Результат пошуку "BSS6" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 1866
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 1680
Мінімальне замовлення: 1483
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 11
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSS670S2LH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS670S2LH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS670S2LH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS670S2LH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS |
на замовлення 18756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS670S2LH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS670T116 | ROHM Semiconductor | MOSFET Silicon N-CH Mosfet, 60V Drain, +--20V Gate. |
на замовлення 6429 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS670T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 5780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS670T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS60 | PH |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS606NH6327 | Infineon Technologies |
на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS606NH6327 | Infineon technologies |
на замовлення 18996 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 3.2A |
на замовлення 607 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSS61 | PHI/MOT |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS62 | PHILIPS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS63 | MOT |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS63 | PHILIPS | SOT23 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSS63 | ZETEX | 09+ |
на замовлення 2348 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSS63(BMP) |
на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSS63(BMS) |
на замовлення 12050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSS63-AT |
на замовлення 753 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSS63/AT |
на замовлення 13000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSS63/BMP | PHILIPS |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS63E6327 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSS63R |
на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSS63RE6327 | INFINEON | 04+ |
на замовлення 6010 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSS64/AT | PHILIPS | SOT23 |
на замовлення 360000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSS64LT1 | ON | 07+; |
на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSS64R/U6P | PHILIPS |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS65 | PHI/MOT |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS65TA |
на замовлення 23500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSS670S2L |
на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSS670S2L | 08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS670S2L H6327 | Infineon |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS670S2L L6327 | INFINEON | 09+ SOP |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSS670S2L-L6327 | INFINEON | SOP8 |
на замовлення 33600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
BSS670S2LH6327 | Infineon technologies |
на замовлення 6250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS67TA |
на замовлення 14500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSS68 | PHI/MOT |
на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
BSS69 |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF2016BSS600CTD25 | TDK | Common Mode Chokes / Filters 2016 60ohm 850mA AEC-Q200 |
на замовлення 4471 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NSVBSS63LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 100V |
на замовлення 6837 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ZBSS-6G-S+ | Mini-Circuits | Signal Conditioning Suspended Substrate Band Pass Filter, 4000 - 8000 MHz, 50Ohm |
на замовлення 19 шт: термін постачання 105-114 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
179 020 630mA | SIBA |
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm equivalents: Bss630; 0034.1514 179020.0,63 Siba Fuse Bss630 S кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
179 020 630mA | SIBA |
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm equivalents: Bss630; 0034.1514 179020.0,63 Siba Fuse Bss630 S кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SP000928950 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3 |
на замовлення 22552 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
BSS62 (транзистор) Код товару: 64683 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
BSS63LT1G Код товару: 173698 |
Мікросхеми > Інші мікросхеми |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
BSS670S2L H6327 Код товару: 165851 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
BSS6 | Welwyn Components | BSS6 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS606NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1W Case: PG-SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS606NH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 3.2A Power dissipation: 1W Case: PG-SOT89 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS606NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS63 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 0.2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS63,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS63-QR | NEXPERIA | Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS63-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS63-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BSS63-Q/SOT23/TO-236AB |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS63AHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS63AHZGT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
BSS63AT116 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 30 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
товар відсутній |
BSS670S2LH6433XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1866+ | 6.27 грн |
2033+ | 5.76 грн |
2095+ | 5.59 грн |
2178+ | 5.18 грн |
10000+ | 4.46 грн |
BSS670S2LH6433XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4.09 грн |
BSS670S2LH6433XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 2.06 грн |
BSS670S2LH6433XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
MOSFET SMALL SIGNAL MOSFETS
на замовлення 18756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.68 грн |
15+ | 20.73 грн |
100+ | 7.48 грн |
1000+ | 4.67 грн |
2500+ | 4.47 грн |
10000+ | 3.81 грн |
20000+ | 3.54 грн |
BSS670S2LH6433XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 55V 0.54A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 4.38 грн |
BSS670T116 |
Виробник: ROHM Semiconductor
MOSFET Silicon N-CH Mosfet, 60V Drain, +--20V Gate.
MOSFET Silicon N-CH Mosfet, 60V Drain, +--20V Gate.
на замовлення 6429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 34.04 грн |
12+ | 25.95 грн |
100+ | 14.02 грн |
1000+ | 7.41 грн |
3000+ | 6.68 грн |
9000+ | 5.74 грн |
24000+ | 5.34 грн |
BSS670T116 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1680+ | 6.97 грн |
1688+ | 6.93 грн |
2072+ | 5.65 грн |
2219+ | 5.09 грн |
3000+ | 4.69 грн |
BSS670T116 |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SOT-23 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 0.65A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1483+ | 7.89 грн |
1533+ | 7.64 грн |
2500+ | 7.41 грн |
BSS606NH6327 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 18996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)BSS606NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-CH 60V 3.2A
MOSFET N-CH 60V 3.2A
на замовлення 607 шт:
термін постачання 5 дні (днів)BSS670S2LH6327 |
Виробник: Infineon technologies
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)MDF2016BSS600CTD25 |
Виробник: TDK
Common Mode Chokes / Filters 2016 60ohm 850mA AEC-Q200
Common Mode Chokes / Filters 2016 60ohm 850mA AEC-Q200
на замовлення 4471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 28.27 грн |
16+ | 19.88 грн |
100+ | 15.76 грн |
3000+ | 13.42 грн |
9000+ | 9.21 грн |
24000+ | 8.88 грн |
45000+ | 8.55 грн |
NSVBSS63LT1G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 100V
Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 DR XSTR PNP 100V
на замовлення 6837 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.64 грн |
14+ | 22.73 грн |
100+ | 8.01 грн |
1000+ | 6.08 грн |
3000+ | 5.01 грн |
9000+ | 4.01 грн |
24000+ | 3.94 грн |
ZBSS-6G-S+ |
Виробник: Mini-Circuits
Signal Conditioning Suspended Substrate Band Pass Filter, 4000 - 8000 MHz, 50Ohm
Signal Conditioning Suspended Substrate Band Pass Filter, 4000 - 8000 MHz, 50Ohm
на замовлення 19 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 36341.06 грн |
179 020 630mA |
Виробник: SIBA
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm equivalents: Bss630; 0034.1514 179020.0,63 Siba Fuse Bss630 S
кількість в упаковці: 100 шт
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm equivalents: Bss630; 0034.1514 179020.0,63 Siba Fuse Bss630 S
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 6.29 грн |
179 020 630mA |
Виробник: SIBA
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm equivalents: Bss630; 0034.1514 179020.0,63 Siba Fuse Bss630 S
кількість в упаковці: 100 шт
Fuse: fast-acting; glass type; WTA; current: 630mA; voltage: 250V; dimensions: 5x20mm equivalents: Bss630; 0034.1514 179020.0,63 Siba Fuse Bss630 S
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 6.29 грн |
SP000928950 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
MOSFET N-Ch 55V 540mA SOT-23-3
на замовлення 22552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.97 грн |
15+ | 20.96 грн |
100+ | 10.35 грн |
1000+ | 5.27 грн |
3000+ | 4.54 грн |
9000+ | 3.61 грн |
24000+ | 3.34 грн |
BSS606NH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
BSS606NH6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 3.2A; 1W; PG-SOT89
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 3
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 3.2A
Power dissipation: 1W
Case: PG-SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
BSS606NH6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 3.2A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
BSS63-QR |
Виробник: NEXPERIA
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23
товар відсутній
BSS63-QR |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23
Trans GP BJT PNP 100V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23
товар відсутній
BSS63AHZGT116 |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній
BSS63AHZGT116 |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 20 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
BSS63AT116 |
Виробник: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 0.1A; 200mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 30
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
товар відсутній