Результат пошуку "30n60" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies IKW30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc80c5f041c9 Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+227.85 грн
30+ 173.63 грн
120+ 148.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.15 грн
10+ 215.57 грн
25+ 148.6 грн
100+ 132.92 грн
240+ 132.24 грн
480+ 117.93 грн
1200+ 113.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3FKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60T IKW30N60T Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 239 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
1+325.26 грн
10+ 269.66 грн
25+ 221.54 грн
100+ 189.5 грн
240+ 177.91 грн
480+ 167.69 грн
1200+ 143.83 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+303.79 грн
30+ 231.6 грн
120+ 198.51 грн
510+ 165.59 грн
1020+ 141.79 грн
2010+ 133.51 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+325.26 грн
10+ 312.78 грн
25+ 211.99 грн
100+ 185.41 грн
480+ 143.83 грн
1200+ 135.65 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60TFKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw30n60t-datasheet-v02_06-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1 Infineon IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d 45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
5+237.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFH30N60P IXFH30N60P IXYS media-3323679.pdf MOSFET 600V 30A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+776.97 грн
10+ 765.09 грн
30+ 531.01 грн
IXFH30N60X IXFH30N60X IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n60x_1of2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+563.35 грн
30+ 433.09 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+857.2 грн
2+ 576.56 грн
3+ 575.85 грн
4+ 544.61 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P IXYS IXFR30N60P.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1028.64 грн
2+ 718.49 грн
3+ 691.02 грн
4+ 653.53 грн
IXGH30N60C3 IXYS/Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3_datasheet.pdf.pdf Транзистор IGBT без зворотного діоду; Uceb, В = 600; Ic, А = 60; Pmax, Вт = 220; Uce(on), В = 3; Uge(th), В = 15; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 26; td(off), нс = 42; TO-247AD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+113.05 грн
10+ 105.52 грн
100+ 97.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS media-3322335.pdf IGBT Transistors High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+462.05 грн
10+ 424.87 грн
30+ 348.32 грн
IXGH30N60C3D1 IXGH30N60C3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 60A 220W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+462.33 грн
30+ 355.86 грн
120+ 318.4 грн
510+ 263.65 грн
1020+ 237.29 грн
2010+ 222.35 грн
IXTH30N60L2 IXTH30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1464.87 грн
30+ 1213.48 грн
60+ 1017.03 грн
120+ 957.04 грн
270+ 909.32 грн
510+ 862.97 грн
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+640.8 грн
2+ 436.68 грн
6+ 412.54 грн
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+768.96 грн
2+ 544.17 грн
6+ 495.05 грн
IXTH30N60P IXTH30N60P IXYS media-3323016.pdf MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+770.61 грн
10+ 700.02 грн
30+ 520.1 грн
120+ 471.7 грн
270+ 456.03 грн
510+ 416.49 грн
1020+ 383.77 грн
IXTH30N60P IXTH30N60P Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_30n60p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+719.67 грн
30+ 552.78 грн
120+ 494.59 грн
510+ 409.55 грн
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_30n60_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1285.96 грн
30+ 1002.76 грн
120+ 943.78 грн
IXTQ30N60L2 IXTQ30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1378.19 грн
10+ 1197.02 грн
30+ 946.13 грн
60+ 922.96 грн
120+ 870.47 грн
270+ 828.21 грн
510+ 812.53 грн
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+610.21 грн
3+ 406.86 грн
6+ 384.85 грн
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+732.25 грн
3+ 507.01 грн
6+ 461.82 грн
IXTQ30N60P IXTQ30N60P IXYS media-3323016.pdf MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+730.84 грн
10+ 617.71 грн
30+ 486.7 грн
120+ 447.16 грн
270+ 393.99 грн
510+ 376.27 грн
1020+ 363.32 грн
IXTT30N60L2 IXTT30N60L2 IXYS media-3323906.pdf MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+1530.08 грн
10+ 1507.44 грн
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.09 грн
3+ 381.3 грн
7+ 360 грн
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS IXXH30N60B3D1-DTE.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+662.51 грн
3+ 475.16 грн
7+ 432 грн
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS media-3321928.pdf IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+468.41 грн
10+ 421.74 грн
30+ 336.05 грн
510+ 298.56 грн
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n60b3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 60A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+323.7 грн
30+ 247.19 грн
120+ 211.89 грн
510+ 194.49 грн
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n60c3d1_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V 60A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.68 грн
30+ 395.69 грн
120+ 354.03 грн
IXXH30N60C3D1 IXXH30N60C3D1 IXYS media-3320805.pdf IGBT Transistors XPT 600V IGBT 30A
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+494.65 грн
10+ 449.96 грн
30+ 354.46 грн
120+ 325.15 грн
270+ 306.06 грн
510+ 273.34 грн
1020+ 259.71 грн
IXXQ30N60B3M IXXQ30N60B3M IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxq30n60b3m_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/150ns
Switching Energy: 550µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 90 W
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.6 грн
30+ 251.31 грн
120+ 215.39 грн
510+ 179.68 грн
MGY30N60D onsemi ROCELEC_mgy30n60d.rev0.pdf?t.download=true&u=ovmfp3 Description: TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+220.93 грн
Мінімальне замовлення: 94
NGTB30N60FWG NGTB30N60FWG onsemi NGTB30N60FWG.pdf Description: IGBT 600V 60A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 7834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
113+184.33 грн
Мінімальне замовлення: 113
NGTB30N60IHLWG NGTB30N60IHLWG onsemi ngtb30n60ihlw-d.pdf Description: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
129+161.55 грн
Мінімальне замовлення: 129
NGTB30N60L2WG NGTB30N60L2WG onsemi ngtb30n60l2wg-d.pdf Description: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns
Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 225 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+320.02 грн
10+ 258.46 грн
NGTB30N60SWG NGTB30N60SWG onsemi NGTB30N60SWG.pdf Description: IGBT 600V 60A 189W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+163.63 грн
Мінімальне замовлення: 127
NGTG30N60FLWG NGTG30N60FLWG onsemi ngtg30n60flw-d.pdf Description: IGBT 600V 60A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 83ns/170ns
Switching Energy: 700µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 8660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+145.67 грн
Мінімальне замовлення: 143
SGW30N60FKSA1 SGW30N60FKSA1 Infineon Technologies SGx30N60.pdf Description: IGBT NPT 600V 41A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/291ns
Switching Energy: 1.29mJ
Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+270.63 грн
Мінімальне замовлення: 77
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihb30n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+431.03 грн
10+ 391.17 грн
25+ 291.75 грн
100+ 250.17 грн
250+ 242.67 грн
500+ 222.22 грн
1000+ 192.23 грн
SIHB30N60E-GE3 SIHB30N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb30n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.6 грн
50+ 307.4 грн
100+ 263.48 грн
500+ 219.8 грн
1000+ 188.2 грн
SIHB30N60ET1-GE3 SIHB30N60ET1-GE3 Vishay Siliconix sihb30n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.6 грн
10+ 325.7 грн
100+ 263.48 грн
SIHB30N60ET5-GE3 SIHB30N60ET5-GE3 Vishay Siliconix sihb30n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+188.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHB30N60ET5-GE3 SIHB30N60ET5-GE3 Vishay Siliconix sihb30n60e.pdf Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.6 грн
10+ 325.7 грн
100+ 263.48 грн
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihf30n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+435.8 грн
10+ 360.59 грн
25+ 262.44 грн
100+ 231.08 грн
250+ 225.63 грн
500+ 214.04 грн
1000+ 197 грн
SIHF30N60E-GE3 SIHF30N60E-GE3 Vishay Siliconix sihf30n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.29 грн
10+ 328.68 грн
100+ 265.9 грн
500+ 221.81 грн
1000+ 189.93 грн
2000+ 178.84 грн
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg30n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+298.63 грн
10+ 241.56 грн
100+ 195.42 грн
SIHG30N60E-GE3 SIHG30N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihg30n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+374.57 грн
10+ 316.7 грн
25+ 259.03 грн
100+ 226.31 грн
250+ 222.22 грн
500+ 207.22 грн
1000+ 197.68 грн
SiHP30N60E-E3 SiHP30N60E-E3 Vishay / Siliconix sihp30n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.26 грн
10+ 352.76 грн
50+ 288.34 грн
100+ 247.44 грн
250+ 233.81 грн
500+ 220.17 грн
1000+ 177.91 грн
SIHP30N60E-GE3 SIHP30N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp30n60e.pdf MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+426.26 грн
10+ 352.76 грн
25+ 239.94 грн
100+ 223.58 грн
250+ 217.45 грн
500+ 209.95 грн
1000+ 197.68 грн
SIHW30N60E-GE3 SIHW30N60E-GE3 Vishay Siliconix SiHW30N60E.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+298.63 грн
10+ 241.56 грн
100+ 195.42 грн
Транзистор IGBT IKW30N60T(K30T60) 45A 600V TO-247
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+270.92 грн
AIKW30N60CT Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH30N60LSDTU ON Semiconductor fgh30n60lsd-d.pdf
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G30N60A4D FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G30N60B3D FSC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G30N60C3 FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G30N60C3D harris TO-3P 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW30N60H3FKSA1 IKW30N60H3_Rev1_1G.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a3043266237920126bc80c5f041c9
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 38 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/207ns
Switching Energy: 1.38mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.5Ohm, 15V
Gate Charge: 165 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+227.85 грн
30+ 173.63 грн
120+ 148.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 Infineon_IKW30N60H3_DataSheet_v02_02_EN-3362119.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors 600V 30A 187W
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+244.15 грн
10+ 215.57 грн
25+ 148.6 грн
100+ 132.92 грн
240+ 132.24 грн
480+ 117.93 грн
1200+ 113.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW30N60H3FKSA1 infineon-ikw30n60h3-datasheet-v02_02-en.pdf
IKW30N60H3FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+112.13 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60T Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60T
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 239 шт:
термін постачання 154-163 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+325.26 грн
10+ 269.66 грн
25+ 221.54 грн
100+ 189.5 грн
240+ 177.91 грн
480+ 167.69 грн
1200+ 143.83 грн
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 600V 60A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 143 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/254ns
Switching Energy: 1.46mJ
Test Condition: 400V, 30A, 10.6Ohm, 15V
Gate Charge: 167 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 90 A
Power - Max: 187 W
на замовлення 2094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+303.79 грн
30+ 231.6 грн
120+ 198.51 грн
510+ 165.59 грн
1020+ 141.79 грн
2010+ 133.51 грн
IKW30N60TFKSA1 Infineon_IKW30N60T_DataSheet_v02_06_EN-3362343.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors LOW LOSS DuoPack 600V 30A
на замовлення 1374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+325.26 грн
10+ 312.78 грн
25+ 211.99 грн
100+ 185.41 грн
480+ 143.83 грн
1200+ 135.65 грн
IKW30N60TFKSA1 infineon-ikw30n60t-datasheet-v02_06-en.pdf
IKW30N60TFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 45A 187000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
IKW30N60TFKSA1 IKW30N60T+Rev2_3G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42889a63e1d
Виробник: Infineon
45A; 600V; 187W; IGBT w/ Diode   IKW30N60T TIKW30n60t
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+237.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
IXFH30N60P media-3323679.pdf
IXFH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 600V 30A
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+776.97 грн
10+ 765.09 грн
30+ 531.01 грн
IXFH30N60X littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_ultra_junction_ixf_30n60x_1of2_datasheet.pdf.pdf
IXFH30N60X
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+563.35 грн
30+ 433.09 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+857.2 грн
2+ 576.56 грн
3+ 575.85 грн
4+ 544.61 грн
IXFR30N60P IXFR30N60P.pdf
IXFR30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 15A; 166W; ISOPLUS247™
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 15A
Power dissipation: 166W
Case: ISOPLUS247™
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1028.64 грн
2+ 718.49 грн
3+ 691.02 грн
4+ 653.53 грн
IXGH30N60C3 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS/Littelfuse
Транзистор IGBT без зворотного діоду; Uceb, В = 600; Ic, А = 60; Pmax, Вт = 220; Uce(on), В = 3; Uge(th), В = 15; Тексп, °С = -40...+125; Тип монт = вивідний; td(on), нс = 26; td(off), нс = 42; TO-247AD
на замовлення 27 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+113.05 грн
10+ 105.52 грн
100+ 97.98 грн
Мінімальне замовлення: 6
IXGH30N60C3D1 media-3322335.pdf
IXGH30N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors High Frequency Range 40khz C-IGBT w/Diod
на замовлення 489 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+462.05 грн
10+ 424.87 грн
30+ 348.32 грн
IXGH30N60C3D1 littelfuse_discrete_igbts_pt_ixg_30n60c3d1_datasheet.pdf.pdf
IXGH30N60C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A 220W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-247AD
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/42ns
Switching Energy: 270µJ (on), 90µJ (off)
Test Condition: 300V, 20A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 220 W
на замовлення 2323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+462.33 грн
30+ 355.86 грн
120+ 318.4 грн
510+ 263.65 грн
1020+ 237.29 грн
2010+ 222.35 грн
IXTH30N60L2 media-3323906.pdf
IXTH30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1464.87 грн
30+ 1213.48 грн
60+ 1017.03 грн
120+ 957.04 грн
270+ 909.32 грн
510+ 862.97 грн
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+640.8 грн
2+ 436.68 грн
6+ 412.54 грн
IXTH30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO247-3; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 268 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+768.96 грн
2+ 544.17 грн
6+ 495.05 грн
IXTH30N60P media-3323016.pdf
IXTH30N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 625 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+770.61 грн
10+ 700.02 грн
30+ 520.1 грн
120+ 471.7 грн
270+ 456.03 грн
510+ 416.49 грн
1020+ 383.77 грн
IXTH30N60P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_30n60p_datasheet.pdf.pdf
IXTH30N60P
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 25 V
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+719.67 грн
30+ 552.78 грн
120+ 494.59 грн
510+ 409.55 грн
IXTQ30N60L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_30n60_datasheet.pdf.pdf
IXTQ30N60L2
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1285.96 грн
30+ 1002.76 грн
120+ 943.78 грн
IXTQ30N60L2 media-3323906.pdf
IXTQ30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1378.19 грн
10+ 1197.02 грн
30+ 946.13 грн
60+ 922.96 грн
120+ 870.47 грн
270+ 828.21 грн
510+ 812.53 грн
IXTQ30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+610.21 грн
3+ 406.86 грн
6+ 384.85 грн
IXTQ30N60P IXTH(Q,T,V)30N60P_S.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 500ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 30A
Power dissipation: 540W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 82nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 0.5µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+732.25 грн
3+ 507.01 грн
6+ 461.82 грн
IXTQ30N60P media-3323016.pdf
IXTQ30N60P
Виробник: IXYS
MOSFET 30.0 Amps 600 V 0.24 Ohm Rds
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+730.84 грн
10+ 617.71 грн
30+ 486.7 грн
120+ 447.16 грн
270+ 393.99 грн
510+ 376.27 грн
1020+ 363.32 грн
IXTT30N60L2 media-3323906.pdf
IXTT30N60L2
Виробник: IXYS
MOSFET 30 Amps 600V
на замовлення 525 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1530.08 грн
10+ 1507.44 грн
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+552.09 грн
3+ 381.3 грн
7+ 360 грн
IXXH30N60B3D1 IXXH30N60B3D1-DTE.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 30A; 270W; TO247AD
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 30A
Power dissipation: 270W
Case: TO247AD
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 115A
Mounting: THT
Gate charge: 39nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 23ns
Turn-off time: 125ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 134 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+662.51 грн
3+ 475.16 грн
7+ 432 грн
IXXH30N60B3D1 media-3321928.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+468.41 грн
10+ 421.74 грн
30+ 336.05 грн
510+ 298.56 грн
IXXH30N60B3D1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n60b3d1_datasheet.pdf.pdf
IXXH30N60B3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/97ns
Switching Energy: 550µJ (on), 500µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 115 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 1358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+323.7 грн
30+ 247.19 грн
120+ 211.89 грн
510+ 194.49 грн
IXXH30N60C3D1 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh30n60c3d1_datasheet.pdf.pdf
IXXH30N60C3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 60A 270W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/77ns
Switching Energy: 500µJ (on), 270µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 37 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 110 A
Power - Max: 270 W
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+514.68 грн
30+ 395.69 грн
120+ 354.03 грн
IXXH30N60C3D1 media-3320805.pdf
IXXH30N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT 600V IGBT 30A
на замовлення 181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+494.65 грн
10+ 449.96 грн
30+ 354.46 грн
120+ 325.15 грн
270+ 306.06 грн
510+ 273.34 грн
1020+ 259.71 грн
IXXQ30N60B3M littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxq30n60b3m_datasheet.pdf.pdf
IXXQ30N60B3M
Виробник: IXYS
Description: IGBT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 36 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 24A
Supplier Device Package: TO-3P
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/150ns
Switching Energy: 550µJ (on), 800µJ (off)
Test Condition: 400V, 24A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 39 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 33 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 140 A
Power - Max: 90 W
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+329.6 грн
30+ 251.31 грн
120+ 215.39 грн
510+ 179.68 грн
MGY30N60D ROCELEC_mgy30n60d.rev0.pdf?t.download=true&u=ovmfp3
Виробник: onsemi
Description: TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 50A 3P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3094 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
94+220.93 грн
Мінімальне замовлення: 94
NGTB30N60FWG NGTB30N60FWG.pdf
NGTB30N60FWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 60A 167W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 72 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 81ns/190ns
Switching Energy: 650µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 167 W
на замовлення 7834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
113+184.33 грн
Мінімальне замовлення: 113
NGTB30N60IHLWG ngtb30n60ihlw-d.pdf
NGTB30N60IHLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 400 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/140ns
Switching Energy: 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 130 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
129+161.55 грн
Мінімальне замовлення: 129
NGTB30N60L2WG ngtb30n60l2wg-d.pdf
NGTB30N60L2WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 30A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/390ns
Switching Energy: 310µJ (on), 1.14mJ (off)
Test Condition: 300V, 30A, 30Ohm, 15V
Gate Charge: 166 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 225 W
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+320.02 грн
10+ 258.46 грн
NGTB30N60SWG NGTB30N60SWG.pdf
NGTB30N60SWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 60A 189W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 200 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 57ns/109ns
Switching Energy: 750µJ (on), 540µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 90 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 189 W
на замовлення 1873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
127+163.63 грн
Мінімальне замовлення: 127
NGTG30N60FLWG ngtg30n60flw-d.pdf
NGTG30N60FLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 60A 250W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 83ns/170ns
Switching Energy: 700µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 30A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 170 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 60 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 8660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+145.67 грн
Мінімальне замовлення: 143
SGW30N60FKSA1 SGx30N60.pdf
SGW30N60FKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 600V 41A TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 30A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 44ns/291ns
Switching Energy: 1.29mJ
Test Condition: 400V, 30A, 11Ohm, 15V
Gate Charge: 140 nC
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 112 A
Power - Max: 250 W
на замовлення 332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
77+270.63 грн
Мінімальне замовлення: 77
SIHB30N60E-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1273 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+431.03 грн
10+ 391.17 грн
25+ 291.75 грн
100+ 250.17 грн
250+ 242.67 грн
500+ 222.22 грн
1000+ 192.23 грн
SIHB30N60E-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.6 грн
50+ 307.4 грн
100+ 263.48 грн
500+ 219.8 грн
1000+ 188.2 грн
SIHB30N60ET1-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60ET1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.6 грн
10+ 325.7 грн
100+ 263.48 грн
SIHB30N60ET5-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+188.13 грн
Мінімальне замовлення: 800
SIHB30N60ET5-GE3 sihb30n60e.pdf
SIHB30N60ET5-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 600V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+402.6 грн
10+ 325.7 грн
100+ 263.48 грн
SIHF30N60E-GE3 sihf30n60e.pdf
SIHF30N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 1377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+435.8 грн
10+ 360.59 грн
25+ 262.44 грн
100+ 231.08 грн
250+ 225.63 грн
500+ 214.04 грн
1000+ 197 грн
SIHF30N60E-GE3 sihf30n60e.pdf
SIHF30N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+406.29 грн
10+ 328.68 грн
100+ 265.9 грн
500+ 221.81 грн
1000+ 189.93 грн
2000+ 178.84 грн
SIHG30N60E-GE3 sihg30n60e.pdf
SIHG30N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+298.63 грн
10+ 241.56 грн
100+ 195.42 грн
SIHG30N60E-GE3 sihg30n60e.pdf
SIHG30N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 1376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+374.57 грн
10+ 316.7 грн
25+ 259.03 грн
100+ 226.31 грн
250+ 222.22 грн
500+ 207.22 грн
1000+ 197.68 грн
SiHP30N60E-E3 sihp30n60e.pdf
SiHP30N60E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 3817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+426.26 грн
10+ 352.76 грн
50+ 288.34 грн
100+ 247.44 грн
250+ 233.81 грн
500+ 220.17 грн
1000+ 177.91 грн
SIHP30N60E-GE3 sihp30n60e.pdf
SIHP30N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+426.26 грн
10+ 352.76 грн
25+ 239.94 грн
100+ 223.58 грн
250+ 217.45 грн
500+ 209.95 грн
1000+ 197.68 грн
SIHW30N60E-GE3 SiHW30N60E.pdf
SIHW30N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 29A TO247AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AD
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
на замовлення 159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+298.63 грн
10+ 241.56 грн
100+ 195.42 грн
Транзистор IGBT IKW30N60T(K30T60) 45A 600V TO-247
на замовлення 11 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+270.92 грн
AIKW30N60CT
Виробник: Infineon
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FGH30N60LSDTU fgh30n60lsd-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G30N60A4D
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G30N60B3D
Виробник: FSC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G30N60C3
Виробник: FAIRCHILD
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
G30N60C3D
Виробник: harris
TO-3P 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
HGTG30N60B3 FAIRS45873-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]