Результат пошуку "BFR193" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 639
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 674
Мінімальне замовлення: 33
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 707
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 42
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 1841
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 38
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 678
Мінімальне замовлення: 1377
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 2396
Мінімальне замовлення: 320
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 1122
Мінімальне замовлення: 15000
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 485
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 150
Мінімальне замовлення: 200
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 556
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 10
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BFR193WH6327 Код товару: 122764 |
Infineon |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-323 fT: 8 GHz Uceo,V: 12 V Ucbo,V: 20 V Ic,A: 0,08 A h21: 100 |
у наявності: 161 шт
|
|
|||||||||||||||||
BFR 193 E6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BFR 193 E6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW |
на замовлення 10085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR 193F H6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR 193F H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 5986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR 193L3 E6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR |
на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR 193W H6327 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 18007 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR 193W H6327 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz |
на замовлення 2874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2874 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 15dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
на замовлення 30334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10dB ~ 15dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW |
на замовлення 66290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 16492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327HTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 32667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193E6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: TSFP-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz |
на замовлення 1453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: TSFP-3 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1453 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon | Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V; |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 12672 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Active |
на замовлення 35760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 5576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSFP-3 Part Status: Active |
на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 5576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R |
на замовлення 5865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193FH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSFP Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: TSLP-3-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: TSLP-3-1 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 756 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 12.5dB ~ 19dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1 Part Status: Active |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 10958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 14285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 75000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSLP-3-1 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 10958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R |
на замовлення 4388 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193L3E6327XTMA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: TSLP-3-1 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193W H6327 | Infineon |
NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193WH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 80mA Power dissipation: 0.58W Case: SOT323 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 8GHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193WH6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 80mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 580mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 8GHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 1851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR |
на замовлення 22328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BFR193WH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Gain: 10.5dB ~ 16dB Power - Max: 580mW Current - Collector (Ic) (Max): 80mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V Frequency - Transition: 8GHz Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active |
на замовлення 29042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
BFR193WH6327 Код товару: 122764 |
Виробник: Infineon
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-323
fT: 8 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,08 A
h21: 100
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-323
fT: 8 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,08 A
h21: 100
у наявності: 161 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6.5 грн |
10+ | 5.2 грн |
100+ | 4.3 грн |
BFR 193 E6327 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BFR 193 E6327 |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
на замовлення 10085 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.13 грн |
15+ | 21.54 грн |
100+ | 11.62 грн |
1000+ | 6.11 грн |
3000+ | 5.51 грн |
9000+ | 4.78 грн |
24000+ | 4.45 грн |
BFR 193F H6327 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
639+ | 18.25 грн |
662+ | 17.59 грн |
1000+ | 17.01 грн |
2500+ | 15.93 грн |
5000+ | 14.35 грн |
BFR 193F H6327 |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 5986 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 33.87 грн |
12+ | 25.51 грн |
100+ | 13.75 грн |
1000+ | 7.51 грн |
3000+ | 6.31 грн |
9000+ | 5.58 грн |
24000+ | 5.25 грн |
BFR 193L3 E6327 |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors NPN Silicon RF TRANSISTOR
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 38.21 грн |
11+ | 30.1 грн |
100+ | 15.61 грн |
1000+ | 10.1 грн |
2500+ | 8.37 грн |
10000+ | 7.84 грн |
15000+ | 7.17 грн |
BFR 193W H6327 |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 18007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.7 грн |
13+ | 23.53 грн |
100+ | 12.75 грн |
1000+ | 7.04 грн |
3000+ | 6.04 грн |
9000+ | 5.18 грн |
24000+ | 4.85 грн |
BFR 193W H6327 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
674+ | 17.28 грн |
700+ | 16.65 грн |
1000+ | 16.11 грн |
2500+ | 15.07 грн |
5000+ | 13.58 грн |
10000+ | 12.72 грн |
BFR193E6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
33+ | 11.62 грн |
40+ | 8.65 грн |
100+ | 7.61 грн |
114+ | 7.17 грн |
312+ | 6.77 грн |
BFR193E6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2874 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 13.95 грн |
25+ | 10.78 грн |
100+ | 9.13 грн |
114+ | 8.6 грн |
312+ | 8.13 грн |
3000+ | 7.81 грн |
BFR193E6327HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.48 грн |
BFR193E6327HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
707+ | 16.48 грн |
1214+ | 9.59 грн |
1227+ | 9.49 грн |
1240+ | 9.06 грн |
1622+ | 6.41 грн |
3000+ | 4.74 грн |
BFR193E6327HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 30334 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 26.59 грн |
15+ | 19.65 грн |
25+ | 17.69 грн |
100+ | 11.48 грн |
250+ | 9.67 грн |
500+ | 7.85 грн |
1000+ | 5.94 грн |
BFR193E6327HTSA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
42+ | 18.03 грн |
55+ | 13.71 грн |
100+ | 9.31 грн |
500+ | 6.37 грн |
1500+ | 5.76 грн |
BFR193E6327HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.09 грн |
BFR193E6327HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10dB ~ 15dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.02 грн |
6000+ | 5.47 грн |
15000+ | 4.99 грн |
30000+ | 4.38 грн |
BFR193E6327HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
RF Bipolar Transistors NPN RF Transistor 12V 80mA 580mW
на замовлення 66290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.83 грн |
19+ | 16.19 грн |
100+ | 7.97 грн |
1000+ | 6.11 грн |
3000+ | 5.11 грн |
9000+ | 4.38 грн |
24000+ | 4.18 грн |
BFR193E6327HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 16492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1841+ | 6.33 грн |
1959+ | 5.95 грн |
2000+ | 5.82 грн |
2058+ | 5.46 грн |
15000+ | 4.82 грн |
BFR193E6327HTSA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR193E6327HTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 32667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 9.31 грн |
500+ | 6.37 грн |
1500+ | 5.76 грн |
BFR193E6327HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 26.46 грн |
38+ | 15.3 грн |
100+ | 8.59 грн |
250+ | 7.87 грн |
500+ | 7.47 грн |
1000+ | 5.71 грн |
3000+ | 4.4 грн |
BFR193FH6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
38+ | 9.84 грн |
45+ | 7.75 грн |
100+ | 6.16 грн |
142+ | 5.74 грн |
250+ | 5.4 грн |
1000+ | 5.19 грн |
BFR193FH6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSFP-3
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSFP-3
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1453 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 11.8 грн |
27+ | 9.66 грн |
100+ | 7.39 грн |
142+ | 6.89 грн |
250+ | 6.48 грн |
1000+ | 6.23 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon
Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V;
Транзистор біполярний ВЧ NPN TSFP-3; Ft = 8 GHz, NFmin = 1 dB at 900 MHz; Vceo= 12 V;
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 27.72 грн |
11+ | 24.71 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.99 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 12672 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 34.56 грн |
17+ | 19.02 грн |
100+ | 9.03 грн |
1000+ | 5.98 грн |
3000+ | 5.65 грн |
9000+ | 5.11 грн |
24000+ | 5.05 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
на замовлення 35760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 32.33 грн |
12+ | 23.18 грн |
25+ | 20.92 грн |
100+ | 13.56 грн |
250+ | 11.42 грн |
500+ | 9.28 грн |
1000+ | 7.02 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 5.6 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive 3-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.91 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 37.33 грн |
36+ | 21.24 грн |
100+ | 10.51 грн |
500+ | 7.82 грн |
1000+ | 5.43 грн |
5000+ | 4.92 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 33.62 грн |
30+ | 19.32 грн |
37+ | 15.96 грн |
100+ | 9.76 грн |
250+ | 8.94 грн |
500+ | 8.54 грн |
1000+ | 5.61 грн |
3000+ | 4.69 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSFP-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSFP-3
Part Status: Active
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.11 грн |
6000+ | 6.46 грн |
15000+ | 5.89 грн |
30000+ | 5.17 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 5576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
678+ | 17.18 грн |
1069+ | 10.9 грн |
1080+ | 10.79 грн |
1086+ | 10.34 грн |
1652+ | 6.29 грн |
3000+ | 5.06 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A Automotive AEC-Q101 3-Pin TSFP T/R
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1377+ | 8.46 грн |
1499+ | 7.77 грн |
1545+ | 7.54 грн |
2000+ | 6.98 грн |
BFR193FH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR193FH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSFP
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSFP
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 10.51 грн |
500+ | 7.82 грн |
1000+ | 5.43 грн |
5000+ | 4.92 грн |
BFR193L3E6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 34.28 грн |
18+ | 20.34 грн |
25+ | 17.71 грн |
67+ | 12.11 грн |
185+ | 11.49 грн |
500+ | 11 грн |
BFR193L3E6327 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; TSLP-3-1
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: TSLP-3-1
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 756 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 41.13 грн |
11+ | 25.35 грн |
25+ | 21.26 грн |
67+ | 14.53 грн |
185+ | 13.78 грн |
500+ | 13.2 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ TSLP-3-1
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 12.5dB ~ 19dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-TSLP-3-1
Part Status: Active
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2396+ | 8.75 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 10958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
320+ | 36.46 грн |
321+ | 36.32 грн |
322+ | 36.17 грн |
500+ | 34.74 грн |
1000+ | 32.03 грн |
3000+ | 30.62 грн |
6000+ | 30.5 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 7.34 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 9.04 грн |
30000+ | 8.29 грн |
75000+ | 7.98 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 10.84 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 14285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1122+ | 10.39 грн |
1241+ | 9.38 грн |
1285+ | 9.07 грн |
2000+ | 8.68 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15000+ | 8.45 грн |
30000+ | 7.75 грн |
75000+ | 7.46 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 42.92 грн |
25+ | 30.33 грн |
100+ | 15.35 грн |
500+ | 11.62 грн |
1000+ | 8.24 грн |
5000+ | 8.05 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
485+ | 24.04 грн |
615+ | 18.94 грн |
685+ | 17 грн |
838+ | 13.4 грн |
1504+ | 6.92 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 10958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 34 грн |
25+ | 33.86 грн |
100+ | 32.52 грн |
250+ | 29.99 грн |
500+ | 28.67 грн |
1000+ | 28.55 грн |
3000+ | 28.44 грн |
6000+ | 28.32 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW 3-Pin TSLP T/R
на замовлення 4388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 32.71 грн |
22+ | 26.43 грн |
25+ | 24.12 грн |
50+ | 21.52 грн |
100+ | 15.7 грн |
250+ | 13.53 грн |
500+ | 11.06 грн |
1000+ | 6.17 грн |
BFR193L3E6327XTMA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR193L3E6327XTMA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, TSLP-3-1
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: TSLP-3-1
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 15.35 грн |
500+ | 11.62 грн |
1000+ | 8.24 грн |
5000+ | 8.05 грн |
BFR193W H6327 |
Виробник: Infineon
NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w
кількість в упаковці: 100 шт
NPN 12V 8GHz 80mA 580mW BFR193WE6727 *OBSOLETE; BFR193WH6327XTSA1 BFR193WH6327 Infineon TBFR193w
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 5.08 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 16.92 грн |
41+ | 8.58 грн |
100+ | 7.54 грн |
119+ | 6.85 грн |
327+ | 6.44 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 20V; 80mA; 0.58W; SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 80mA
Power dissipation: 0.58W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 8GHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 20.3 грн |
25+ | 10.69 грн |
100+ | 9.05 грн |
119+ | 8.22 грн |
327+ | 7.72 грн |
3000+ | 7.56 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 29.77 грн |
28+ | 20.61 грн |
30+ | 19.46 грн |
100+ | 9.73 грн |
250+ | 8.92 грн |
500+ | 8.23 грн |
1000+ | 5.62 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.48 грн |
6000+ | 5.91 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BFR193WH6327XTSA1 - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 12 V, 8 GHz, 580 mW, 80 mA, SOT-323
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 80mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 580mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 12V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 8GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 10.06 грн |
500+ | 6.57 грн |
1500+ | 5.95 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
556+ | 20.96 грн |
1072+ | 10.87 грн |
1083+ | 10.76 грн |
1127+ | 9.97 грн |
1651+ | 6.3 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.06 грн |
6000+ | 5.52 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
RF Bipolar Transistors RF BIP TRANSISTOR
на замовлення 22328 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.7 грн |
16+ | 20.32 грн |
100+ | 8.64 грн |
1000+ | 6.18 грн |
3000+ | 5.65 грн |
9000+ | 5.11 грн |
24000+ | 4.85 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.53 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
Trans RF BJT NPN 12V 0.08A 580mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.99 грн |
6000+ | 6.39 грн |
BFR193WH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
Description: RF TRANS NPN 12V 8GHZ SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 10.5dB ~ 16dB
Power - Max: 580mW
Current - Collector (Ic) (Max): 80mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 30mA, 8V
Frequency - Transition: 8GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1dB ~ 1.6dB @ 900MHz ~ 1.8GHz
Supplier Device Package: PG-SOT323
Part Status: Active
на замовлення 29042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 29.46 грн |
13+ | 21.38 грн |
25+ | 19.26 грн |
100+ | 12.48 грн |
250+ | 10.51 грн |
500+ | 8.54 грн |
1000+ | 6.46 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]