Результат пошуку "MMBT2907" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 127
Мінімальне замовлення: 337
Мінімальне замовлення: 76
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 31
Мінімальне замовлення: 7615
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 6049
Мінімальне замовлення: 7615
Мінімальне замовлення: 57
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 45000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 60
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 10000
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 29
Мінімальне замовлення: 8000
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 8000
Мінімальне замовлення: 47
Мінімальне замовлення: 2758
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 42
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 32
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 5120
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 9000
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 3513
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 47
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 6000
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 146
Мінімальне замовлення: 88
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
MMBT2907AHE3-TP | Micro Commercial Co |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 350 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1 | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
на замовлення 12333 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Транзистор PNP; Uceo, В = -60; Ic = -600 мА; ft, МГц = 200; hFE = 100 @ -10 mA, -10 V; Icutoff-max = 100 нА; Р, Вт = 0,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 2340 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 12333 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 156825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP |
на замовлення 52627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 561000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 562747 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 561000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 102000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 156825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A |
на замовлення 32681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT1HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT2907ALT1HTSA1 | Infineon Technologies |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 330 mW |
на замовлення 736 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 94968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT3G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 28489 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT3G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 94968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907ALT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP |
на замовлення 13379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AM3T5G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 39970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AM3T5G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AM3T5G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
на замовлення 39970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AM3T5G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 265 mW |
на замовлення 5701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AQ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AQ | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AQ-7-F | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AQ-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 651000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AQ-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K |
на замовлення 11694 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AQ-7-F | Diodes Incorporated |
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 657000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 150mW; SOT523 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 2170 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | DIODES INCORPORATED |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 150mW; SOT523 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SOT523 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 2170 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 71595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 111378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 1619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | Diodes Incorporated |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-523 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | Diodes Inc | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT -60V 150mW |
на замовлення 131914 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 1619 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R |
на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-7-F | DIODES/ZETEX |
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-523 MMBT2907AT-7-F TMMBT2907at кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-TP | Micro Commercial Co |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AT-TP | Micro Commercial Co |
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-523 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: SOT-523 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 4300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AWT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 50...340 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AWT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 50...340 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2225 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MMBT2907AWT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
MMBT2907AHE3-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 350 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.53 грн |
35+ | 7.98 грн |
100+ | 4.27 грн |
500+ | 3.15 грн |
1000+ | 2.19 грн |
MMBT2907ALT1 |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MMBT2907ALT1G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
на замовлення 12333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
127+ | 2.96 грн |
211+ | 1.65 грн |
500+ | 1.47 грн |
609+ | 1.32 грн |
1674+ | 1.25 грн |
12000+ | 1.2 грн |
MMBT2907ALT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Транзистор PNP; Uceo, В = -60; Ic = -600 мА; ft, МГц = 200; hFE = 100 @ -10 mA, -10 V; Icutoff-max = 100 нА; Р, Вт = 0,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
Транзистор PNP; Uceo, В = -60; Ic = -600 мА; ft, МГц = 200; hFE = 100 @ -10 mA, -10 V; Icutoff-max = 100 нА; Р, Вт = 0,35 Вт; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
337+ | 1.86 грн |
361+ | 1.73 грн |
389+ | 1.61 грн |
MMBT2907ALT1G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 12333 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
76+ | 3.55 грн |
127+ | 2.06 грн |
500+ | 1.76 грн |
609+ | 1.58 грн |
1674+ | 1.5 грн |
12000+ | 1.44 грн |
MMBT2907ALT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 156825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 4.5 грн |
MMBT2907ALT1G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 52627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
31+ | 10.1 грн |
44+ | 6.97 грн |
100+ | 3.86 грн |
1000+ | 1.66 грн |
2500+ | 1.47 грн |
10000+ | 1.13 грн |
30000+ | 1.07 грн |
MMBT2907ALT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7615+ | 1.53 грн |
15000+ | 1.4 грн |
30000+ | 1.3 грн |
45000+ | 1.19 грн |
MMBT2907ALT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.79 грн |
6000+ | 1.65 грн |
9000+ | 1.4 грн |
30000+ | 1.21 грн |
60000+ | 0.8 грн |
75000+ | 0.74 грн |
150000+ | 0.73 грн |
MMBT2907ALT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 562747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 0.77 грн |
MMBT2907ALT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 561000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6049+ | 1.93 грн |
6551+ | 1.78 грн |
9000+ | 1.51 грн |
30000+ | 1.3 грн |
60000+ | 0.86 грн |
75000+ | 0.8 грн |
90000+ | 0.79 грн |
MMBT2907ALT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 102000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7615+ | 1.53 грн |
27000+ | 1.4 грн |
54000+ | 1.3 грн |
81000+ | 1.19 грн |
MMBT2907ALT1G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 156825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
57+ | 13.3 грн |
93+ | 8.07 грн |
152+ | 4.95 грн |
500+ | 4.5 грн |
MMBT2907ALT1HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
Bipolar Transistors - BJT AF TRANS GP BJT PNP 60V 0.6A
на замовлення 32681 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 26.73 грн |
17+ | 18.23 грн |
100+ | 6.46 грн |
1000+ | 4.53 грн |
3000+ | 3.4 грн |
9000+ | 3 грн |
24000+ | 2.8 грн |
MMBT2907ALT1HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45000+ | 3.79 грн |
MMBT2907ALT1HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.4 грн |
MMBT2907ALT1HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MMBT2907ALT1HTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 330 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: PG-SOT23
Part Status: Last Time Buy
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 330 mW
на замовлення 736 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 24.49 грн |
17+ | 16.37 грн |
100+ | 8 грн |
500+ | 6.26 грн |
MMBT2907ALT3G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.19 грн |
20000+ | 1.13 грн |
MMBT2907ALT3G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 0.99 грн |
MMBT2907ALT3G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 94968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
60+ | 12.48 грн |
93+ | 8.07 грн |
193+ | 3.88 грн |
500+ | 1.59 грн |
10000+ | 1.06 грн |
30000+ | 1 грн |
80000+ | 0.98 грн |
MMBT2907ALT3G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 28489 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 10.81 грн |
40+ | 7.08 грн |
100+ | 3.84 грн |
500+ | 2.83 грн |
1000+ | 1.97 грн |
2000+ | 1.63 грн |
5000+ | 1.52 грн |
MMBT2907ALT3G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10000+ | 1.47 грн |
MMBT2907ALT3G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2907ALT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 94968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 1.59 грн |
10000+ | 1.06 грн |
30000+ | 1 грн |
80000+ | 0.98 грн |
MMBT2907ALT3G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V PNP
на замовлення 13379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
29+ | 10.88 грн |
44+ | 6.97 грн |
100+ | 3 грн |
1000+ | 1.66 грн |
2500+ | 1.47 грн |
10000+ | 1.13 грн |
20000+ | 1.07 грн |
MMBT2907AM3T5G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8000+ | 1.99 грн |
MMBT2907AM3T5G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
Bipolar Transistors - BJT SS GP PNP TRANSISTOR
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 14.45 грн |
32+ | 9.73 грн |
100+ | 3.66 грн |
1000+ | 2.13 грн |
2500+ | 1.93 грн |
8000+ | 1.66 грн |
24000+ | 1.33 грн |
MMBT2907AM3T5G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8000+ | 2.14 грн |
MMBT2907AM3T5G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
47+ | 15.99 грн |
69+ | 10.83 грн |
166+ | 4.53 грн |
500+ | 2.01 грн |
8000+ | 1.77 грн |
MMBT2907AM3T5G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 39970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2758+ | 4.23 грн |
3417+ | 3.42 грн |
5358+ | 2.18 грн |
6000+ | 2.09 грн |
15000+ | 1.93 грн |
MMBT2907AM3T5G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBT2907AM3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 600 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.01 грн |
8000+ | 1.77 грн |
MMBT2907AM3T5G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 39970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
42+ | 13.87 грн |
62+ | 9.41 грн |
63+ | 9.29 грн |
146+ | 3.83 грн |
250+ | 3.51 грн |
500+ | 2.72 грн |
1000+ | 1.73 грн |
15000+ | 1.72 грн |
MMBT2907AM3T5G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 265 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 265 mW
на замовлення 5701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 12.97 грн |
32+ | 8.95 грн |
100+ | 4.83 грн |
500+ | 3.57 грн |
1000+ | 2.48 грн |
2000+ | 2.05 грн |
MMBT2907AQ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
32+ | 11.95 грн |
65+ | 5.41 грн |
92+ | 3.8 грн |
128+ | 2.71 грн |
250+ | 2.06 грн |
500+ | 1.73 грн |
962+ | 0.83 грн |
MMBT2907AQ |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Application: automotive industry
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 14.34 грн |
39+ | 6.74 грн |
55+ | 4.56 грн |
100+ | 3.25 грн |
250+ | 2.47 грн |
500+ | 2.08 грн |
962+ | 1 грн |
MMBT2907AQ-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5120+ | 2.28 грн |
6000+ | 2.24 грн |
MMBT2907AQ-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.12 грн |
6000+ | 2.08 грн |
MMBT2907AQ-7-F |
Виробник: Diodes Inc
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.21 грн |
MMBT2907AQ-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 651000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9000+ | 1.43 грн |
MMBT2907AQ-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K
на замовлення 11694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 14.45 грн |
32+ | 9.57 грн |
100+ | 5.26 грн |
1000+ | 2.33 грн |
3000+ | 2 грн |
24000+ | 1.4 грн |
45000+ | 1.27 грн |
MMBT2907AQ-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: GENERAL PURPOSE TRANSISTOR SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 310 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 657000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 2.45 грн |
6000+ | 2.24 грн |
9000+ | 1.9 грн |
30000+ | 1.65 грн |
75000+ | 1.43 грн |
150000+ | 1.19 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 150mW; SOT523
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 150mW; SOT523
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 9.86 грн |
130+ | 2.75 грн |
145+ | 2.42 грн |
365+ | 2.2 грн |
500+ | 2.17 грн |
1005+ | 2.08 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: DIODES INCORPORATED
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 150mW; SOT523
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 5 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.2A; 150mW; SOT523
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2170 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.83 грн |
80+ | 3.42 грн |
100+ | 2.91 грн |
365+ | 2.64 грн |
500+ | 2.61 грн |
1005+ | 2.5 грн |
3000+ | 2.44 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 71595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 17.23 грн |
55+ | 10.59 грн |
100+ | 5.98 грн |
1000+ | 3.72 грн |
3000+ | 2.41 грн |
9000+ | 2.16 грн |
24000+ | 2.04 грн |
45000+ | 1.88 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3513+ | 3.32 грн |
9000+ | 3.11 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.09 грн |
9000+ | 2.89 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 111378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 23.05 грн |
19+ | 15.33 грн |
100+ | 7.48 грн |
500+ | 5.86 грн |
1000+ | 4.07 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
47+ | 12.45 грн |
65+ | 8.9 грн |
66+ | 8.83 грн |
103+ | 5.43 грн |
250+ | 4.99 грн |
500+ | 4.74 грн |
1000+ | 2.85 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.91 грн |
6000+ | 3.49 грн |
9000+ | 2.89 грн |
30000+ | 2.67 грн |
75000+ | 2.4 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: Diodes Inc
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.71 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT -60V 150mW
Bipolar Transistors - BJT -60V 150mW
на замовлення 131914 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 18.8 грн |
27+ | 11.49 грн |
100+ | 5.73 грн |
1000+ | 3.73 грн |
3000+ | 2.66 грн |
9000+ | 2.46 грн |
24000+ | 2.2 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 1619 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)MMBT2907AT-7-F |
Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6000+ | 2.56 грн |
MMBT2907AT-7-F |
Виробник: DIODES/ZETEX
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-523 MMBT2907AT-7-F TMMBT2907at
кількість в упаковці: 500 шт
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A Automotive 3-Pin SOT-523 MMBT2907AT-7-F TMMBT2907at
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 1.45 грн |
MMBT2907AT-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.71 грн |
MMBT2907AT-TP |
Виробник: Micro Commercial Co
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 60V 0.6A SOT523
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: SOT-523
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 21.61 грн |
19+ | 14.64 грн |
100+ | 7.12 грн |
500+ | 5.57 грн |
1000+ | 3.87 грн |
MMBT2907AWT1G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 50...340
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 50...340
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
146+ | 2.57 грн |
186+ | 1.87 грн |
500+ | 1.68 грн |
584+ | 1.37 грн |
1605+ | 1.3 грн |
MMBT2907AWT1G |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 50...340
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 50...340
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
88+ | 3.08 грн |
112+ | 2.33 грн |
500+ | 2.01 грн |
584+ | 1.65 грн |
1605+ | 1.56 грн |
12000+ | 1.5 грн |
MMBT2907AWT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.06 грн |
MMBT2907AWT1G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 60V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 1.85 грн |
9000+ | 1.06 грн |
30000+ | 1.05 грн |
60000+ | 0.97 грн |