Результат пошуку "2N55" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 145
Мінімальне замовлення: 90
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 11539
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 6000
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 7755
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 1574
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 11539
Мінімальне замовлення: 13889
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 1645
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 150
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 97
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 125
Мінімальне замовлення: 4871
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 16
Мінімальне замовлення: 1686
Мінімальне замовлення: 127
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 27
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2N5551 Код товару: 193606 |
Hottech |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 300 MHz Uceo,V: 160 V Ucbo,V: 180 V Ic,A: 0,6 A Монтаж: THT |
у наявності: 1934 шт
очікується:
30 шт
|
|
|||||||||||||||
2N5550 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 20...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625/1.5W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 4959 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 20...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550 | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 20...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2685 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 20...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625/1.5W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 4959 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550 | LGE |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550 кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS |
на замовлення 9723 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550/D26Z | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550G - 2N5550G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5550RLRA | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550RLRA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550RLRA - 2N5550RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550RLRAG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550RLRAG - 2N5550RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550RLRAG | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550RLRP | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550RLRP - 2N5550RLRP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 164000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550RLRP | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 164000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550RLRPG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5550RLRPG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550RLRPG - 2N5550RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 29839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TA | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 33620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TA | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 8113 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TA | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 3474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 4831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 4831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TA | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TAR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5550TAR | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 134000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TAR | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 7335 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TAR | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 105644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TF | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 35681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TF | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5550TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 35681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TFR | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 121057 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TFR | onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R |
на замовлення 9990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5550TFR | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 9366 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
+1 |
2N5551 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Case: TO92 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz |
на замовлення 26825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N5551 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 30...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625/15W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 | Diotec Semiconductor | Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3 |
на замовлення 97 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 | Diotec | Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
+1 |
2N5551 | DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Case: TO92 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625W Polarisation: bipolar Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 26825 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
2N5551 | CDIL |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92 Mounting: THT Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 0.6A Case: TO92 Current gain: 30...250 Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.625/15W Polarisation: bipolar Frequency: 100...300MHz кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 | Diotec Electronics | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 26825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2N5551 | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN |
на замовлення 14269 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 | Lumimax Optoelectronic Technology |
Description: TRANS NPN EBC 0.6A 160V TO-92 Packaging: Bulk |
на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 | Diotec Semiconductor |
Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 | SLKOR |
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 | MIC |
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551 кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 | HOTTECH |
NPN 600mA 160V 625mW 2N5551 T2N5551 кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1030 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 | JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS |
на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 625 mW |
на замовлення 2210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551-T | Rectron | Bipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V |
на замовлення 8607 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551; биполярный; NPN; 180V; 0.6A; 0.625W; корпус: TO-92; 100Mhz; MIC |
на замовлення 16 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
2N5551BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 20013 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551BU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag |
на замовлення 9950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2N5551BU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 625mW Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 11070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
2N5551 Код товару: 193606 |
Виробник: Hottech
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 300 MHz
Uceo,V: 160 V
Ucbo,V: 180 V
Ic,A: 0,6 A
Монтаж: THT
у наявності: 1934 шт
очікується:
30 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 2 грн |
10+ | 1.5 грн |
100+ | 1.3 грн |
1000+ | 0.99 грн |
2N5550 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 1.97 грн |
250+ | 1.49 грн |
275+ | 1.31 грн |
675+ | 1.2 грн |
1000+ | 1.18 грн |
1875+ | 1.13 грн |
2N5550 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
145+ | 2.61 грн |
265+ | 1.33 грн |
500+ | 1.18 грн |
705+ | 1.16 грн |
1940+ | 1.09 грн |
2N5550 |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 5 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2685 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
90+ | 3.13 грн |
160+ | 1.66 грн |
500+ | 1.41 грн |
705+ | 1.39 грн |
1940+ | 1.3 грн |
3000+ | 1.27 грн |
2N5550 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 20...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/1.5W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 4959 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 2.36 грн |
150+ | 1.85 грн |
250+ | 1.58 грн |
675+ | 1.44 грн |
1000+ | 1.42 грн |
1875+ | 1.36 грн |
5000+ | 1.32 грн |
2N5550 |
Виробник: LGE
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
кількість в упаковці: 500 шт
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 1.08 грн |
2N5550 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 9723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.56 грн |
11+ | 29.56 грн |
100+ | 19.2 грн |
500+ | 15.08 грн |
1000+ | 11.62 грн |
2500+ | 10.63 грн |
10000+ | 9.23 грн |
2N5550/D26Z |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 2.02 грн |
2N5550G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550G - 2N5550G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550G - 2N5550G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5550RLRA |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.36 грн |
2N5550RLRA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRA - 2N5550RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550RLRA - 2N5550RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4.17 грн |
2N5550RLRAG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRAG - 2N5550RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550RLRAG - 2N5550RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4.17 грн |
2N5550RLRAG |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.36 грн |
2N5550RLRP |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRP - 2N5550RLRP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550RLRP - 2N5550RLRP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4.17 грн |
2N5550RLRP |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.36 грн |
2N5550RLRPG |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5550RLRPG |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550RLRPG - 2N5550RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550RLRPG - 2N5550RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 29839 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6000+ | 7.23 грн |
2N5550TA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 28.61 грн |
39+ | 19.15 грн |
100+ | 10.95 грн |
500+ | 6.99 грн |
1000+ | 3.51 грн |
2N5550TA |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 33620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7755+ | 2.69 грн |
2N5550TA |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 8113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.96 грн |
18+ | 17.34 грн |
100+ | 6.18 грн |
1000+ | 4.25 грн |
2000+ | 2.39 грн |
2N5550TA |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 24.43 грн |
18+ | 15.78 грн |
100+ | 7.72 грн |
500+ | 6.04 грн |
1000+ | 4.2 грн |
2N5550TA |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1574+ | 7.4 грн |
2266+ | 5.14 грн |
4519+ | 2.58 грн |
2N5550TA |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 4831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 24.91 грн |
35+ | 16.87 грн |
100+ | 6.87 грн |
1000+ | 4.6 грн |
2000+ | 2.14 грн |
2N5550TA |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 2.83 грн |
6000+ | 2.53 грн |
10000+ | 2.17 грн |
2N5550TAR |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
на замовлення 81 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5550TAR |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 134000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 2.99 грн |
6000+ | 2.75 грн |
10000+ | 2.62 грн |
2N5550TAR |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 25.26 грн |
18+ | 17.19 грн |
100+ | 5.45 грн |
1000+ | 4.65 грн |
2000+ | 2.92 грн |
2N5550TAR |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 105644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 23.71 грн |
18+ | 15.85 грн |
100+ | 8.03 грн |
500+ | 6.15 грн |
1000+ | 4.56 грн |
2N5550TF |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 35681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 2.02 грн |
2N5550TF |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5550TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5550TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 35681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13889+ | 2.09 грн |
2N5550TFR |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 121057 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 24.43 грн |
18+ | 15.78 грн |
100+ | 7.72 грн |
500+ | 6.04 грн |
1000+ | 4.2 грн |
2N5550TFR |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 24.39 грн |
36+ | 16.37 грн |
100+ | 6.57 грн |
1000+ | 4.37 грн |
2000+ | 2.43 грн |
2N5550TFR |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 2.83 грн |
6000+ | 2.53 грн |
10000+ | 2.17 грн |
2N5550TFR |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 9990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1645+ | 7.08 грн |
2385+ | 4.88 грн |
3979+ | 2.93 грн |
2N5550TFR |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 9366 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.96 грн |
18+ | 17.34 грн |
100+ | 6.11 грн |
1000+ | 4.25 грн |
2000+ | 2.39 грн |
2N5551 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
на замовлення 26825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 2.65 грн |
225+ | 1.69 грн |
500+ | 1.34 грн |
775+ | 1.06 грн |
2125+ | 1 грн |
12000+ | 0.96 грн |
2N5551 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 1.97 грн |
250+ | 1.49 грн |
275+ | 1.31 грн |
650+ | 1.28 грн |
1000+ | 1.18 грн |
2N5551 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,625; Uceo, В = 180; Ic = 600 мА; Тип монт. = вивідний; ft, МГц = 100; hFE = 80/125 @ 10 мА; Icutoff-max = 50 нА; Тексп, °С = -55...+150; TO-92-3
на замовлення 97 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
97+ | 6.43 грн |
100+ | 6.24 грн |
2N5551 |
Виробник: Diotec
Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
Транз. Бипол. ММ NPN TO92 Uceo=160V; Ic=0,6A; f=300MHz; Pdmax=0,63W; hfemin=80
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 21.62 грн |
2N5551 |
Виробник: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 25 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 625mW; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625W
Polarisation: bipolar
Kind of package: Ammo Pack
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 26825 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 3.18 грн |
125+ | 2.1 грн |
500+ | 1.6 грн |
775+ | 1.27 грн |
2125+ | 1.2 грн |
12000+ | 1.15 грн |
2N5551 |
Виробник: CDIL
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.625/15W; TO92
Mounting: THT
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Case: TO92
Current gain: 30...250
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.625/15W
Polarisation: bipolar
Frequency: 100...300MHz
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
125+ | 2.36 грн |
150+ | 1.85 грн |
250+ | 1.58 грн |
650+ | 1.54 грн |
1000+ | 1.42 грн |
5000+ | 1.39 грн |
2N5551 |
Виробник: Diotec Electronics
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 26825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4871+ | 2.39 грн |
6250+ | 1.86 грн |
2N5551 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2N5551 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
Bipolar Transistors - BJT BJT, TO-92, 160V, 600mA, NPN
на замовлення 14269 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 9.38 грн |
45+ | 6.88 грн |
100+ | 4.98 грн |
500+ | 3.99 грн |
1000+ | 3.45 грн |
4000+ | 2.66 грн |
8000+ | 1.66 грн |
2N5551 |
Виробник: Lumimax Optoelectronic Technology
Description: TRANS NPN EBC 0.6A 160V TO-92
Packaging: Bulk
Description: TRANS NPN EBC 0.6A 160V TO-92
Packaging: Bulk
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 18.83 грн |
50+ | 15.55 грн |
100+ | 12.83 грн |
200+ | 10.33 грн |
500+ | 9.12 грн |
1000+ | 7.6 грн |
2000+ | 5.14 грн |
2N5551 |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: MULTICOMP PRO - 2N5551 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 56.04 грн |
17+ | 44.86 грн |
100+ | 32.04 грн |
2N5551 |
Виробник: Diotec Semiconductor
Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Description: BJT TO92 160V 600MA NPN 0.625W
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 1.98 грн |
2N5551 |
Виробник: SLKOR
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor PNP; 300; 625mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 SLKOR T2N5551 SLK
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 0.84 грн |
2N5551 |
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 0.85 грн |
2N5551 |
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 0.85 грн |
2N5551 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor NPN; 300; 350mW; 160V; 600mA; 300MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: 2N5551,412; 2N5551-BP; 2N5551BU; 2N5551G; 2N5551 JSMICRO T2N5551 JSM
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 1.11 грн |
2N5551 PBFREE |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.39 грн |
10+ | 51.18 грн |
100+ | 34.61 грн |
500+ | 29.36 грн |
1000+ | 26.57 грн |
2500+ | 22.52 грн |
10000+ | 22.45 грн |
2N5551 TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor
Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
Bipolar Transistors - BJT NPN 180Vcbo 160Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 72.77 грн |
10+ | 58.82 грн |
100+ | 39.79 грн |
500+ | 36.47 грн |
1000+ | 26.64 грн |
2500+ | 26.5 грн |
5000+ | 24.58 грн |
2N5551 TIN/LEAD |
Виробник: Central Semiconductor Corp
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.6A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 2210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.26 грн |
10+ | 53.62 грн |
100+ | 41.72 грн |
1000+ | 27.03 грн |
2N5551-T |
Виробник: Rectron
Bipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V
Bipolar Transistors - BJT NPN 0.6A 160V
на замовлення 8607 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 30.15 грн |
14+ | 22 грн |
100+ | 10.83 грн |
1000+ | 5.51 грн |
2000+ | 4.72 грн |
10000+ | 3.79 грн |
24000+ | 3.52 грн |
2N5551; биполярный; NPN; 180V; 0.6A; 0.625W; корпус: TO-92; 100Mhz; MIC |
на замовлення 16 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
16+ | 41.58 грн |
2N5551BU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1686+ | 6.91 грн |
2763+ | 4.21 грн |
3043+ | 3.83 грн |
10000+ | 3 грн |
2N5551BU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 20013 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
127+ | 2.45 грн |
2N5551BU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Bag
на замовлення 9950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 25.04 грн |
35+ | 16.94 грн |
100+ | 6.75 грн |
1000+ | 3.97 грн |
2500+ | 3.34 грн |
2N5551BU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2N5551BU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 625 mW, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 28.61 грн |
39+ | 19.3 грн |
100+ | 8.05 грн |
500+ | 5.54 грн |
1000+ | 3.32 грн |
5000+ | 3.26 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]