Результат пошуку "F11N" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF11N60DM2 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 83 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N60DM2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V |
на замовлення 3930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET |
на замовлення 2797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET |
на замовлення 889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N60M2-EP | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N65M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET |
на замовлення 898 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS |
на замовлення 929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11NM50N | STMicroelectronics | MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V |
на замовлення 935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11NM60ND | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11NM60ND | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V |
на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11NM80 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11NM80 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 800V Drain current: 11A Power dissipation: 35W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.4Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 186 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11NM80 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STF11NM80 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh |
на замовлення 1290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11NM80 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V |
на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11NM80 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STF11NM80 | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
74F11N | TI | 88+ |
на замовлення 992 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
ELJRF11NJFB |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ELJRF11NJFB | 0402L |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCPF11N60/FSC | FSC | 08+; |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCPF11N60NT | ON Semiconductor |
на замовлення 950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FCPF11N65 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
FQAF11N90 | FAIRCHILD |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
FQPF11N40C | FAIRCHILD | TO-220 06+ |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
HL006-F11-NA | KOHA | 0603X2 |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF11N50 | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF11N50APBF |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
M570F11NCA | Altera |
на замовлення 389 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
MC74F11N | MOT | 92+ DIP; |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MC74F11N | MOT | 07+; |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
MDF11N50TH |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF11N60 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MDF11N60TH |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
N74F11N |
на замовлення 6200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NDF11N50ZH |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR23MF11NIP |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR23MF11NIPF | SHARP | 98 SMD |
на замовлення 1922 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
PR23MF11NSZ |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR23MF11NSZF |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR26MF11NIP |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR26MF11NIPF |
на замовлення 840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR26MF11NSZ |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR29MF11NIPF |
на замовлення 16937 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR29MF11NSZ |
на замовлення 391 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR29MF11NSZF |
на замовлення 24537 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR33MF11NIP |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR33MF11NIPF |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR33MF11NSZ |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR33MF11NSZF |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR36MF11NSZ6 |
на замовлення 8743 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR39MF11NIPF |
на замовлення 978 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR3BMF11NSZ | SHARP | 06+ DIP-7 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
PR3BMF11NSZF |
на замовлення 24537 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR3BMF11NSZN |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR49MF11NIP |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR49MF11NIPF |
на замовлення 28937 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
PR49MF11NSZ |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
STF11N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 83 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 136.26 грн |
10+ | 91.63 грн |
13+ | 78.25 грн |
34+ | 74.09 грн |
500+ | 72.42 грн |
1000+ | 70.76 грн |
STF11N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 614 pF @ 100 V
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.02 грн |
50+ | 93.45 грн |
100+ | 76.89 грн |
500+ | 61.06 грн |
1000+ | 51.81 грн |
2000+ | 49.22 грн |
STF11N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 370 mOhm typ 10 A MDmesh DM2 Power MOSFET
на замовлення 2797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.3 грн |
10+ | 68.92 грн |
100+ | 58 грн |
250+ | 55.27 грн |
500+ | 51.21 грн |
1000+ | 47.15 грн |
10000+ | 47.08 грн |
STF11N60M2-EP |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.550 Ohm typ 7.5 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.87 грн |
10+ | 96.49 грн |
100+ | 65.06 грн |
500+ | 55.21 грн |
1000+ | 44.95 грн |
2000+ | 42.29 грн |
5000+ | 40.29 грн |
STF11N60M2-EP |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 595mOhm @ 3.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 100 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 109.5 грн |
10+ | 86.64 грн |
100+ | 67.4 грн |
500+ | 53.61 грн |
STF11N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET
MOSFET N-channel 650 V, 0.60 Ohm typ 7 A MDmesh M2 Power MOSFET
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 131.3 грн |
10+ | 104.92 грн |
100+ | 75.25 грн |
250+ | 69.26 грн |
500+ | 63.2 грн |
1000+ | 49.28 грн |
STF11N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
MOSFET N-Ch 650V 0.43 Ohm MDmesh M5 710 VDSS
на замовлення 929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 116.54 грн |
10+ | 75.51 грн |
100+ | 63.2 грн |
1000+ | 62.53 грн |
2000+ | 59.87 грн |
5000+ | 56.4 грн |
10000+ | 54.34 грн |
STF11NM50N |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
MOSFET POWER MOSFET N-CH 500V
на замовлення 935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 213.65 грн |
10+ | 176.91 грн |
25+ | 99.22 грн |
100+ | 96.56 грн |
250+ | 95.23 грн |
500+ | 93.23 грн |
1000+ | 91.23 грн |
STF11NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 248.02 грн |
10+ | 84.63 грн |
27+ | 79.77 грн |
STF11NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 297.62 грн |
10+ | 105.46 грн |
27+ | 95.73 грн |
STF11NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
MOSFET N-Ch, 600V-0.37ohms FDMesh 10A
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 292.12 грн |
10+ | 264.98 грн |
25+ | 202.44 грн |
100+ | 172.48 грн |
250+ | 169.81 грн |
500+ | 154.5 грн |
1000+ | 135.18 грн |
STF11NM60ND |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 50 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 282.38 грн |
50+ | 215.85 грн |
100+ | 185.01 грн |
500+ | 154.34 грн |
STF11NM80 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 186 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 290.6 грн |
3+ | 233.08 грн |
5+ | 163.02 грн |
14+ | 154 грн |
STF11NM80 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 11A; 35W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 11A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 186 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 348.72 грн |
3+ | 290.45 грн |
5+ | 195.62 грн |
14+ | 184.8 грн |
STF11NM80 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans MOSFET N-CH 800V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STF11NM80 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
MOSFET N-Ch 800 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 441.29 грн |
10+ | 431.16 грн |
25+ | 301.67 грн |
100+ | 269.7 грн |
500+ | 238.4 грн |
1000+ | 219.09 грн |
2000+ | 204.44 грн |
STF11NM80 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1630 pF @ 25 V
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 406.28 грн |
50+ | 312.34 грн |
100+ | 279.46 грн |
500+ | 231.41 грн |
STF11NM80 |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 800V; 30V; 400mOhm; 11A; 35W; -65°C ~ 150°C; STF11NM80 TSTF11NM80
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 108.59 грн |