Результат пошуку "STD2" : > 180

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
STD25N10F7 STD25N10F7 STMicroelectronics 1515625782094742dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25N10F7 STD25N10F7 STMicroelectronics std25n10f7-1850400.pdf MOSFET Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+87.57 грн
10+ 70.66 грн
100+ 47.89 грн
500+ 40.59 грн
1000+ 33.08 грн
2500+ 31.09 грн
5000+ 29.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD25N10F7 STD25N10F7 STMICROELECTRONICS 2371837.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.08 грн
500+ 51.83 грн
1000+ 46.69 грн
5000+ 45.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD25N10F7 STD25N10F7 STMicroelectronics 1515625782094742dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+81.4 грн
158+ 73.84 грн
200+ 66.51 грн
500+ 61.42 грн
1000+ 52.39 грн
2500+ 41.08 грн
Мінімальне замовлення: 144
STD25N10F7 STD25N10F7 STMicroelectronics 1515625782094742dm000.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25N10F7 STD25N10F7 STMICROELECTRONICS 2371837.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+101.34 грн
10+ 77.5 грн
100+ 57.08 грн
500+ 51.83 грн
1000+ 46.69 грн
5000+ 45.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD25NF10LA STD25NF10LA STMicroelectronics STD25NF10LA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+117.74 грн
5+ 94.8 грн
10+ 83.03 грн
25+ 82.34 грн
27+ 78.19 грн
500+ 75.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD25NF10LA STD25NF10LA STMicroelectronics STD25NF10LA.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+141.28 грн
5+ 118.13 грн
10+ 99.64 грн
25+ 98.81 грн
27+ 93.83 грн
500+ 90.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD25NF10LA STD25NF10LA STMICROELECTRONICS SGSTS29258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 5452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+72.06 грн
500+ 63.1 грн
1000+ 54.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD25NF10LA STD25NF10LA STMicroelectronics en.DM00039673.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10LA STD25NF10LA STMICROELECTRONICS SGSTS29258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 5452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+96.13 грн
50+ 84.2 грн
100+ 72.06 грн
500+ 63.1 грн
1000+ 54.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD25NF10LA STD25NF10LA STMicroelectronics en.DM00039673.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.78 грн
10+ 85.94 грн
100+ 68.44 грн
500+ 54.35 грн
1000+ 46.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF10LA STD25NF10LA STMicroelectronics std25nf10la-1850323.pdf MOSFET 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 294-303 дні (днів)
3+115.47 грн
10+ 94.72 грн
100+ 65.5 грн
250+ 64.9 грн
500+ 54.67 грн
1000+ 46.9 грн
2500+ 43.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics STD25NF10LT4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.27 грн
10+ 113.41 грн
100+ 90.24 грн
500+ 71.65 грн
1000+ 60.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics std25nf10lt4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics std25nf10lt4-1850263.pdf MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.57 грн
10+ 120.7 грн
100+ 83.7 грн
250+ 81.04 грн
500+ 69.08 грн
1000+ 56.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics STD25NF10LT4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.91 грн
5000+ 59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics std25nf10lt4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics std25nf10lt4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics std25nf10lt4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
74+157.59 грн
91+ 128.84 грн
92+ 127.56 грн
114+ 98.68 грн
250+ 89.15 грн
500+ 72.24 грн
1000+ 54.91 грн
Мінімальне замовлення: 74
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4 STMicroelectronics std25nf10lt4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+146.33 грн
10+ 119.64 грн
25+ 118.45 грн
100+ 91.63 грн
250+ 82.78 грн
500+ 67.08 грн
1000+ 50.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD25NF10T4 STD25NF10T4 STMicroelectronics STD25NF10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+50.67 грн
9+ 39.86 грн
25+ 35.01 грн
27+ 30.65 грн
73+ 28.99 грн
500+ 28.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD25NF10T4 STD25NF10T4 STMicroelectronics STD25NF10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
5+60.81 грн
6+ 49.67 грн
25+ 42.01 грн
27+ 36.78 грн
73+ 34.79 грн
500+ 34.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD25NF10T4 STD25NF10T4 STMicroelectronics std25nf10t4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10T4 STD25NF10T4 STMicroelectronics std25nf10t4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10T4 STD25NF10T4 STMicroelectronics std25nf10t4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.28 грн
10+ 95.21 грн
100+ 75.79 грн
500+ 60.18 грн
1000+ 51.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF10T4 STD25NF10T4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008001829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.56 грн
10+ 109.54 грн
100+ 84.2 грн
500+ 66.29 грн
1000+ 49.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD25NF10T4 STD25NF10T4 STMicroelectronics std25nf10t4.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10T4 STD25NF10T4 STMicroelectronics std25nf10t4.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10T4 STD25NF10T4 STMICROELECTRONICS SGST-S-A0008001829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+84.2 грн
500+ 66.29 грн
1000+ 49.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD25NF10T4 STD25NF10T4 STMicroelectronics std25nf10t4-1850433.pdf MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp
на замовлення 5058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.87 грн
10+ 104.65 грн
100+ 72.4 грн
500+ 61.18 грн
1000+ 51.88 грн
2500+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF20 STD25NF20 STMicroelectronics en.DM00079534.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF20 STD25NF20 STMicroelectronics std25nf20-1850296.pdf MOSFET N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET
на замовлення 16657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+138.72 грн
10+ 114.58 грн
100+ 79.05 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 56.66 грн
2500+ 53.74 грн
5000+ 52.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF20 STD25NF20 STMicroelectronics 730292125952455dm00079534.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF20 STD25NF20 STMicroelectronics 730292125952455dm00079534.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF20 STD25NF20 STMicroelectronics en.DM00079534.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.06 грн
10+ 103.86 грн
100+ 82.68 грн
500+ 65.66 грн
1000+ 55.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF20 STD25NF20 STMicroelectronics 730292125952455dm00079534.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
146+79.94 грн
157+ 74.32 грн
187+ 62.58 грн
200+ 57.07 грн
500+ 52.67 грн
1000+ 45.66 грн
Мінімальне замовлення: 146
STD26NF10 STD26NF10 STMicroelectronics en.CD00157882.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD26NF10 STD26NF10 STMicroelectronics std26nf10-1850434.pdf MOSFET N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+129.42 грн
10+ 106.95 грн
100+ 74.4 грн
250+ 73.73 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 52.94 грн
2500+ 50.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD26NF10 STD26NF10 STMicroelectronics en.CD00157882.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 4314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+121.43 грн
10+ 97.08 грн
100+ 77.25 грн
500+ 61.35 грн
1000+ 52.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD26NF10 STD26NF10 STMICROELECTRONICS 2371829.pdf Description: STMICROELECTRONICS - STD26NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.56 грн
10+ 109.54 грн
100+ 81.22 грн
500+ 65.66 грн
1000+ 49.31 грн
5000+ 47.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMICROELECTRONICS SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 31041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+56.78 грн
500+ 44.63 грн
1000+ 33.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00063009.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics std26p3llh6-1850324.pdf MOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
на замовлення 11667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+64.86 грн
10+ 52.56 грн
100+ 35.6 грн
500+ 31.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMICROELECTRONICS SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 31041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.24 грн
50+ 67.51 грн
100+ 56.78 грн
500+ 44.63 грн
1000+ 33.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
STD26P3LLH6 STD26P3LLH6 STMicroelectronics en.DM00063009.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 50640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+60.36 грн
10+ 47.95 грн
100+ 37.3 грн
500+ 29.67 грн
1000+ 29.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD2805T4 STD2805T4 STMicroelectronics STD2805_Rev1_Jun2007.pdf Description: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.39 грн
10+ 51.34 грн
100+ 39.9 грн
500+ 31.74 грн
1000+ 25.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD2805T4 STD2805T4 STMicroelectronics STD2805_Rev1_Jun2007.pdf Description: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD2805T4 STD2805T4 STMicroelectronics SGST_S_A0005239095_1-2563771.pdf Bipolar Transistors - BJT LV fast-switching PNP power trans
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+69.9 грн
10+ 56.3 грн
100+ 38.06 грн
500+ 32.28 грн
1000+ 26.3 грн
2500+ 24.71 грн
5000+ 23.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD2E1-58 Carling Technologies Toggle Switches STD2E1-58
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4056.96 грн
10+ 2550.65 грн
20+ 2217.29 грн
200+ 2131.6 грн
500+ 2128.95 грн
1000+ 2125.63 грн
2000+ 2124.3 грн
STD2E4-53 STD2E4-53 Carling Technologies st_series_datasheet-3050714.pdf Toggle Switches 2-pole, ON - None - ON, 16A 12/24VDC not HP rated, Non-Illuminated, Sealed Dull Nickel Toggle Switch with Screw with Cage Clamps
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+3145.59 грн
10+ 2689.68 грн
20+ 2228.59 грн
50+ 2131.6 грн
100+ 2081.78 грн
200+ 2000.08 грн
500+ 1980.15 грн
STD2HNK60Z STM en.CD00003701.pdf MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; 600 В
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
4+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD2HNK60Z STD2HNK60Z STMicroelectronics en.CD00003701.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 13880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+84.79 грн
10+ 66.84 грн
100+ 52.02 грн
500+ 41.38 грн
1000+ 33.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD2HNK60Z STD2HNK60Z STMicroelectronics en.cd00003701.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+50.77 грн
13+ 46.16 грн
25+ 45.91 грн
100+ 40.02 грн
250+ 36.19 грн
500+ 33.03 грн
1000+ 30.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
STD2HNK60Z STD2HNK60Z STMicroelectronics std2hnk60z-1850264.pdf MOSFET N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+67.73 грн
10+ 56.91 грн
100+ 41.05 грн
500+ 36.6 грн
1000+ 32.22 грн
2500+ 30.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD2HNK60Z STD2HNK60Z STMicroelectronics en.cd00003701.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
262+44.47 грн
263+ 44.29 грн
283+ 41.21 грн
288+ 39.06 грн
500+ 34.85 грн
1000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 262
STD2HNK60Z STD2HNK60Z STMicroelectronics en.CD00003701.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.12 грн
5000+ 32.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics en.cd00003701.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+30.78 грн
20+ 30.1 грн
Мінімальне замовлення: 19
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics en.cd00003701.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STD2HNK60Z-1 STD2HNK60Z-1 STMicroelectronics en.cd00003701.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STD25N10F7 1515625782094742dm000.pdf
STD25N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25N10F7 std25n10f7-1850400.pdf
STD25N10F7
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Nchanl 100V 0027 Ohm typ 25 A Pwr MOSFET
на замовлення 3229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+87.57 грн
10+ 70.66 грн
100+ 47.89 грн
500+ 40.59 грн
1000+ 33.08 грн
2500+ 31.09 грн
5000+ 29.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD25N10F7 2371837.pdf
STD25N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+57.08 грн
500+ 51.83 грн
1000+ 46.69 грн
5000+ 45.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD25N10F7 1515625782094742dm000.pdf
STD25N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
144+81.4 грн
158+ 73.84 грн
200+ 66.51 грн
500+ 61.42 грн
1000+ 52.39 грн
2500+ 41.08 грн
Мінімальне замовлення: 144
STD25N10F7 1515625782094742dm000.pdf
STD25N10F7
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+38.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25N10F7 2371837.pdf
STD25N10F7
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD25N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.027 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET VII DeepGATE
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.027ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2019)
на замовлення 5640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+101.34 грн
10+ 77.5 грн
100+ 57.08 грн
500+ 51.83 грн
1000+ 46.69 грн
5000+ 45.6 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD25NF10LA STD25NF10LA.pdf
STD25NF10LA
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+117.74 грн
5+ 94.8 грн
10+ 83.03 грн
25+ 82.34 грн
27+ 78.19 грн
500+ 75.42 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD25NF10LA STD25NF10LA.pdf
STD25NF10LA
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+141.28 грн
5+ 118.13 грн
10+ 99.64 грн
25+ 98.81 грн
27+ 93.83 грн
500+ 90.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
STD25NF10LA SGSTS29258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD25NF10LA
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 5452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+72.06 грн
500+ 63.1 грн
1000+ 54.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD25NF10LA en.DM00039673.pdf
STD25NF10LA
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10LA SGSTS29258-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD25NF10LA
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10LA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.03 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 5452 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+96.13 грн
50+ 84.2 грн
100+ 72.06 грн
500+ 63.1 грн
1000+ 54.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD25NF10LA en.DM00039673.pdf
STD25NF10LA
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+107.78 грн
10+ 85.94 грн
100+ 68.44 грн
500+ 54.35 грн
1000+ 46.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF10LA std25nf10la-1850323.pdf
STD25NF10LA
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET 100 V Mosfet 35 RDS 25A D2PAK
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 294-303 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+115.47 грн
10+ 94.72 грн
100+ 65.5 грн
250+ 64.9 грн
500+ 54.67 грн
1000+ 46.9 грн
2500+ 43.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4.pdf
STD25NF10LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 6201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+142.27 грн
10+ 113.41 грн
100+ 90.24 грн
500+ 71.65 грн
1000+ 60.8 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF10LT4 std25nf10lt4.pdf
STD25NF10LT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+55.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10LT4 std25nf10lt4-1850263.pdf
STD25NF10LT4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp
на замовлення 3673 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+149.57 грн
10+ 120.7 грн
100+ 83.7 грн
250+ 81.04 грн
500+ 69.08 грн
1000+ 56.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF10LT4 STD25NF10LT4.pdf
STD25NF10LT4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+63.91 грн
5000+ 59.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10LT4 std25nf10lt4.pdf
STD25NF10LT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10LT4 std25nf10lt4.pdf
STD25NF10LT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+51.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10LT4 std25nf10lt4.pdf
STD25NF10LT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
74+157.59 грн
91+ 128.84 грн
92+ 127.56 грн
114+ 98.68 грн
250+ 89.15 грн
500+ 72.24 грн
1000+ 54.91 грн
Мінімальне замовлення: 74
STD25NF10LT4 std25nf10lt4.pdf
STD25NF10LT4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+146.33 грн
10+ 119.64 грн
25+ 118.45 грн
100+ 91.63 грн
250+ 82.78 грн
500+ 67.08 грн
1000+ 50.98 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD25NF10T4 STD25NF10.pdf
STD25NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+50.67 грн
9+ 39.86 грн
25+ 35.01 грн
27+ 30.65 грн
73+ 28.99 грн
500+ 28.51 грн
Мінімальне замовлення: 8
STD25NF10T4 STD25NF10.pdf
STD25NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 21A; 100W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 21A
Power dissipation: 100W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 38mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.81 грн
6+ 49.67 грн
25+ 42.01 грн
27+ 36.78 грн
73+ 34.79 грн
500+ 34.21 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD25NF10T4 std25nf10t4.pdf
STD25NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+49.8 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10T4 std25nf10t4.pdf
STD25NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+46.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10T4 std25nf10t4.pdf
STD25NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+119.28 грн
10+ 95.21 грн
100+ 75.79 грн
500+ 60.18 грн
1000+ 51.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF10T4 SGST-S-A0008001829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD25NF10T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.56 грн
10+ 109.54 грн
100+ 84.2 грн
500+ 66.29 грн
1000+ 49.31 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD25NF10T4 std25nf10t4.pdf
STD25NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+53.68 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10T4 std25nf10t4.pdf
STD25NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+21.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF10T4 SGST-S-A0008001829-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD25NF10T4
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD25NF10T4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 12.5 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 3356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+84.2 грн
500+ 66.29 грн
1000+ 49.31 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD25NF10T4 std25nf10t4-1850433.pdf
STD25NF10T4
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100 Volt 25 Amp
на замовлення 5058 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.87 грн
10+ 104.65 грн
100+ 72.4 грн
500+ 61.18 грн
1000+ 51.88 грн
2500+ 49.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF20 en.DM00079534.pdf
STD25NF20
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+58.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF20 std25nf20-1850296.pdf
STD25NF20
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 200V 0.10Ohm 18 A StripFET FET
на замовлення 16657 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+138.72 грн
10+ 114.58 грн
100+ 79.05 грн
500+ 66.43 грн
1000+ 56.66 грн
2500+ 53.74 грн
5000+ 52.81 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF20 730292125952455dm00079534.pdf
STD25NF20
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+61.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF20 730292125952455dm00079534.pdf
STD25NF20
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+66.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD25NF20 en.DM00079534.pdf
STD25NF20
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 18A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4596 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+130.06 грн
10+ 103.86 грн
100+ 82.68 грн
500+ 65.66 грн
1000+ 55.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD25NF20 730292125952455dm00079534.pdf
STD25NF20
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
146+79.94 грн
157+ 74.32 грн
187+ 62.58 грн
200+ 57.07 грн
500+ 52.67 грн
1000+ 45.66 грн
Мінімальне замовлення: 146
STD26NF10 en.CD00157882.pdf
STD26NF10
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD26NF10 std26nf10-1850434.pdf
STD26NF10
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N Ch 100V 0.033 Ohm 25A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.42 грн
10+ 106.95 грн
100+ 74.4 грн
250+ 73.73 грн
500+ 62.37 грн
1000+ 52.94 грн
2500+ 50.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD26NF10 en.CD00157882.pdf
STD26NF10
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 4314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+121.43 грн
10+ 97.08 грн
100+ 77.25 грн
500+ 61.35 грн
1000+ 52.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
STD26NF10 2371829.pdf
STD26NF10
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD26NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 7120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+144.56 грн
10+ 109.54 грн
100+ 81.22 грн
500+ 65.66 грн
1000+ 49.31 грн
5000+ 47.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
STD26P3LLH6 SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD26P3LLH6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 31041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+56.78 грн
500+ 44.63 грн
1000+ 33.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
STD26P3LLH6 en.DM00063009.pdf
STD26P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD26P3LLH6 std26p3llh6-1850324.pdf
STD26P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET P-CH 30V 0.024Ohm 12A STripFET VI
на замовлення 11667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.86 грн
10+ 52.56 грн
100+ 35.6 грн
500+ 31.02 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD26P3LLH6 SGSTS50871-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
STD26P3LLH6
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STD26P3LLH6 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 12 A, 0.024 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: DeepGATE STripFET VI
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 31041 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.24 грн
50+ 67.51 грн
100+ 56.78 грн
500+ 44.63 грн
1000+ 33.6 грн
Мінімальне замовлення: 10
STD26P3LLH6 en.DM00063009.pdf
STD26P3LLH6
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET P-CH 30V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
на замовлення 50640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+60.36 грн
10+ 47.95 грн
100+ 37.3 грн
500+ 29.67 грн
1000+ 29.34 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD2805T4 STD2805_Rev1_Jun2007.pdf
STD2805T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 3399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.39 грн
10+ 51.34 грн
100+ 39.9 грн
500+ 31.74 грн
1000+ 25.86 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD2805T4 STD2805_Rev1_Jun2007.pdf
STD2805T4
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 200mA, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 15 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD2805T4 SGST_S_A0005239095_1-2563771.pdf
STD2805T4
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT LV fast-switching PNP power trans
на замовлення 1785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+69.9 грн
10+ 56.3 грн
100+ 38.06 грн
500+ 32.28 грн
1000+ 26.3 грн
2500+ 24.71 грн
5000+ 23.51 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD2E1-58
Виробник: Carling Technologies
Toggle Switches STD2E1-58
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+4056.96 грн
10+ 2550.65 грн
20+ 2217.29 грн
200+ 2131.6 грн
500+ 2128.95 грн
1000+ 2125.63 грн
2000+ 2124.3 грн
STD2E4-53 st_series_datasheet-3050714.pdf
STD2E4-53
Виробник: Carling Technologies
Toggle Switches 2-pole, ON - None - ON, 16A 12/24VDC not HP rated, Non-Illuminated, Sealed Dull Nickel Toggle Switch with Screw with Cage Clamps
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+3145.59 грн
10+ 2689.68 грн
20+ 2228.59 грн
50+ 2131.6 грн
100+ 2081.78 грн
200+ 2000.08 грн
500+ 1980.15 грн
STD2HNK60Z en.CD00003701.pdf
Виробник: STM
MOSFET силовой транзистор - [TO-252-3]; Тип: N; 600 В
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD2HNK60Z en.CD00003701.pdf
STD2HNK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 13880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.79 грн
10+ 66.84 грн
100+ 52.02 грн
500+ 41.38 грн
1000+ 33.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
STD2HNK60Z en.cd00003701.pdf
STD2HNK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+50.77 грн
13+ 46.16 грн
25+ 45.91 грн
100+ 40.02 грн
250+ 36.19 грн
500+ 33.03 грн
1000+ 30.02 грн
Мінімальне замовлення: 12
STD2HNK60Z std2hnk60z-1850264.pdf
STD2HNK60Z
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N Ch 600V Zener SuprMESH 4.4 A
на замовлення 7010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+67.73 грн
10+ 56.91 грн
100+ 41.05 грн
500+ 36.6 грн
1000+ 32.22 грн
2500+ 30.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
STD2HNK60Z en.cd00003701.pdf
STD2HNK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
262+44.47 грн
263+ 44.29 грн
283+ 41.21 грн
288+ 39.06 грн
500+ 34.85 грн
1000+ 32.33 грн
Мінімальне замовлення: 262
STD2HNK60Z en.CD00003701.pdf
STD2HNK60Z
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+35.12 грн
5000+ 32.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
STD2HNK60Z-1 en.cd00003701.pdf
STD2HNK60Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+30.78 грн
20+ 30.1 грн
Мінімальне замовлення: 19
STD2HNK60Z-1 en.cd00003701.pdf
STD2HNK60Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
STD2HNK60Z-1 en.cd00003701.pdf
STD2HNK60Z-1
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 2A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]