Результат пошуку "5n50" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
CHV0805N500332KXT CHV0805N500332KXT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 X7R 3300PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 3300 pF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CHV0805N500391JCT CHV0805N500391JCT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 COG 390PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 390 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500471JCT CHV0805N500471JCT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 COG 470PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 470 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500471KXT CHV0805N500471KXT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 X7R 470PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 470 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500560JCT CHV0805N500560JCT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 COG 56PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 56 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500680JCT CHV0805N500680JCT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 COG 68PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 68 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500681KXT CHV0805N500681KXT Cal-Chip Electronics, Inc. chv_series-1.pdf Description: HVCAP0805 X7R 680PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 680 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
E125N50X4 E125N50X4 Anaren E125N50X4-3365156.pdf High Frequency/RF Resistors
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.83 грн
10+ 459.12 грн
25+ 362.51 грн
50+ 326.46 грн
100+ 293.08 грн
250+ 265.71 грн
500+ 247.68 грн
E125N50X4 TTM Technologies, Inc. E125N50X4.pdf Description: RES SMD 50 OHM 2% 125W
Power (Watts): 125W
Tolerance: ±2%
Features: RF, High Frequency
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.250" L x 0.250" W (6.35mm x 6.35mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Number of Terminations: 1
Height - Seated (Max): 0.068" (1.73mm)
Part Status: Active
Resistance: 50 Ohms
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.8 грн
10+ 422.47 грн
25+ 384.07 грн
80+ 324.38 грн
230+ 297.35 грн
440+ 270.32 грн
E152N5N5004P MOLEX Category: Unclassified
Description: E152N5N5004P
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+1168.32 грн
48+ 956.91 грн
96+ 938.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB15N50 FDB15N50 onsemi / Fairchild FDB15N50_D-2311988.pdf MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
2+275.72 грн
10+ 228.79 грн
100+ 164.23 грн
250+ 162.23 грн
500+ 160.89 грн
800+ 138.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD5N50NZFTM FDD5N50NZFTM ON Semiconductor fdd5n50nzf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM onsemi fdd5n50nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+67.16 грн
10+ 52.92 грн
100+ 41.17 грн
500+ 32.75 грн
1000+ 26.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM onsemi fdd5n50nz-d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.79 грн
5000+ 25.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM onsemi / Fairchild FDD5N50NZ_D-2312190.pdf MOSFET UNIFET2 500V
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+71.74 грн
10+ 58.04 грн
100+ 39.32 грн
500+ 33.25 грн
1000+ 27.11 грн
2500+ 25.5 грн
5000+ 25.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD5N50NZTM FDD5N50NZTM ON Semiconductor fdd5n50nz-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDH45N50F-F133 FDH45N50F-F133 onsemi / Fairchild FDH45N50F_D-2312294.pdf MOSFET 500V N Channel MOSFET FRFET
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+440.07 грн
10+ 414.59 грн
25+ 285.07 грн
100+ 263.71 грн
250+ 255.7 грн
450+ 243.01 грн
900+ 224.32 грн
FSW25N50A; 25A; 500V; 230W; 0,18R; N-Channel; TO-247 (TO-3PN); IPS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
6+128.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
IXTA15N50L2 IXTA15N50L2 IXYS media-3323447.pdf MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+979.05 грн
10+ 850.67 грн
25+ 719.69 грн
50+ 678.29 грн
100+ 638.91 грн
250+ 638.24 грн
IXTA15N50L2 IXTA15N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_15n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+914.28 грн
50+ 712.44 грн
100+ 670.53 грн
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+687.51 грн
2+ 470.11 грн
3+ 469.42 грн
5+ 443.68 грн
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS IXTA(H,P)15N50L2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+825.02 грн
2+ 585.83 грн
3+ 563.3 грн
5+ 532.42 грн
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS media-3323447.pdf MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+829.51 грн
10+ 700.19 грн
30+ 552.78 грн
120+ 507.39 грн
270+ 492.7 грн
IXTH15N50L2 IXTH15N50L2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_15n50_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+774.17 грн
30+ 595.33 грн
120+ 532.66 грн
510+ 441.08 грн
IXTP15N50L2 IXTP15N50L2 IXYS media-3323447.pdf MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+722.02 грн
10+ 641.08 грн
50+ 494.03 грн
100+ 441.96 грн
250+ 432.61 грн
500+ 390.55 грн
1000+ 355.17 грн
R5F61655N50FPV Renesas Electronics REN_rej09b0499_h8sx1655hm_MAH_20091020-2931461.pdf 32-bit Microcontrollers - MCU MCU 3V 512K PB-Free 120-LQFP
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1992.38 грн
10+ 1811.13 грн
25+ 1504.13 грн
90+ 1252.44 грн
1080+ 1251.77 грн
2520+ 1249.1 грн
5040+ 1244.43 грн
SIHA15N50E-E3 SIHA15N50E-E3 Vishay / Siliconix siha15n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.44 грн
10+ 117.47 грн
100+ 84.12 грн
250+ 82.12 грн
500+ 74.11 грн
1000+ 68.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-E3 SIHA15N50E-E3 Vishay Siliconix siha15n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.99 грн
10+ 114.4 грн
100+ 91.05 грн
500+ 72.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-GE3 SIHA15N50E-GE3 Vishay Siliconix siha15n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.71 грн
10+ 115.02 грн
100+ 91.56 грн
500+ 72.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-GE3 SIHA15N50E-GE3 Vishay / Siliconix siha15n50e.pdf MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+133.19 грн
10+ 115.93 грн
100+ 86.12 грн
250+ 82.12 грн
500+ 80.11 грн
1000+ 67.43 грн
5000+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-GE3 SIHA15N50E-GE3 Vishay Siliconix siha15n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SiHA25N50E-E3 SiHA25N50E-E3 Vishay Siliconix siha25n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.99 грн
50+ 158.82 грн
100+ 136.13 грн
500+ 113.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHA25N50E-E3 SiHA25N50E-E3 Vishay / Siliconix siha25n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.76 грн
10+ 185.03 грн
50+ 150.88 грн
100+ 129.52 грн
250+ 122.17 грн
500+ 114.83 грн
1000+ 92.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA25N50E-GE3 SIHA25N50E-GE3 Vishay Siliconix siha25n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.99 грн
10+ 168.22 грн
100+ 136.13 грн
500+ 113.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA25N50E-GE3 SIHA25N50E-GE3 Vishay Siliconix siha25n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHB25N50E-GE3 SIHB25N50E-GE3 Vishay Siliconix sihb25n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.87 грн
10+ 191.38 грн
100+ 154.83 грн
500+ 129.16 грн
1000+ 110.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB25N50E-GE3 SIHB25N50E-GE3 Vishay / Siliconix sihb25n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+253.14 грн
10+ 208.83 грн
25+ 172.24 грн
100+ 146.87 грн
250+ 138.86 грн
500+ 130.85 грн
1000+ 116.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD5N50D-E3 SIHD5N50D-E3 Vishay / Siliconix sihd5n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+88.01 грн
10+ 71.17 грн
100+ 48.13 грн
500+ 40.79 грн
1000+ 30.64 грн
3000+ 29.84 грн
6000+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD5N50D-GE3 SIHD5N50D-GE3 Vishay / Siliconix sihd5n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
5+73.14 грн
10+ 57.89 грн
100+ 39.92 грн
500+ 33.85 грн
1000+ 30.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHF5N50D-E3 SIHF5N50D-E3 Vishay / Siliconix sihf5n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 995 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
4+95.8 грн
10+ 75.7 грн
100+ 52.01 грн
500+ 44.13 грн
1000+ 35.92 грн
2000+ 33.78 грн
5000+ 32.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHG25N50E-GE3 SIHG25N50E-GE3 Vishay / Siliconix sihg25n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+268.71 грн
10+ 241.08 грн
25+ 182.26 грн
100+ 156.22 грн
250+ 152.22 грн
500+ 138.2 грн
1000+ 122.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP15N50E-BE3 SIHP15N50E-BE3 Vishay Siliconix sihp15n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.99 грн
50+ 110.67 грн
100+ 91.05 грн
500+ 72.3 грн
1000+ 61.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-BE3 SIHP15N50E-BE3 Vishay / Siliconix sihp15n50e.pdf MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.44 грн
10+ 110.56 грн
100+ 90.13 грн
1000+ 76.11 грн
2000+ 75.44 грн
5000+ 73.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Vishay Siliconix sihp15n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 11541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+101.1 грн
50+ 77.79 грн
100+ 64.01 грн
500+ 54.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 Vishay Semiconductors sihp15n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+153.44 грн
10+ 121.31 грн
100+ 86.79 грн
250+ 80.78 грн
500+ 73.44 грн
1000+ 61.15 грн
2000+ 58.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP25N50E-BE3 SIHP25N50E-BE3 Vishay Siliconix sihp25n50e.pdf Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.71 грн
50+ 159.24 грн
100+ 136.49 грн
500+ 113.86 грн
1000+ 97.49 грн
2000+ 91.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-BE3 SIHP25N50E-BE3 Vishay / Siliconix sihp25n50e.pdf MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.54 грн
10+ 188.87 грн
50+ 138.86 грн
100+ 128.18 грн
250+ 126.18 грн
500+ 122.84 грн
1000+ 119.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Vishay Siliconix sihp25n50e.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+208.71 грн
50+ 159.24 грн
100+ 136.49 грн
500+ 113.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-GE3 SIHP25N50E-GE3 Vishay Semiconductors sihp25n50e.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+223.54 грн
10+ 185.8 грн
50+ 124.84 грн
100+ 112.16 грн
250+ 111.49 грн
500+ 104.82 грн
1000+ 93.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 Vishay Siliconix sihp5n50d.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+72.94 грн
10+ 57.37 грн
100+ 44.61 грн
500+ 35.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP5N50D-GE3 SIHP5N50D-GE3 Vishay / Siliconix sihp5n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+77.89 грн
10+ 52.82 грн
100+ 37.59 грн
500+ 33.38 грн
1000+ 29.31 грн
2000+ 27.77 грн
5000+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHU5N50D-GE3 SIHU5N50D-GE3 Vishay / Siliconix sihu5n50d.pdf MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 10686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.44 грн
10+ 57.66 грн
100+ 39.52 грн
500+ 33.51 грн
1000+ 27.31 грн
3000+ 24.9 грн
6000+ 24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SiTime SiT5021 Description: MEMS OSC TCXO 50.0000MHZ LVDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±5ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 55mA
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+620.35 грн
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SiTime SiT5021 Description: MEMS OSC TCXO 50.0000MHZ LVDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±5ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 55mA
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+619.8 грн
Мінімальне замовлення: 250
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG STMicroelectronics en.DM00232376.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+432.58 грн
10+ 357.17 грн
100+ 297.61 грн
500+ 246.44 грн
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG STMicroelectronics en.DM00232376.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+245.43 грн
2000+ 221.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB45N50DM2AG STB45N50DM2AG STMicroelectronics stb45n50dm2ag-1850348.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
1+463.43 грн
10+ 392.32 грн
25+ 329.13 грн
100+ 283.74 грн
250+ 281.07 грн
500+ 251.02 грн
1000+ 224.99 грн
STD15N50M2AG STD15N50M2AG STMicroelectronics en.DM00173460.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.21 грн
10+ 99.24 грн
100+ 78.98 грн
500+ 62.72 грн
1000+ 53.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD15N50M2AG STD15N50M2AG STMicroelectronics en.DM00173460.pdf Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.94 грн
5000+ 51.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD15N50M2AG STD15N50M2AG STMicroelectronics std15n50m2ag-1850587.pdf MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.336 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
3+133.19 грн
10+ 109.02 грн
100+ 75.44 грн
500+ 63.96 грн
1000+ 54.08 грн
2500+ 51.34 грн
5000+ 49.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
CHV0805N500332KXT chv_series-1.pdf
CHV0805N500332KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 X7R 3300PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 3300 pF
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3 грн
Мінімальне замовлення: 3000
CHV0805N500391JCT chv_series-1.pdf
CHV0805N500391JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 COG 390PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 390 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500471JCT chv_series-1.pdf
CHV0805N500471JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 COG 470PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 470 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500471KXT chv_series-1.pdf
CHV0805N500471KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 X7R 470PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 470 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500560JCT chv_series-1.pdf
CHV0805N500560JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 COG 56PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 56 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.19 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500680JCT chv_series-1.pdf
CHV0805N500680JCT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 COG 68PF 5% 500V
Tolerance: ±5%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 68 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
CHV0805N500681KXT chv_series-1.pdf
CHV0805N500681KXT
Виробник: Cal-Chip Electronics, Inc.
Description: HVCAP0805 X7R 680PF 10% 500V
Tolerance: ±10%
Features: High Voltage
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 500V
Package / Case: 0805 (2012 Metric)
Temperature Coefficient: X7R
Size / Dimension: 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: General Purpose
Thickness (Max): 0.057" (1.45mm)
Capacitance: 680 pF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000
E125N50X4 E125N50X4-3365156.pdf
E125N50X4
Виробник: Anaren
High Frequency/RF Resistors
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+507.83 грн
10+ 459.12 грн
25+ 362.51 грн
50+ 326.46 грн
100+ 293.08 грн
250+ 265.71 грн
500+ 247.68 грн
E125N50X4 E125N50X4.pdf
Виробник: TTM Technologies, Inc.
Description: RES SMD 50 OHM 2% 125W
Power (Watts): 125W
Tolerance: ±2%
Features: RF, High Frequency
Packaging: Tray
Size / Dimension: 0.250" L x 0.250" W (6.35mm x 6.35mm)
Composition: Thick Film
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Number of Terminations: 1
Height - Seated (Max): 0.068" (1.73mm)
Part Status: Active
Resistance: 50 Ohms
на замовлення 897 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+478.8 грн
10+ 422.47 грн
25+ 384.07 грн
80+ 324.38 грн
230+ 297.35 грн
440+ 270.32 грн
E152N5N5004P
Виробник: MOLEX
Category: Unclassified
Description: E152N5N5004P
на замовлення 201 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+1168.32 грн
48+ 956.91 грн
96+ 938.14 грн
Мінімальне замовлення: 3
FDB15N50 FDB15N50_D-2311988.pdf
FDB15N50
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 15A 500V 0.38 Ohm N-Ch SMPS Pwr
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 357-366 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+275.72 грн
10+ 228.79 грн
100+ 164.23 грн
250+ 162.23 грн
500+ 160.89 грн
800+ 138.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDD5N50NZFTM fdd5n50nzf.pdf
FDD5N50NZFTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 3.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FDD5N50NZTM fdd5n50nz-d.pdf
FDD5N50NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 5745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.16 грн
10+ 52.92 грн
100+ 41.17 грн
500+ 32.75 грн
1000+ 26.68 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD5N50NZTM fdd5n50nz-d.pdf
FDD5N50NZTM
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 500V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.79 грн
5000+ 25.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDD5N50NZTM FDD5N50NZ_D-2312190.pdf
FDD5N50NZTM
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET UNIFET2 500V
на замовлення 13400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+71.74 грн
10+ 58.04 грн
100+ 39.32 грн
500+ 33.25 грн
1000+ 27.11 грн
2500+ 25.5 грн
5000+ 25.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
FDD5N50NZTM fdd5n50nz-d.pdf
FDD5N50NZTM
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+27.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
FDH45N50F-F133 FDH45N50F_D-2312294.pdf
FDH45N50F-F133
Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 500V N Channel MOSFET FRFET
на замовлення 1905 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+440.07 грн
10+ 414.59 грн
25+ 285.07 грн
100+ 263.71 грн
250+ 255.7 грн
450+ 243.01 грн
900+ 224.32 грн
FSW25N50A; 25A; 500V; 230W; 0,18R; N-Channel; TO-247 (TO-3PN); IPS
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+128.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
IXTA15N50L2 media-3323447.pdf
IXTA15N50L2
Виробник: IXYS
MOSFET MSFT N-CH LINEAR L2
на замовлення 279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+979.05 грн
10+ 850.67 грн
25+ 719.69 грн
50+ 678.29 грн
100+ 638.91 грн
250+ 638.24 грн
IXTA15N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_15n50_datasheet.pdf.pdf
IXTA15N50L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+914.28 грн
50+ 712.44 грн
100+ 670.53 грн
IXTH15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+687.51 грн
2+ 470.11 грн
3+ 469.42 грн
5+ 443.68 грн
IXTH15N50L2 IXTA(H,P)15N50L2.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 15A; 300W; TO247-3; 570ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 15A
Power dissipation: 300W
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.48Ω
Mounting: THT
Gate charge: 123nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
Reverse recovery time: 570ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 122 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+825.02 грн
2+ 585.83 грн
3+ 563.3 грн
5+ 532.42 грн
IXTH15N50L2 media-3323447.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+829.51 грн
10+ 700.19 грн
30+ 552.78 грн
120+ 507.39 грн
270+ 492.7 грн
IXTH15N50L2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_linear_ixt_15n50_datasheet.pdf.pdf
IXTH15N50L2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 15A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 25 V
на замовлення 629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+774.17 грн
30+ 595.33 грн
120+ 532.66 грн
510+ 441.08 грн
IXTP15N50L2 media-3323447.pdf
IXTP15N50L2
Виробник: IXYS
MOSFET LINEAR L2 SERIES MOSFET 500V 15A
на замовлення 1063 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+722.02 грн
10+ 641.08 грн
50+ 494.03 грн
100+ 441.96 грн
250+ 432.61 грн
500+ 390.55 грн
1000+ 355.17 грн
R5F61655N50FPV REN_rej09b0499_h8sx1655hm_MAH_20091020-2931461.pdf
Виробник: Renesas Electronics
32-bit Microcontrollers - MCU MCU 3V 512K PB-Free 120-LQFP
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1992.38 грн
10+ 1811.13 грн
25+ 1504.13 грн
90+ 1252.44 грн
1080+ 1251.77 грн
2520+ 1249.1 грн
5040+ 1244.43 грн
SIHA15N50E-E3 siha15n50e.pdf
SIHA15N50E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.44 грн
10+ 117.47 грн
100+ 84.12 грн
250+ 82.12 грн
500+ 74.11 грн
1000+ 68.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-E3 siha15n50e.pdf
SIHA15N50E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.99 грн
10+ 114.4 грн
100+ 91.05 грн
500+ 72.3 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-GE3 siha15n50e.pdf
SIHA15N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.71 грн
10+ 115.02 грн
100+ 91.56 грн
500+ 72.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-GE3 siha15n50e.pdf
SIHA15N50E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.19 грн
10+ 115.93 грн
100+ 86.12 грн
250+ 82.12 грн
500+ 80.11 грн
1000+ 67.43 грн
5000+ 66.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHA15N50E-GE3 siha15n50e.pdf
SIHA15N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SiHA25N50E-E3 siha25n50e.pdf
SiHA25N50E-E3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.99 грн
50+ 158.82 грн
100+ 136.13 грн
500+ 113.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SiHA25N50E-E3 siha25n50e.pdf
SiHA25N50E-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+222.76 грн
10+ 185.03 грн
50+ 150.88 грн
100+ 129.52 грн
250+ 122.17 грн
500+ 114.83 грн
1000+ 92.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA25N50E-GE3 siha25n50e.pdf
SIHA25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+207.99 грн
10+ 168.22 грн
100+ 136.13 грн
500+ 113.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHA25N50E-GE3 siha25n50e.pdf
SIHA25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+107.6 грн
Мінімальне замовлення: 1000
SIHB25N50E-GE3 sihb25n50e.pdf
SIHB25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+236.87 грн
10+ 191.38 грн
100+ 154.83 грн
500+ 129.16 грн
1000+ 110.59 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHB25N50E-GE3 sihb25n50e.pdf
SIHB25N50E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.14 грн
10+ 208.83 грн
25+ 172.24 грн
100+ 146.87 грн
250+ 138.86 грн
500+ 130.85 грн
1000+ 116.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHD5N50D-E3 sihd5n50d.pdf
SIHD5N50D-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+88.01 грн
10+ 71.17 грн
100+ 48.13 грн
500+ 40.79 грн
1000+ 30.64 грн
3000+ 29.84 грн
6000+ 29.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHD5N50D-GE3 sihd5n50d.pdf
SIHD5N50D-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs DPAK (TO-252)
на замовлення 5485 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+73.14 грн
10+ 57.89 грн
100+ 39.92 грн
500+ 33.85 грн
1000+ 30.98 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIHF5N50D-E3 sihf5n50d.pdf
SIHF5N50D-E3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 995 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+95.8 грн
10+ 75.7 грн
100+ 52.01 грн
500+ 44.13 грн
1000+ 35.92 грн
2000+ 33.78 грн
5000+ 32.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHG25N50E-GE3 sihg25n50e.pdf
SIHG25N50E-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-247AC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+268.71 грн
10+ 241.08 грн
25+ 182.26 грн
100+ 156.22 грн
250+ 152.22 грн
500+ 138.2 грн
1000+ 122.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP15N50E-BE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 1847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.99 грн
50+ 110.67 грн
100+ 91.05 грн
500+ 72.3 грн
1000+ 61.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-BE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.44 грн
10+ 110.56 грн
100+ 90.13 грн
1000+ 76.11 грн
2000+ 75.44 грн
5000+ 73.44 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 14.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1162 pF @ 100 V
на замовлення 11541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+101.1 грн
50+ 77.79 грн
100+ 64.01 грн
500+ 54.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+153.44 грн
10+ 121.31 грн
100+ 86.79 грн
250+ 80.78 грн
500+ 73.44 грн
1000+ 61.15 грн
2000+ 58.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
SIHP25N50E-BE3 sihp25n50e.pdf
SIHP25N50E-BE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: N-CHANNEL 500V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.71 грн
50+ 159.24 грн
100+ 136.49 грн
500+ 113.86 грн
1000+ 97.49 грн
2000+ 91.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-BE3 sihp25n50e.pdf
SIHP25N50E-BE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET N-CHANNEL 500V
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.54 грн
10+ 188.87 грн
50+ 138.86 грн
100+ 128.18 грн
250+ 126.18 грн
500+ 122.84 грн
1000+ 119.5 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-GE3 sihp25n50e.pdf
SIHP25N50E-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1980 pF @ 100 V
на замовлення 908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+208.71 грн
50+ 159.24 грн
100+ 136.49 грн
500+ 113.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP25N50E-GE3 sihp25n50e.pdf
SIHP25N50E-GE3
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 954 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+223.54 грн
10+ 185.8 грн
50+ 124.84 грн
100+ 112.16 грн
250+ 111.49 грн
500+ 104.82 грн
1000+ 93.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
SIHP5N50D-GE3 sihp5n50d.pdf
SIHP5N50D-GE3
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+72.94 грн
10+ 57.37 грн
100+ 44.61 грн
500+ 35.48 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHP5N50D-GE3 sihp5n50d.pdf
SIHP5N50D-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs TO-220AB
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.89 грн
10+ 52.82 грн
100+ 37.59 грн
500+ 33.38 грн
1000+ 29.31 грн
2000+ 27.77 грн
5000+ 26.7 грн
Мінімальне замовлення: 4
SIHU5N50D-GE3 sihu5n50d.pdf
SIHU5N50D-GE3
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
на замовлення 10686 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+72.44 грн
10+ 57.66 грн
100+ 39.52 грн
500+ 33.51 грн
1000+ 27.31 грн
3000+ 24.9 грн
6000+ 24.37 грн
Мінімальне замовлення: 5
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SiT5021
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC TCXO 50.0000MHZ LVDS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±5ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 55mA
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 2593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+620.35 грн
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X SiT5021
SIT5021AI-2CE-25N-50.000000X
Виробник: SiTime
Description: MEMS OSC TCXO 50.0000MHZ LVDS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Output: LVDS
Type: TCXO
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Frequency Stability: ±5ppm
Voltage - Supply: 2.5V
Current - Supply (Max): 55mA
Height - Seated (Max): 0.031" (0.80mm)
Part Status: Active
Frequency: 50 MHz
Base Resonator: MEMS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
250+619.8 грн
Мінімальне замовлення: 250
STB45N50DM2AG en.DM00232376.pdf
STB45N50DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+432.58 грн
10+ 357.17 грн
100+ 297.61 грн
500+ 246.44 грн
STB45N50DM2AG en.DM00232376.pdf
STB45N50DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 500V 35A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 17.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+245.43 грн
2000+ 221.46 грн
Мінімальне замовлення: 1000
STB45N50DM2AG stb45n50dm2ag-1850348.pdf
STB45N50DM2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.07 Ohm typ 35 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+463.43 грн
10+ 392.32 грн
25+ 329.13 грн
100+ 283.74 грн
250+ 281.07 грн
500+ 251.02 грн
1000+ 224.99 грн
STD15N50M2AG en.DM00173460.pdf
STD15N50M2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+124.21 грн
10+ 99.24 грн
100+ 78.98 грн
500+ 62.72 грн
1000+ 53.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD15N50M2AG en.DM00173460.pdf
STD15N50M2AG
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CHANNEL 500V 10A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530 pF @ 100 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55.94 грн
5000+ 51.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD15N50M2AG std15n50m2ag-1850587.pdf
STD15N50M2AG
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Automotive-grade N-channel 500 V, 0.336 Ohm typ 10 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+133.19 грн
10+ 109.02 грн
100+ 75.44 грн
500+ 63.96 грн
1000+ 54.08 грн
2500+ 51.34 грн
5000+ 49.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]