Результат пошуку "50n60" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+854.03 грн
2+ 567.33 грн
4+ 536.97 грн
10+ 536.28 грн
IXFT50N60X IXFT50N60X IXYS IXFH(Q,T)50N60X.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+1024.83 грн
2+ 706.99 грн
4+ 644.36 грн
10+ 643.53 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+633.27 грн
2+ 421.7 грн
6+ 398.24 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS IXXH150N60C3.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+759.93 грн
2+ 525.51 грн
6+ 477.89 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh150n60c3_datasheet.pdf.pdf Description: IGBT 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 1360 W
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+794.86 грн
30+ 610.75 грн
120+ 546.46 грн
510+ 452.5 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 Littelfuse littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh150n60c3_datasheet.pdf.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.14 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3 IXYS media-3323158.pdf IGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+851.86 грн
10+ 838.93 грн
IXXH50N60B3 IXXH50N60B3 IXYS media-3319329.pdf IGBT Transistors GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+825.58 грн
10+ 717.01 грн
30+ 606.26 грн
60+ 572.47 грн
120+ 539.34 грн
510+ 526.75 грн
1020+ 511.51 грн
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=0ea64f9b-78b8-4b55-b0d9-758a71b93456&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh50n60b3d1_datasheet.pdf Description: IGBT 600V 120A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+817.08 грн
30+ 637.34 грн
120+ 599.85 грн
IXXH50N60B3D1 IXXH50N60B3D1 IXYS media-3319508.pdf IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
1+875.82 грн
10+ 658.34 грн
IXXH50N60C3D1 IXXH50N60C3D1 IXYS media-3323788.pdf IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+909.06 грн
10+ 795.49 грн
30+ 649.99 грн
60+ 636.08 грн
510+ 543.32 грн
1020+ 498.26 грн
NGTB50N60FWG NGTB50N60FWG onsemi ngtb50n60fw-d.pdf Description: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
88+230.18 грн
Мінімальне замовлення: 88
NGTB50N60S1WG NGTB50N60S1WG onsemi NGTB50N60S1WG.pdf Description: IGBT 50A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
93+216.76 грн
Мінімальне замовлення: 93
NGTB50N60SWG NGTB50N60SWG onsemi ngtb50n60sw-d.pdf Description: IGBT 600V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+204.01 грн
Мінімальне замовлення: 99
NGTG50N60FLWG NGTG50N60FLWG onsemi NGTG50N60FLWG.pdf Description: IGBT 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+202 грн
Мінімальне замовлення: 100
NGTG50N60FWG NGTG50N60FWG onsemi ngtg50n60fw-d.pdf Description: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+193.27 грн
Мінімальне замовлення: 105
RM150N60HD-W RM150N60HD-W Rectron rm150n60hd-1395994.pdf MOSFET
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.61 грн
10+ 154.68 грн
100+ 107.34 грн
250+ 98.72 грн
500+ 90.11 грн
800+ 76.86 грн
2400+ 72.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SGW50N60HSFKSA1 SGW50N60HSFKSA1 Infineon Technologies Part_Number_Guide_Web.pdf Description: IGBT 600V 100A 416W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
Switching Energy: 1.96mJ
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 179 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+211.39 грн
Мінімальне замовлення: 96
SIHA150N60E-GE3 SIHA150N60E-GE3 Vishay Siliconix siha150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+232.94 грн
10+ 188.49 грн
100+ 152.49 грн
500+ 127.21 грн
1000+ 108.92 грн
2000+ 102.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihb150n60e.pdf MOSFET E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+263.6 грн
10+ 218.68 грн
25+ 179.56 грн
100+ 154.38 грн
250+ 145.11 грн
500+ 137.15 грн
1000+ 115.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB150N60E-GE3 SIHB150N60E-GE3 Vishay Siliconix sihb150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+246.56 грн
10+ 199.12 грн
100+ 161.07 грн
500+ 134.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg050n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+634.31 грн
10+ 523.23 грн
100+ 436.06 грн
SIHG050N60E-GE3 SIHG050N60E-GE3 Vishay Semiconductors sihg050n60e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+678.7 грн
10+ 573 грн
25+ 452.54 грн
100+ 415.44 грн
250+ 390.92 грн
500+ 366.41 грн
1000+ 329.97 грн
SIHG150N60E-GE3 SIHG150N60E-GE3 Vishay Siliconix sihg150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.09 грн
10+ 224.66 грн
100+ 181.75 грн
500+ 151.61 грн
1000+ 129.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.48 грн
10+ 283.32 грн
100+ 229.21 грн
500+ 191.2 грн
1000+ 163.72 грн
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay / Siliconix sihh150n60e.pdf MOSFET E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8, 155 mohm a. 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+371.05 грн
10+ 307.83 грн
25+ 251.78 грн
100+ 216 грн
250+ 204.07 грн
500+ 192.15 грн
1000+ 164.32 грн
SIHH150N60E-T1-GE3 SIHH150N60E-T1-GE3 Vishay Siliconix sihh150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+170.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihh250n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+135.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Siliconix sihh250n60ef.pdf Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.81 грн
10+ 225.21 грн
100+ 182.22 грн
500+ 152 грн
1000+ 130.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH250N60EF-T1GE3 SIHH250N60EF-T1GE3 Vishay Semiconductors sihh250n60ef.pdf MOSFET EF SERIES PWR MOSFET
на замовлення 9020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.38 грн
10+ 247.64 грн
25+ 202.75 грн
100+ 173.6 грн
250+ 164.32 грн
500+ 154.38 грн
1000+ 141.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp050n60e.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+599.91 грн
10+ 495.35 грн
100+ 412.75 грн
500+ 341.79 грн
SIHP050N60E-GE3 SIHP050N60E-GE3 Vishay / Siliconix sihp050n60e.pdf MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+642.37 грн
10+ 543.28 грн
25+ 447.9 грн
100+ 393.57 грн
250+ 380.98 грн
500+ 347.85 грн
1000+ 310.75 грн
SIHP150N60E-GE3 SIHP150N60E-GE3 Vishay Siliconix sihp150n60e.pdf Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.11 грн
10+ 194.29 грн
100+ 157.19 грн
500+ 131.13 грн
1000+ 112.28 грн
2000+ 105.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP50N60DM6 STP50N60DM6 STMicroelectronics stp50n60dm6-1874801.pdf MOSFET N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+421.29 грн
10+ 379.46 грн
25+ 286.23 грн
100+ 245.82 грн
250+ 237.87 грн
500+ 217.99 грн
1000+ 185.52 грн
STP50N60DM6 STP50N60DM6 STMicroelectronics stp50n60dm6.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+393.49 грн
50+ 300.18 грн
100+ 257.29 грн
500+ 214.63 грн
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
1+239.96 грн
E250N60 ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW50N60TP Infineon technologies
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ETXKSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IKFW50N60ET.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
240+419.21 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW50N60DTP Infineon technologies
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTP Infineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGK50N60AU1 IXYS IXGK50N60AU1.pdf
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 IXYS IXGN50N60BD2,3.pdf MODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 ABB IXGN50N60BD2,3.pdf 07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 IXYS IXGN50N60BD2,3.pdf
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXSK50N60AU1 IXYS IXSK50N60AU1.pdf 09+ QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXSN50N60U1 IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB50N60L2WG ON Semiconductor ngtb50n60l2w-d.pdf
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG50N60FWG ON Semiconductor ngtg50n60fw-d.pdf
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RFP50N60
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU===
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU===Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU==Fa
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU==Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFTU SGL50N60RUF.pdf
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGW50N60HS INFINEON MODULE
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SM50N60P
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TD250N600KOF AEG 05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+854.03 грн
2+ 567.33 грн
4+ 536.97 грн
10+ 536.28 грн
IXFT50N60X IXFH(Q,T)50N60X.pdf
IXFT50N60X
Виробник: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 50A; 660W; TO268; 195ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 50A
Power dissipation: 660W
Case: TO268
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 116nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 195ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1024.83 грн
2+ 706.99 грн
4+ 644.36 грн
10+ 643.53 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+633.27 грн
2+ 421.7 грн
6+ 398.24 грн
IXXH150N60C3 IXXH150N60C3.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 600V; 150A; 1.36kW; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 150A
Power dissipation: 1.36kW
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 700A
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 0.1µs
Turn-off time: 230ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+759.93 грн
2+ 525.51 грн
6+ 477.89 грн
IXXH150N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh150n60c3_datasheet.pdf.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: TO-247AD
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 34ns/120ns
Switching Energy: 3.4mJ (on), 1.8mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 2Ohm, 15V
Gate Charge: 200 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 1360 W
на замовлення 542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+794.86 грн
30+ 610.75 грн
120+ 546.46 грн
510+ 452.5 грн
IXXH150N60C3 littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh150n60c3_datasheet.pdf.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: Littelfuse
Trans IGBT Chip N-CH 600V 300A 1360000mW
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+391.14 грн
IXXH150N60C3 media-3323158.pdf
IXXH150N60C3
Виробник: IXYS
IGBT Transistors IGBT XPT-GENX3
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+851.86 грн
10+ 838.93 грн
IXXH50N60B3 media-3319329.pdf
IXXH50N60B3
Виробник: IXYS
IGBT Transistors GenX3 600V XPT IGBTs
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+825.58 грн
10+ 717.01 грн
30+ 606.26 грн
60+ 572.47 грн
120+ 539.34 грн
510+ 526.75 грн
1020+ 511.51 грн
IXXH50N60B3D1 media?resourcetype=datasheets&amp;itemid=0ea64f9b-78b8-4b55-b0d9-758a71b93456&amp;filename=littelfuse_discrete_igbts_xpt_ixxh50n60b3d1_datasheet.pdf
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
Description: IGBT 600V 120A 600W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 36A
Supplier Device Package: TO-247AD (IXXH)
IGBT Type: PT
Td (on/off) @ 25°C: 27ns/100ns
Switching Energy: 670µJ (on), 740µJ (off)
Test Condition: 360V, 36A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 70 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 600 W
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+817.08 грн
30+ 637.34 грн
120+ 599.85 грн
IXXH50N60B3D1 media-3319508.pdf
IXXH50N60B3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
на замовлення 300 шт:
термін постачання 343-352 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+875.82 грн
10+ 658.34 грн
IXXH50N60C3D1 media-3323788.pdf
IXXH50N60C3D1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors XPT IGBT C3-Class 600V/100Amp CoPacked
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+909.06 грн
10+ 795.49 грн
30+ 649.99 грн
60+ 636.08 грн
510+ 543.32 грн
1020+ 498.26 грн
NGTB50N60FWG ngtb50n60fw-d.pdf
NGTB50N60FWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
на замовлення 10950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
88+230.18 грн
Мінімальне замовлення: 88
NGTB50N60S1WG NGTB50N60S1WG.pdf
NGTB50N60S1WG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 50A 600V TO-247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 100ns/237ns
Switching Energy: 1.5mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 220 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
93+216.76 грн
Мінімальне замовлення: 93
NGTB50N60SWG ngtb50n60sw-d.pdf
NGTB50N60SWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 50A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 376 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 70ns/144ns
Switching Energy: 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 135 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
99+204.01 грн
Мінімальне замовлення: 99
NGTG50N60FLWG NGTG50N60FLWG.pdf
NGTG50N60FLWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 50A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 116ns/292ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+202 грн
Мінімальне замовлення: 100
NGTG50N60FWG ngtg50n60fw-d.pdf
NGTG50N60FWG
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 100A 223W TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 117ns/285ns
Switching Energy: 1.1mJ (on), 1.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 310 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 200 A
Power - Max: 223 W
на замовлення 4181 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+193.27 грн
Мінімальне замовлення: 105
RM150N60HD-W rm150n60hd-1395994.pdf
RM150N60HD-W
Виробник: Rectron
MOSFET
на замовлення 753 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+188.61 грн
10+ 154.68 грн
100+ 107.34 грн
250+ 98.72 грн
500+ 90.11 грн
800+ 76.86 грн
2400+ 72.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
SGW50N60HSFKSA1 Part_Number_Guide_Web.pdf
SGW50N60HSFKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 600V 100A 416W TO247-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.15V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: PG-TO247-3-1
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 47ns/310ns
Switching Energy: 1.96mJ
Test Condition: 400V, 50A, 6.8Ohm, 15V
Gate Charge: 179 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 416 W
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
96+211.39 грн
Мінімальне замовлення: 96
SIHA150N60E-GE3 siha150n60e.pdf
SIHA150N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET THIN-LEAD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+232.94 грн
10+ 188.49 грн
100+ 152.49 грн
500+ 127.21 грн
1000+ 108.92 грн
2000+ 102.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB150N60E-GE3 sihb150n60e.pdf
SIHB150N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET D2PAK (TO-263), 158 mohm a. 10V
на замовлення 1916 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+263.6 грн
10+ 218.68 грн
25+ 179.56 грн
100+ 154.38 грн
250+ 145.11 грн
500+ 137.15 грн
1000+ 115.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB150N60E-GE3 sihb150n60e.pdf
SIHB150N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET D2PAK (TO-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 158mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+246.56 грн
10+ 199.12 грн
100+ 161.07 грн
500+ 134.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
SIHG050N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO247AC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+634.31 грн
10+ 523.23 грн
100+ 436.06 грн
SIHG050N60E-GE3 sihg050n60e.pdf
SIHG050N60E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+678.7 грн
10+ 573 грн
25+ 452.54 грн
100+ 415.44 грн
250+ 390.92 грн
500+ 366.41 грн
1000+ 329.97 грн
SIHG150N60E-GE3 sihg150n60e.pdf
SIHG150N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-247AC,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247AC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+278.09 грн
10+ 224.66 грн
100+ 181.75 грн
500+ 151.61 грн
1000+ 129.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH150N60E-T1-GE3 sihh150n60e.pdf
SIHH150N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+350.48 грн
10+ 283.32 грн
100+ 229.21 грн
500+ 191.2 грн
1000+ 163.72 грн
SIHH150N60E-T1-GE3 sihh150n60e.pdf
SIHH150N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET E Series Power MOSFET PowerPAK 8x8, 155 mohm a. 10V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+371.05 грн
10+ 307.83 грн
25+ 251.78 грн
100+ 216 грн
250+ 204.07 грн
500+ 192.15 грн
1000+ 164.32 грн
SIHH150N60E-T1-GE3 sihh150n60e.pdf
SIHH150N60E-T1-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+170.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+135.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: EF SERIES POWER MOSFET WITH FAST
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerPAK® 8 x 8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 915 pF @ 100 V
на замовлення 3050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+278.81 грн
10+ 225.21 грн
100+ 182.22 грн
500+ 152 грн
1000+ 130.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHH250N60EF-T1GE3 sihh250n60ef.pdf
SIHH250N60EF-T1GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET EF SERIES PWR MOSFET
на замовлення 9020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+298.38 грн
10+ 247.64 грн
25+ 202.75 грн
100+ 173.6 грн
250+ 164.32 грн
500+ 154.38 грн
1000+ 141.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
SIHP050N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 600V 51A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3459 pF @ 100 V
на замовлення 956 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+599.91 грн
10+ 495.35 грн
100+ 412.75 грн
500+ 341.79 грн
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
SIHP050N60E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+642.37 грн
10+ 543.28 грн
25+ 447.9 грн
100+ 393.57 грн
250+ 380.98 грн
500+ 347.85 грн
1000+ 310.75 грн
SIHP150N60E-GE3 sihp150n60e.pdf
SIHP150N60E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: E SERIES POWER MOSFET TO-220AB,
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 100 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+240.11 грн
10+ 194.29 грн
100+ 157.19 грн
500+ 131.13 грн
1000+ 112.28 грн
2000+ 105.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
STP50N60DM6 stp50n60dm6-1874801.pdf
STP50N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 70 mOhm typ 36 A MDmesh DM6 Power MOSFET
на замовлення 519 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+421.29 грн
10+ 379.46 грн
25+ 286.23 грн
100+ 245.82 грн
250+ 237.87 грн
500+ 217.99 грн
1000+ 185.52 грн
STP50N60DM6 stp50n60dm6.pdf
STP50N60DM6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 36A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 100 V
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+393.49 грн
50+ 300.18 грн
100+ 257.29 грн
500+ 214.63 грн
Транзистор IGBT IKW50N60H3_(K50H603, K50T60) 50А 600V TO-247
на замовлення 18 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+239.96 грн
E250N60
Виробник: ST
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IGW50N60TP
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 51 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKFW50N60ETXKSA1 IKFW50N60ET.pdf
IKFW50N60ETXKSA1
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 59A; 120W; PG-TO247-3-AI
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 59A
Power dissipation: 120W
Case: PG-TO247-3-AI
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: THT
Gate charge: 290nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 61ns
Turn-off time: 332ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 240 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
240+419.21 грн
Мінімальне замовлення: 240
IKW50N60DTP
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IKW50N60DTP
Виробник: Infineon
на замовлення 15600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGK50N60AU1 IXGK50N60AU1.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2,3.pdf
Виробник: IXYS
MODULE
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2,3.pdf
Виробник: ABB
07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXGN50N60BD3 IXGN50N60BD2,3.pdf
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXSK50N60AU1 IXSK50N60AU1.pdf
Виробник: IXYS
09+ QFN
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IXSN50N60U1
Виробник: IXYS
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB50N60L2WG ngtb50n60l2w-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG50N60FWG ngtg50n60fw-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 22 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
RFP50N60
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUF
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFD
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU===
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU===Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU==Fa
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFDTU==Fairchild
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGL50N60RUFTU SGL50N60RUF.pdf
на замовлення 4950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SGW50N60HS
Виробник: INFINEON
MODULE
на замовлення 184 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
SM50N60P
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
TD250N600KOF
Виробник: AEG
05+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]