3 TIKW25n120h3
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
MGY25N120CX
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB25N120SWG ngtb25n120sw-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDH25N120P
Виробник: SW
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SDL25N120P
Виробник: SW
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGA25N120ANTD
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGH25N120RUF
на замовлення 6491 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]