Результат пошуку "5n65" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
AIGB15N65F5ATMA1 AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.07 грн
10+ 160.44 грн
100+ 129.81 грн
500+ 108.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIGB15N65F5ATMA1 AIGB15N65F5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+92.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIGB15N65H5ATMA1 AIGB15N65H5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172 Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 160µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+198.07 грн
10+ 160.44 грн
100+ 129.81 грн
500+ 108.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.77 грн
10+ 201.67 грн
100+ 163.17 грн
500+ 136.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.97 грн
2000+ 116.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+128.97 грн
2000+ 116.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4 Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.77 грн
10+ 201.67 грн
100+ 163.17 грн
500+ 136.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+832.19 грн
2+ 571.5 грн
4+ 539.94 грн
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1 BASiC SEMICONDUCTOR BGH75N65ZF1.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+998.63 грн
2+ 712.17 грн
4+ 647.93 грн
150+ 622.69 грн
BIDW75N65EH5 BIDW75N65EH5 Bourns Bourns_01_17_2024_BIDW75N65EH5-3392669.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.3 грн
10+ 385.53 грн
25+ 303.6 грн
100+ 279.37 грн
250+ 263.21 грн
600+ 245.71 грн
1200+ 221.47 грн
BIDW75N65ES5 BIDW75N65ES5 Bourns Bourns_01_17_2024_BIDW75N65ES5-3392676.pdf IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+456.3 грн
10+ 385.53 грн
25+ 303.6 грн
100+ 279.37 грн
250+ 263.21 грн
600+ 245.71 грн
1200+ 221.47 грн
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi fcb125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.69 грн
10+ 264.99 грн
100+ 214.35 грн
FCB125N65S3 FCB125N65S3 onsemi FCB125N65S3_D-2311543.pdf MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 24 A, 125 mohm, D2PAK
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+359.7 грн
10+ 298.05 грн
25+ 228.21 грн
100+ 210.03 грн
250+ 197.91 грн
500+ 187.14 грн
800+ 158.2 грн
FCH125N65S3R0-F155 FCH125N65S3R0-F155 onsemi fch125n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+455.12 грн
30+ 347.01 грн
120+ 297.44 грн
FCH165N65S3R0-F155 FCH165N65S3R0-F155 onsemi fch165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+293.46 грн
10+ 237.01 грн
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi FCMT125N65S3_D-2312043.pdf MOSFET SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.51 грн
10+ 256.24 грн
25+ 222.15 грн
100+ 192.53 грн
250+ 191.85 грн
500+ 181.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3 onsemi fcmt125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+406.33 грн
10+ 328.52 грн
100+ 265.77 грн
500+ 221.7 грн
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi fcp125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+164.02 грн
100+ 135.38 грн
250+ 132.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi FCP125N65S3_D-2311643.pdf MOSFET SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+314.93 грн
10+ 260.89 грн
50+ 214.07 грн
100+ 183.1 грн
250+ 173.01 грн
500+ 162.91 грн
800+ 139.35 грн
FCP125N65S3 FCP125N65S3 onsemi fcp125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+294.19 грн
10+ 238.07 грн
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi FCP125N65S3R0_D-2311923.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+322.79 грн
10+ 267.86 грн
50+ 211.38 грн
100+ 187.82 грн
250+ 187.14 грн
500+ 160.22 грн
800+ 134.63 грн
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0 onsemi fcp125n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+301.47 грн
50+ 230.1 грн
100+ 197.23 грн
500+ 164.52 грн
FCP165N65S3 FCP165N65S3 onsemi FCP165N65S3_D-2311887.pdf MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+286.66 грн
10+ 236.89 грн
50+ 198.59 грн
100+ 184.45 грн
250+ 179.74 грн
500+ 175.7 грн
800+ 142.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 onsemi FCP165N65S3R0_D-2311924.pdf MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+285.09 грн
10+ 236.12 грн
50+ 166.27 грн
500+ 160.22 грн
800+ 157.52 грн
2400+ 150.79 грн
5600+ 149.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0 onsemi fcp165n65s3r0-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+143.18 грн
Мінімальне замовлення: 143
FCPF125N65S3 FCPF125N65S3 onsemi fcpf125n65s3-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.69 грн
50+ 250.2 грн
100+ 214.45 грн
500+ 178.9 грн
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1-F154 onsemi FCPF165N65S3L1_D-2311889.pdf MOSFET SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+215.98 грн
10+ 178.05 грн
100+ 122.52 грн
250+ 113.09 грн
500+ 103 грн
1000+ 86.84 грн
2000+ 83.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF15N65 FDPF15N65 onsemi Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.5 грн
50+ 140.1 грн
100+ 120.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD15N65T6ARMA1 IGD15N65T6ARMA1 Infineon Technologies Infineon_IGD15N65T6_DataSheet_v02_03_EN-2898625.pdf IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.43 грн
10+ 114.57 грн
100+ 84.82 грн
250+ 80.78 грн
500+ 71.36 грн
1000+ 66.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394 Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.91 грн
30+ 276.05 грн
120+ 236.62 грн
IGW75N65H5XKSA1 IGW75N65H5XKSA1 Infineon Technologies infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 INFINEON TECHNOLOGIES IKA15N65ET6.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.52 грн
6+ 68.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6XKSA2 Infineon Technologies infineon-ika15n65et6-datasheet-v01_00-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKA15N65F5XKSA1 IKA15N65F5XKSA1 Infineon Technologies DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b Description: IGBT 650V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.02 грн
50+ 122.35 грн
100+ 100.67 грн
500+ 79.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N65EH5ATMA1 IKB15N65EH5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914 Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.52 грн
10+ 159.95 грн
100+ 127.32 грн
500+ 101.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW75N65EH5XKSA1 IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361942.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+630.65 грн
10+ 591.45 грн
25+ 422.08 грн
100+ 379.67 грн
240+ 328.51 грн
IKFW75N65EH5XKSA1 IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKFW75N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972d5b51efd Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+661.2 грн
30+ 508.6 грн
120+ 455.05 грн
IKFW75N65ES5XKSA1 IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKFW75N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362028.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+704.48 грн
10+ 596.1 грн
25+ 469.88 грн
100+ 381.69 грн
240+ 356.78 грн
480+ 342.65 грн
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw75n65el5-ds-v02_01-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+300.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 IKW75N65EL5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+550.51 грн
30+ 423.12 грн
120+ 378.59 грн
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8 Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+468.23 грн
30+ 359.98 грн
120+ 322.11 грн
510+ 266.72 грн
1020+ 240.05 грн
2010+ 224.93 грн
IKW75N65ES5XKSA1 IKW75N65ES5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikw75n65es5-ds-v02_02-en.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361891.pdf IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.98 грн
10+ 480.75 грн
25+ 315.05 грн
100+ 294.85 грн
240+ 294.18 грн
480+ 256.48 грн
1200+ 245.04 грн
IKW75N65ET7XKSA1 IKW75N65ET7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+493.71 грн
30+ 379.24 грн
120+ 339.32 грн
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+618.24 грн
30+ 475.2 грн
120+ 425.16 грн
IKW75N65RH5XKSA1 IKW75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362068.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.85 грн
10+ 559.71 грн
25+ 441.6 грн
100+ 405.25 грн
240+ 381.02 грн
480+ 321.78 грн
1200+ 306.97 грн
IKW75N65SS5XKSA1 IKW75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362295.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+844.27 грн
10+ 788.86 грн
25+ 650.96 грн
50+ 634.13 грн
100+ 593.74 грн
240+ 576.24 грн
480+ 514.3 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062 Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+476.24 грн
10+ 393.25 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062 IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+510.49 грн
10+ 431.2 грн
25+ 340.63 грн
100+ 312.35 грн
240+ 293.5 грн
480+ 275.33 грн
1200+ 247.73 грн
IKZA75N65EH7XKSA1 IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250859a5205b IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+610.23 грн
10+ 516.36 грн
25+ 407.27 грн
100+ 373.61 грн
240+ 351.4 грн
480+ 329.18 грн
1200+ 296.87 грн
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362098.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+645.57 грн
10+ 604.61 грн
25+ 471.22 грн
100+ 390.44 грн
240+ 379.67 грн
480+ 350.05 грн
2640+ 334.57 грн
IKZA75N65RH5XKSA1 IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+672.85 грн
30+ 517.41 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon-IKZA75N65SS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc288d0031be Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+896.41 грн
30+ 699.14 грн
120+ 658.02 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362100.pdf IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+959.72 грн
10+ 835.31 грн
25+ 666.44 грн
100+ 627.4 грн
240+ 607.2 грн
480+ 532.48 грн
1200+ 521.71 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon Technologies infineon-ikza75n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf SP004038220
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+556.04 грн
IRFIB5N65APBF IRFIB5N65APBF Vishay Siliconix sihfib5n.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.18 грн
50+ 218.63 грн
100+ 187.4 грн
500+ 156.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.36 грн
7+ 118.51 грн
20+ 112.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXYA15N65C3D1 IXYA15N65C3D1 IXYS IXYA(P)15N65C3D1.pdf Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+213.86 грн
3+ 186.13 грн
7+ 142.21 грн
20+ 134.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYH75N65C3H1 IXYH75N65C3H1 IXYS media-3319727.pdf IGBT Transistors 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1225.18 грн
10+ 1064.46 грн
30+ 790.31 грн
60+ 762.71 грн
120+ 735.78 грн
270+ 733.09 грн
510+ 694.04 грн
NTHL065N65S3F NTHL065N65S3F onsemi nthl065n65s3f-d.pdf Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 6606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+813.39 грн
30+ 625.44 грн
120+ 559.61 грн
510+ 463.38 грн
1020+ 417.05 грн
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB15N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.07 грн
10+ 160.44 грн
100+ 129.81 грн
500+ 108.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIGB15N65F5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIGB15N65F5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+92.68 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIGB15N65H5ATMA1 Infineon-AIGB15N65H5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d462749a7c2d0174b6669e363172
AIGB15N65H5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT NPT 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/22ns
Switching Energy: 160µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 40 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.07 грн
10+ 160.44 грн
100+ 129.81 грн
500+ 108.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.77 грн
10+ 201.67 грн
100+ 163.17 грн
500+ 136.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
AIKB15N65DF5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DF5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+128.97 грн
2000+ 116.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+128.97 грн
2000+ 116.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000
AIKB15N65DH5ATMA1 Infineon-Semiconductor_solutions_for_hybrid_electric_and_electric_cars-ABR-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a76250c4ab4
AIKB15N65DH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DISCRETE SWITCHES
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Supplier Device Package: PG-TO263-3-2
IGBT Type: NPT
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+249.77 грн
10+ 201.67 грн
100+ 163.17 грн
500+ 136.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1.pdf
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+832.19 грн
2+ 571.5 грн
4+ 539.94 грн
BGH75N65ZF1 BGH75N65ZF1.pdf
BGH75N65ZF1
Виробник: BASiC SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; SiC SBD; 650V; 75A; 405W; TO247-4
Type of transistor: IGBT
Technology: Field Stop; SiC SBD; Trench
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 75A
Power dissipation: 405W
Case: TO247-4
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 300A
Mounting: THT
Gate charge: 444nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 84ns
Turn-off time: 565ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+998.63 грн
2+ 712.17 грн
4+ 647.93 грн
150+ 622.69 грн
BIDW75N65EH5 Bourns_01_17_2024_BIDW75N65EH5-3392669.pdf
BIDW75N65EH5
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, High speed switching in TO-247-3L
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+456.3 грн
10+ 385.53 грн
25+ 303.6 грн
100+ 279.37 грн
250+ 263.21 грн
600+ 245.71 грн
1200+ 221.47 грн
BIDW75N65ES5 Bourns_01_17_2024_BIDW75N65ES5-3392676.pdf
BIDW75N65ES5
Виробник: Bourns
IGBT Transistors IGBT Discrete 650V, 75A, Medium speed switching in TO-247-3L
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+456.3 грн
10+ 385.53 грн
25+ 303.6 грн
100+ 279.37 грн
250+ 263.21 грн
600+ 245.71 грн
1200+ 221.47 грн
FCB125N65S3 fcb125n65s3-d.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.69 грн
10+ 264.99 грн
100+ 214.35 грн
FCB125N65S3 FCB125N65S3_D-2311543.pdf
FCB125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET Power MOSFET, N-Channel, SUPERFET III, Easy Drive, 650 V, 24 A, 125 mohm, D2PAK
на замовлення 3060 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+359.7 грн
10+ 298.05 грн
25+ 228.21 грн
100+ 210.03 грн
250+ 197.91 грн
500+ 187.14 грн
800+ 158.2 грн
FCH125N65S3R0-F155 fch125n65s3r0-d.pdf
FCH125N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+455.12 грн
30+ 347.01 грн
120+ 297.44 грн
FCH165N65S3R0-F155 fch165n65s3r0-d.pdf
FCH165N65S3R0-F155
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+293.46 грн
10+ 237.01 грн
FCMT125N65S3 FCMT125N65S3_D-2312043.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V 125MOHM MO SFET
на замовлення 2443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+294.51 грн
10+ 256.24 грн
25+ 222.15 грн
100+ 192.53 грн
250+ 191.85 грн
500+ 181.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCMT125N65S3 fcmt125n65s3-d.pdf
FCMT125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A 4PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 590µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1920 pF @ 400 V
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+406.33 грн
10+ 328.52 грн
100+ 265.77 грн
500+ 221.7 грн
FCP125N65S3 fcp125n65s3-d.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+164.02 грн
100+ 135.38 грн
250+ 132.41 грн
Мінімальне замовлення: 50
FCP125N65S3 FCP125N65S3_D-2311643.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V 125MOHM E TO220
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+314.93 грн
10+ 260.89 грн
50+ 214.07 грн
100+ 183.1 грн
250+ 173.01 грн
500+ 162.91 грн
800+ 139.35 грн
FCP125N65S3 fcp125n65s3-d.pdf
FCP125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+294.19 грн
10+ 238.07 грн
FCP125N65S3R0 FCP125N65S3R0_D-2311923.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 24A 125 mOhm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+322.79 грн
10+ 267.86 грн
50+ 211.38 грн
100+ 187.82 грн
250+ 187.14 грн
500+ 160.22 грн
800+ 134.63 грн
FCP125N65S3R0 fcp125n65s3r0-d.pdf
FCP125N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 181W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 400 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+301.47 грн
50+ 230.1 грн
100+ 197.23 грн
500+ 164.52 грн
FCP165N65S3 FCP165N65S3_D-2311887.pdf
FCP165N65S3
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V 19A 165 mOhm
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+286.66 грн
10+ 236.89 грн
50+ 198.59 грн
100+ 184.45 грн
250+ 179.74 грн
500+ 175.7 грн
800+ 142.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP165N65S3R0 FCP165N65S3R0_D-2311924.pdf
FCP165N65S3R0
Виробник: onsemi
MOSFET SUPERFET3 650V TO220 PKG
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+285.09 грн
10+ 236.12 грн
50+ 166.27 грн
500+ 160.22 грн
800+ 157.52 грн
2400+ 150.79 грн
5600+ 149.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
FCP165N65S3R0 fcp165n65s3r0-d.pdf
FCP165N65S3R0
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 19A TO220-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 154W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 400 V
на замовлення 3527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
143+143.18 грн
Мінімальне замовлення: 143
FCPF125N65S3 fcpf125n65s3-d.pdf
FCPF125N65S3
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.4mA
Supplier Device Package: TO-220F
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 400 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+327.69 грн
50+ 250.2 грн
100+ 214.45 грн
500+ 178.9 грн
FCPF165N65S3L1-F154 FCPF165N65S3L1_D-2311889.pdf
FCPF165N65S3L1-F154
Виробник: onsemi
MOSFET SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+215.98 грн
10+ 178.05 грн
100+ 122.52 грн
250+ 113.09 грн
500+ 103 грн
1000+ 86.84 грн
2000+ 83.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FDPF15N65
FDPF15N65
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 15A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3095 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+183.5 грн
50+ 140.1 грн
100+ 120.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
IGD15N65T6ARMA1 Infineon_IGD15N65T6_DataSheet_v02_03_EN-2898625.pdf
IGD15N65T6ARMA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors HOME APPLIANCES 14
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+148.43 грн
10+ 114.57 грн
100+ 84.82 грн
250+ 80.78 грн
500+ 71.36 грн
1000+ 66.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
IGW75N65H5XKSA1 Infineon-IGW75N65H5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624d6fc3d5014df745d10c4394
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/174ns
Switching Energy: 2.25mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 8Ohm, 15V
Gate Charge: 160 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+361.91 грн
30+ 276.05 грн
120+ 236.62 грн
IGW75N65H5XKSA1 infineon-igw75n65h5-ds-v02_02-en.pdf
IGW75N65H5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+177.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKA15N65ET6XKSA2 IKA15N65ET6.pdf
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 11A; 22W; TO220FP; T6
Type of transistor: IGBT
Technology: TRENCHSTOP™ 6
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 11A
Power dissipation: 22W
Case: TO220FP
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 57.5A
Mounting: THT
Gate charge: 37nC
Kind of package: tube
Manufacturer series: T6
Turn-on time: 50ns
Turn-off time: 202ns
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+75.52 грн
6+ 68.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
IKA15N65ET6XKSA2 infineon-ika15n65et6-datasheet-v01_00-en.pdf
IKA15N65ET6XKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 17A 45000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IKA15N65F5XKSA1 DS_IKA15N65F5+1.1.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115f56849b61941&fileId=db3a30433af5291e013af98304715d4b
IKA15N65F5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 14A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/150ns
Switching Energy: 130µJ (on), 40µJ (off)
Test Condition: 400V, 7.5A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 33.3 W
на замовлення 564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+158.02 грн
50+ 122.35 грн
100+ 100.67 грн
500+ 79.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKB15N65EH5ATMA1 Infineon-IKB15N65EH5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e0162cd1328dc4914
IKB15N65EH5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 30A TO263-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 70 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: PG-TO263-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16ns/145ns
Switching Energy: 400µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 15A, 39Ohm, 15V
Gate Charge: 38 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 105 W
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.52 грн
10+ 159.95 грн
100+ 127.32 грн
500+ 101.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon_IKFW75N65EH5_DataSheet_v02_01_EN-3361942.pdf
IKFW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+630.65 грн
10+ 591.45 грн
25+ 422.08 грн
100+ 379.67 грн
240+ 328.51 грн
IKFW75N65EH5XKSA1 Infineon-IKFW75N65EH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46274cf54d50174d972d5b51efd
IKFW75N65EH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A HSIP247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: PG-HSIP247-3-2
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/206ns
Switching Energy: 1.8mJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 12Ohm, 15V
Gate Charge: 144 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A
Power - Max: 148 W
на замовлення 370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+661.2 грн
30+ 508.6 грн
120+ 455.05 грн
IKFW75N65ES5XKSA1 Infineon_IKFW75N65ES5_DataSheet_v02_01_EN-3362028.pdf
IKFW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+704.48 грн
10+ 596.1 грн
25+ 469.88 грн
100+ 381.69 грн
240+ 356.78 грн
480+ 342.65 грн
IKW75N65EL5XKSA1 infineon-ikw75n65el5-ds-v02_01-en.pdf
IKW75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 536000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+300.8 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65EL5XKSA1 Infineon-IKW75N65EL5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624b0b249c014b11cd6e4e3acf
IKW75N65EL5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 114 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.35V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/275ns
Switching Energy: 1.61mJ (on), 3.2mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4Ohm, 15V
Gate Charge: 436 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 536 W
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+550.51 грн
30+ 423.12 грн
120+ 378.59 грн
IKW75N65ES5XKSA1 Infineon-IKW75N65ES5-DS-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d4624fb7fef201501842e2da19c8
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 85 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/144ns
Switching Energy: 2.4mJ (on), 950µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 18Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 14379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+468.23 грн
30+ 359.98 грн
120+ 322.11 грн
510+ 266.72 грн
1020+ 240.05 грн
2010+ 224.93 грн
IKW75N65ES5XKSA1 infineon-ikw75n65es5-ds-v02_02-en.pdf
IKW75N65ES5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 395000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+256.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon_IKW75N65ET7_DataSheet_v01_10_EN-3361891.pdf
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 458 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+526.98 грн
10+ 480.75 грн
25+ 315.05 грн
100+ 294.85 грн
240+ 294.18 грн
480+ 256.48 грн
1200+ 245.04 грн
IKW75N65ET7XKSA1 Infineon-IKW75N65ET7-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46272e49d2a017351bee5af57fb
IKW75N65ET7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/310ns
Switching Energy: 2.17mJ (on), 1.23mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 435 nC
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 225 A
Power - Max: 333 W
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+493.71 грн
30+ 379.24 грн
120+ 339.32 грн
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon-IKW75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc281ce931ac
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/180ns
Switching Energy: 360µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+618.24 грн
30+ 475.2 грн
120+ 425.16 грн
IKW75N65RH5XKSA1 Infineon_IKW75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362068.pdf
IKW75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+662.85 грн
10+ 559.71 грн
25+ 441.6 грн
100+ 405.25 грн
240+ 381.02 грн
480+ 321.78 грн
1200+ 306.97 грн
IKW75N65SS5XKSA1 Infineon_IKW75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362295.pdf
IKW75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+844.27 грн
10+ 788.86 грн
25+ 650.96 грн
50+ 634.13 грн
100+ 593.74 грн
240+ 576.24 грн
480+ 514.3 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Supplier Device Package: PG-TO247-3-32
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 89 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 75A
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/45ns
Switching Energy: 2.42mJ (on), 1.4mJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 150 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 341 W
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+476.24 грн
10+ 393.25 грн
IKWH75N65EH7XKSA1 Infineon-IKWH75N65EH7-DataSheet-v01_10-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb5701892508738f2062
IKWH75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+510.49 грн
10+ 431.2 грн
25+ 340.63 грн
100+ 312.35 грн
240+ 293.5 грн
480+ 275.33 грн
1200+ 247.73 грн
IKZA75N65EH7XKSA1 Infineon-IKZA75N65EH7-DataSheet-v01_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c8900bb570189250859a5205b
IKZA75N65EH7XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors INDUSTRY 14
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+610.23 грн
10+ 516.36 грн
25+ 407.27 грн
100+ 373.61 грн
240+ 351.4 грн
480+ 329.18 грн
1200+ 296.87 грн
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon_IKZA75N65RH5_DataSheet_v01_10_EN-3362098.pdf
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+645.57 грн
10+ 604.61 грн
25+ 471.22 грн
100+ 390.44 грн
240+ 379.67 грн
480+ 350.05 грн
2640+ 334.57 грн
IKZA75N65RH5XKSA1 Infineon-IKZA75N65RH5-DataSheet-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc28779431bb
IKZA75N65RH5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/180ns
Switching Energy: 310µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 37.5A, 9Ohm, 15V
Gate Charge: 168 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+672.85 грн
30+ 517.41 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon-IKZA75N65SS5-DataSheet-v02_02-EN.pdf?fileId=5546d46275b79adb0175dc288d0031be
IKZA75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.7V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: PG-TO247-4-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/145ns
Switching Energy: 240µJ (on), 750µJ (off)
Test Condition: 400V, 75A, 5.6Ohm, 15V
Gate Charge: 164 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 300 A
Power - Max: 395 W
на замовлення 256 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+896.41 грн
30+ 699.14 грн
120+ 658.02 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 Infineon_IKZA75N65SS5_DataSheet_v01_10_EN-3362100.pdf
IKZA75N65SS5XKSA1
Виробник: Infineon Technologies
IGBT Transistors SIC DISCRETE
на замовлення 557 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+959.72 грн
10+ 835.31 грн
25+ 666.44 грн
100+ 627.4 грн
240+ 607.2 грн
480+ 532.48 грн
1200+ 521.71 грн
IKZA75N65SS5XKSA1 infineon-ikza75n65ss5-datasheet-v01_10-en.pdf
Виробник: Infineon Technologies
SP004038220
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+556.04 грн
IRFIB5N65APBF sihfib5n.pdf
IRFIB5N65APBF
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 650V 5.1A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 930mOhm @ 3.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1417 pF @ 25 V
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+286.18 грн
50+ 218.63 грн
100+ 187.4 грн
500+ 156.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.36 грн
7+ 118.51 грн
20+ 112.2 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXYA15N65C3D1 IXYA(P)15N65C3D1.pdf
IXYA15N65C3D1
Виробник: IXYS
Category: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; GenX3™; 650V; 15A; 200W; TO263
Type of transistor: IGBT
Technology: GenX3™; Planar; XPT™
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 15A
Power dissipation: 200W
Case: TO263
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 80A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: tube
Turn-on time: 36ns
Turn-off time: 102ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 260 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+213.86 грн
3+ 186.13 грн
7+ 142.21 грн
20+ 134.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXYH75N65C3H1 media-3319727.pdf
IXYH75N65C3H1
Виробник: IXYS
IGBT Transistors 650V/170A XPT C3-Class TO-247
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1225.18 грн
10+ 1064.46 грн
30+ 790.31 грн
60+ 762.71 грн
120+ 735.78 грн
270+ 733.09 грн
510+ 694.04 грн
NTHL065N65S3F nthl065n65s3f-d.pdf
NTHL065N65S3F
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 46A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 337W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 4.6mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4075 pF @ 400 V
на замовлення 6606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+813.39 грн
30+ 625.44 грн
120+ 559.61 грн
510+ 463.38 грн
1020+ 417.05 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]