Результат пошуку "STP4" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 234
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 127
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 87
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 173
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 56
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 53
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 17
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STP4NK60Z Код товару: 2561 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 4 А Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm Монтаж: THT |
у наявності: 192 шт
|
|
|||||||||||||||
STP4NK60ZFP Код товару: 3364 |
ST |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 600 V Idd,A: 4 А Rds(on), Ohm: 2 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8 Примітка: Ізольований корпус Монтаж: THT |
у наявності: 138 шт
очікується:
500 шт
|
|
|||||||||||||||
STP400N4F6 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
STP40102660 | STATICTEC |
Category: ESD Bags and Foils Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 102mm; Thk: 100um; 100pcs. Quantity in set/package: 100pcs. Width: 102mm Material: metallized film bag Length: 660mm Closing system: for welding Thickness: 0.1mm Type of antistatic accessories: protection bag Features of antistatic elements: open Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements Version: ESD Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40102660 | STATICTEC |
Category: ESD Bags and Foils Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 102mm; Thk: 100um; 100pcs. Quantity in set/package: 100pcs. Width: 102mm Material: metallized film bag Length: 660mm Closing system: for welding Thickness: 0.1mm Type of antistatic accessories: protection bag Features of antistatic elements: open Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements Version: ESD Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40152660 | STATICTEC |
Category: ESD Bags and Foils Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 152mm; Thk: 100um; 100pcs. Quantity in set/package: 100pcs. Width: 152mm Material: metallized film bag Length: 660mm Closing system: for welding Thickness: 0.1mm Type of antistatic accessories: protection bag Features of antistatic elements: open Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements Version: ESD Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40152660 | STATICTEC |
Category: ESD Bags and Foils Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 152mm; Thk: 100um; 100pcs. Quantity in set/package: 100pcs. Width: 152mm Material: metallized film bag Length: 660mm Closing system: for welding Thickness: 0.1mm Type of antistatic accessories: protection bag Features of antistatic elements: open Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements Version: ESD Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 19 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40254660 | STATICTEC |
Category: ESD Bags and Foils Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 254mm; Thk: 100um; 100pcs. Quantity in set/package: 100pcs. Width: 254mm Material: metallized film bag Length: 660mm Closing system: for welding Thickness: 0.1mm Type of antistatic accessories: protection bag Features of antistatic elements: open Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements Version: ESD Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40254660 | STATICTEC |
Category: ESD Bags and Foils Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 254mm; Thk: 100um; 100pcs. Quantity in set/package: 100pcs. Width: 254mm Material: metallized film bag Length: 660mm Closing system: for welding Thickness: 0.1mm Type of antistatic accessories: protection bag Features of antistatic elements: open Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements Version: ESD Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40406660 | STATICTEC |
Category: ESD Bags and Foils Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 406mm; Thk: 100um; 100pcs. Quantity in set/package: 100pcs. Width: 406mm Material: metallized film bag Length: 660mm Closing system: for welding Thickness: 0.1mm Type of antistatic accessories: protection bag Features of antistatic elements: open Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements Version: ESD Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40406660 | STATICTEC |
Category: ESD Bags and Foils Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 406mm; Thk: 100um; 100pcs. Quantity in set/package: 100pcs. Width: 406mm Material: metallized film bag Length: 660mm Closing system: for welding Thickness: 0.1mm Type of antistatic accessories: protection bag Features of antistatic elements: open Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements Version: ESD Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40N60M2 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 2237 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40N65M2 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V |
на замовлення 37 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF03L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm |
на замовлення 5692 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 30 Volt 40 Amp |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF03L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
на замовлення 1573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF03L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 398 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ II Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 35A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 28mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 274 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V |
на замовлення 230 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm |
на замовлення 2836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 365 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp |
на замовлення 976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10L | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±17V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 184 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10L | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 25A Power dissipation: 150W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±17V On-state resistance: 36mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 184 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10L | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±17V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V |
на замовлення 1678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10L | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp |
на замовлення 1756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10L | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 2161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10L | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 707 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF10L | ST |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 17V; 36mOhm; 40A; 150W; -65°C ~ 175°C; STP40NF10L TSTP40NF10L кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF12 | ST |
N-MOSFET; 120V; 20V; 32mOhm; 40A; 150W; -55°C ~ 175°C; STP40NF12 TSTP40NF12 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF20 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF20 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3 Type of transistor: N-MOSFET Technology: STripFET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 25A Power dissipation: 160W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 45mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF20 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF20 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF20 | STMicroelectronics | MOSFET Low charge STripFET |
на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF20 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V |
на замовлення 1336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP40NF20 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 767 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N60M2-EP | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N60M2-EP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N60M2-EP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N60M2-EP | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - STP42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh M2 productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm SVHC: No SVHC (07-Jul-2017) |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N60M2-EP | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET |
на замовлення 853 шт: термін постачання 133-142 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate |
на замовлення 27 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N65M5 | STMicroelectronics |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W Type of transistor: N-MOSFET Technology: MDmesh™ V Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 20.8A Power dissipation: 190W Case: TO220-3 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 79mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: ESD protected gate кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N65M5 | STMicroelectronics |
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp |
на замовлення 120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP42N65M5 | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
STP43N60DM2 | STMicroelectronics | MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package |
на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
STP4NK60ZFP Код товару: 3364 |
Виробник: ST
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 600 V
Idd,A: 4 А
Rds(on), Ohm: 2 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/18.8
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
у наявності: 138 шт
очікується:
500 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 16.5 грн |
10+ | 14.9 грн |
100+ | 13.1 грн |
STP400N4F6 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)STP40102660 |
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 102mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 102mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 102mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 102mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2564.1 грн |
10+ | 2320.75 грн |
STP40102660 |
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 102mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 102mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 102mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 102mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3076.92 грн |
10+ | 2892.01 грн |
STP40152660 |
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 152mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 152mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 152mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 152mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3192.27 грн |
10+ | 2888.14 грн |
STP40152660 |
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 152mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 152mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 152mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 152mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3830.73 грн |
10+ | 3599.07 грн |
STP40254660 |
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 254mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 254mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 254mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 254mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5075.29 грн |
STP40254660 |
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 254mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 254mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 254mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 254mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6090.35 грн |
10+ | 5722.81 грн |
STP40406660 |
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 406mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 406mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 406mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 406mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7586.49 грн |
STP40406660 |
Виробник: STATICTEC
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 406mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 406mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
кількість в упаковці: 1 шт
Category: ESD Bags and Foils
Description: Protection bag; ESD; L: 660mm; W: 406mm; Thk: 100um; 100pcs.
Quantity in set/package: 100pcs.
Width: 406mm
Material: metallized film bag
Length: 660mm
Closing system: for welding
Thickness: 0.1mm
Type of antistatic accessories: protection bag
Features of antistatic elements: open
Antistatic elements application: for moisture-sensitive elements
Version: ESD
Kind of protective bag: metallised; moisture barrier bag
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 9103.78 грн |
10+ | 8499.28 грн |
STP40N60M2 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Description: STMICROELECTRONICS - STP40N60M2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.088 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.088ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 418.78 грн |
5+ | 359.17 грн |
10+ | 299.55 грн |
50+ | 258.78 грн |
100+ | 220.35 грн |
250+ | 212.05 грн |
STP40N65M2 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2355 pF @ 100 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 381.55 грн |
STP40NF03L |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF03L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.022 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
на замовлення 5692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 84.2 грн |
15+ | 52.01 грн |
100+ | 40.31 грн |
500+ | 33.77 грн |
1000+ | 29.64 грн |
5000+ | 28.04 грн |
STP40NF03L |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 30 Volt 40 Amp
MOSFET N-Ch 30 Volt 40 Amp
на замовлення 1755 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 74.24 грн |
10+ | 45.15 грн |
100+ | 34.01 грн |
500+ | 31.15 грн |
1000+ | 27.57 грн |
2000+ | 26.3 грн |
5000+ | 25.11 грн |
STP40NF03L |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V
на замовлення 1573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.98 грн |
50+ | 53.65 грн |
100+ | 42.51 грн |
500+ | 33.82 грн |
1000+ | 27.55 грн |
STP40NF03L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
234+ | 49.81 грн |
250+ | 47.81 грн |
STP40NF10 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.08 грн |
7+ | 53.28 грн |
10+ | 47.05 грн |
20+ | 41.52 грн |
54+ | 38.75 грн |
STP40NF10 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 100V; 35A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 274 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 66.39 грн |
10+ | 56.46 грн |
20+ | 49.82 грн |
54+ | 46.5 грн |
STP40NF10 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 98.33 грн |
10+ | 85.74 грн |
100+ | 73.94 грн |
500+ | 63.74 грн |
1000+ | 51.94 грн |
STP40NF10 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
127+ | 92.12 грн |
147+ | 79.43 грн |
500+ | 71.02 грн |
1000+ | 60.27 грн |
STP40NF10 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2180 pF @ 25 V
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 145.15 грн |
50+ | 112.18 грн |
100+ | 92.3 грн |
STP40NF10 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.39 грн |
STP40NF10 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF10 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 50 A, 0.025 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 168.41 грн |
10+ | 124.44 грн |
100+ | 90.91 грн |
500+ | 76.8 грн |
1000+ | 57.68 грн |
STP40NF10 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 151.03 грн |
10+ | 121.84 грн |
50+ | 117.75 грн |
100+ | 97.06 грн |
250+ | 84.36 грн |
STP40NF10 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
87+ | 134.78 грн |
106+ | 110 грн |
250+ | 106.12 грн |
STP40NF10 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
MOSFET N-Ch 100 Volt 50 Amp
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 155.77 грн |
10+ | 123.75 грн |
100+ | 87.68 грн |
250+ | 86.35 грн |
500+ | 75.73 грн |
1000+ | 63.04 грн |
2000+ | 59.98 грн |
STP40NF10L |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±17V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±17V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 76.75 грн |
6+ | 59.51 грн |
10+ | 47.05 грн |
20+ | 40.82 грн |
54+ | 38.75 грн |
STP40NF10L |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±17V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 100V; 25A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 25A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±17V
On-state resistance: 36mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 184 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 92.1 грн |
4+ | 74.15 грн |
10+ | 56.46 грн |
20+ | 48.99 грн |
54+ | 46.5 грн |
STP40NF10L |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±17V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±17V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 1678 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 190.42 грн |
50+ | 147.48 грн |
100+ | 121.34 грн |
500+ | 96.36 грн |
1000+ | 81.76 грн |
STP40NF10L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 31.77 грн |
STP40NF10L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
173+ | 67.63 грн |
STP40NF10L |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp
MOSFET N-Ch 100 Volt 40 Amp
на замовлення 1756 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 203.82 грн |
10+ | 158.89 грн |
100+ | 114.25 грн |
250+ | 113.59 грн |
500+ | 93.66 грн |
1000+ | 83.03 грн |
2000+ | 76.39 грн |
STP40NF10L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 219.27 грн |
10+ | 173.56 грн |
100+ | 143.34 грн |
250+ | 137.47 грн |
500+ | 105.16 грн |
1000+ | 88.99 грн |
STP40NF10L |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF10L - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.028 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 2161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 229.51 грн |
10+ | 163.19 грн |
100+ | 127.42 грн |
500+ | 104.48 грн |
1000+ | 81.12 грн |
STP40NF10L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
56+ | 208.7 грн |
69+ | 169.83 грн |
100+ | 139.41 грн |
250+ | 132.4 грн |
500+ | 77.05 грн |
STP40NF10L |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 707 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 193.79 грн |
10+ | 157.7 грн |
100+ | 129.46 грн |
250+ | 122.94 грн |
500+ | 71.55 грн |
STP40NF10L |
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 17V; 36mOhm; 40A; 150W; -65°C ~ 175°C; STP40NF10L TSTP40NF10L
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 17V; 36mOhm; 40A; 150W; -65°C ~ 175°C; STP40NF10L TSTP40NF10L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 41.79 грн |
STP40NF12 |
Виробник: ST
N-MOSFET; 120V; 20V; 32mOhm; 40A; 150W; -55°C ~ 175°C; STP40NF12 TSTP40NF12
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET; 120V; 20V; 32mOhm; 40A; 150W; -55°C ~ 175°C; STP40NF12 TSTP40NF12
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 53.22 грн |
STP40NF20 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 242.18 грн |
3+ | 202.74 грн |
6+ | 155.69 грн |
15+ | 147.38 грн |
STP40NF20 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 200V; 25A; 160W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 25A
Power dissipation: 160W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 290.61 грн |
3+ | 252.64 грн |
6+ | 186.82 грн |
15+ | 176.86 грн |
STP40NF20 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 206.34 грн |
10+ | 204.25 грн |
25+ | 173.19 грн |
50+ | 165.34 грн |
100+ | 118.85 грн |
250+ | 112.99 грн |
500+ | 107.92 грн |
STP40NF20 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 200V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
53+ | 219.96 грн |
63+ | 186.51 грн |
64+ | 178.05 грн |
100+ | 128 грн |
250+ | 121.68 грн |
500+ | 116.22 грн |
STP40NF20 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET Low charge STripFET
MOSFET Low charge STripFET
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 206.92 грн |
10+ | 202.43 грн |
25+ | 151.45 грн |
100+ | 133.52 грн |
250+ | 132.19 грн |
500+ | 123.55 грн |
1000+ | 118.9 грн |
STP40NF20 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 25 V
на замовлення 1336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 252.21 грн |
50+ | 192.7 грн |
100+ | 165.18 грн |
500+ | 137.79 грн |
1000+ | 117.98 грн |
STP40NF20 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - STP40NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 20 A, 0.038 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 767 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 254.1 грн |
10+ | 188.53 грн |
100+ | 161.7 грн |
500+ | 134.93 грн |
STP42N60M2-EP |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 34A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 87mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 434 грн |
50+ | 331.37 грн |
100+ | 284.03 грн |
500+ | 236.93 грн |
1000+ | 202.87 грн |
STP42N60M2-EP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 467.25 грн |
27+ | 432.17 грн |
32+ | 373.1 грн |
100+ | 312.1 грн |
250+ | 278.24 грн |
500+ | 245.69 грн |
1000+ | 220.81 грн |
STP42N60M2-EP |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 600V 34A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 433.87 грн |
10+ | 401.3 грн |
25+ | 346.45 грн |
100+ | 289.81 грн |
250+ | 258.37 грн |
500+ | 228.14 грн |
1000+ | 205.03 грн |
STP42N60M2-EP |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - STP42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
Description: STMICROELECTRONICS - STP42N60M2-EP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 34 A, 0.076 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh M2
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (07-Jul-2017)
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 505.22 грн |
5+ | 440.39 грн |
10+ | 375.56 грн |
50+ | 327.98 грн |
100+ | 282.95 грн |
STP42N60M2-EP |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
MOSFET N-channel 600 V, 0.076 Ohm typ 34 A MDmesh M2 EP Power MOSFET
на замовлення 853 шт:
термін постачання 133-142 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 438.63 грн |
10+ | 403.34 грн |
25+ | 304.89 грн |
100+ | 267.03 грн |
250+ | 259.72 грн |
500+ | 241.13 грн |
1000+ | 199.28 грн |
STP42N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 813.72 грн |
2+ | 541.09 грн |
3+ | 540.4 грн |
5+ | 511.34 грн |
STP42N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ V; unipolar; 650V; 20.8A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ V
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 20.8A
Power dissipation: 190W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 79mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 976.46 грн |
2+ | 674.29 грн |
3+ | 648.48 грн |
5+ | 613.61 грн |
250+ | 601.98 грн |
STP42N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 79mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4650 pF @ 100 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 711.36 грн |
50+ | 546.85 грн |
100+ | 489.27 грн |
500+ | 405.15 грн |
STP42N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
MOSFET N-Ch 650 Volt 33 Amp
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 662.6 грн |
10+ | 651.6 грн |
25+ | 474.94 грн |
100+ | 444.39 грн |
250+ | 440.4 грн |
500+ | 405.2 грн |
1000+ | 368 грн |
STP42N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 415.38 грн |
STP42N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 652.02 грн |
19+ | 643.8 грн |
25+ | 521.9 грн |
100+ | 413.72 грн |
STP42N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1467 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 606.89 грн |
10+ | 599.23 грн |
25+ | 485.77 грн |
100+ | 385.07 грн |
STP42N65M5 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 650V 33A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 684.96 грн |
19+ | 641.3 грн |
50+ | 576.3 грн |
100+ | 463.1 грн |
200+ | 403.67 грн |
500+ | 378.38 грн |
1000+ | 365.9 грн |
STP43N60DM2 |
Виробник: STMicroelectronics
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
MOSFET N-channel 600 V, 0.085 Ohm typ 34 A MDmesh DM2 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 448.71 грн |
10+ | 439.24 грн |
25+ | 304.89 грн |
100+ | 261.05 грн |
500+ | 232.49 грн |
1000+ | 203.26 грн |
2000+ | 187.32 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]