Результат пошуку "bd13" : > 180
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 263
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 34
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 408
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 46
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 150
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 150
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 27
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 1302
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 1500
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 17
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 24
Мінімальне замовлення: 506
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 44
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 51
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BD13716STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
на замовлення 875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD13716STU | ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD13716STU | ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD137G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225 Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 12W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Frequency: 50MHz Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 60V |
на замовлення 670 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD137G | ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225 Case: TO225 Mounting: THT Kind of package: bulk Power dissipation: 12W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Frequency: 50MHz Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 670 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD137G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD137G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD137G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 2562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD137G | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 11774 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD137G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD137G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN |
на замовлення 21951 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD137G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD137G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-225AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD137G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BD138 | STMicroelectronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 25...250 Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Frequency: 50MHz Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 60V |
на замовлення 668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138 | STM | Транз. Бипол. БМ PNP TO126 Uceo=-60V; Ic=1,5A; f=160MHz, Pdmax=8W; hfe=40/250 |
на замовлення 11 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138 | DIV | Транзистор PNP; Uceo, В = 60; Ic = 1,5 А; Тексп, °C = -65...+150; TO-126-3 |
на замовлення 34 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138 | STMicroelectronics |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 25...250 Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Frequency: 50MHz Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 668 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138 | STMicroelectronics |
Description: TRANS PNP 60V 1.5A SOT32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 12468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 34800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 34776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier |
на замовлення 5221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138 | STMicroelectronics | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 34800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD138 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138 | CDIL |
PNP 1A 60V 6,5W 50MHz BD138 TBD138 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138 | NXP |
PNP 1A 60V 6,5W 50MHz BD138 TBD138 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138-16 | CDIL |
PNP 1A 60V 6,5W 50MHz BD138-16 CDIL TBD13816cd кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD13810STU | ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Case: TO126ISO Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 63...160 Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 60V |
на замовлення 1379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD13810STU | ONSEMI |
Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO Case: TO126ISO Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 63...160 Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 60V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1379 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD13810STU | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube |
на замовлення 1920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD13810STU | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD13810STU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD13810STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BD13810STU | Fairchild Semiconductor |
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A, Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126-3 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 3626 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD13816STU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil |
на замовлення 13370 шт: термін постачання 77-86 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-225 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP |
на замовлення 821 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BD138G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD138G | onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 1127 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 25...250 Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Frequency: 50MHz Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 80V |
на замовлення 1543 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 25...250 Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Frequency: 50MHz Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 80V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1543 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier |
на замовлення 8391 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 476 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139 | JSMicro Semiconductor |
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139 | ST |
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 676 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 63...160 Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Frequency: 50MHz Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 80V |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10 | STMicroelectronics | Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3) |
на замовлення 17 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10 | STMicroelectronics |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32 Case: SOT32 Mounting: THT Kind of package: tube Current gain: 63...160 Power dissipation: 12.5W Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Frequency: 50MHz Collector current: 1.5A Collector-emitter voltage: 80V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1238 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10 | MULTICOMP PRO |
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 12.5W Bauform - Transistor: TO-126 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4070 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 9828 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10 | STMicroelectronics |
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V Supplier Device Package: SOT-32 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.25 W |
на замовлення 899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 9836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr |
на замовлення 9826 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10 | STMicroelectronics | Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube |
на замовлення 9836 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10 | STMICROELECTRONICS |
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 1.5A MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-32 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Dec-2015) |
на замовлення 7008 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10 | ST |
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube BD139-10 STM TBD13910 STM кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BD139-10STU | STMicroelectronics | Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO |
на замовлення 100 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
BD13716STU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 45.15 грн |
15+ | 39.47 грн |
100+ | 30.65 грн |
500+ | 25.33 грн |
BD13716STU |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 20.47 грн |
BD13716STU |
Виробник: ON-Semicoductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 BD13716STU TBD13716stu
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 26.61 грн |
BD137G |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 12W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 12W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
на замовлення 670 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 38.75 грн |
25+ | 32.38 грн |
31+ | 26.57 грн |
84+ | 25.12 грн |
BD137G |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 12W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 1.5A; 12W; TO225
Case: TO225
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Power dissipation: 12W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 670 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 46.5 грн |
25+ | 40.35 грн |
31+ | 31.88 грн |
84+ | 30.14 грн |
2000+ | 28.9 грн |
BD137G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
263+ | 44.44 грн |
346+ | 33.74 грн |
500+ | 24.25 грн |
1000+ | 20.55 грн |
BD137G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 18.37 грн |
BD137G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 46.35 грн |
14+ | 41.26 грн |
100+ | 31.32 грн |
500+ | 21.71 грн |
1000+ | 17.67 грн |
BD137G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 60V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 11774 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 51.74 грн |
10+ | 42.97 грн |
100+ | 29.75 грн |
500+ | 23.33 грн |
1000+ | 19.86 грн |
2000+ | 17.68 грн |
5000+ | 16.48 грн |
10000+ | 15.26 грн |
BD137G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 24.32 грн |
BD137G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W NPN
на замовлення 21951 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 52.62 грн |
10+ | 44.84 грн |
100+ | 28.36 грн |
500+ | 21.39 грн |
1000+ | 17.87 грн |
BD137G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 22.72 грн |
BD137G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BD137G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 60 V, 1.5 A, 65 W, TO-225AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-225AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 57.9 грн |
16+ | 47.84 грн |
100+ | 31.82 грн |
500+ | 21.45 грн |
1000+ | 18.59 грн |
BD137G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT NPN 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BD138 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 25...250
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 25...250
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
на замовлення 668 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 26.08 грн |
30+ | 11.76 грн |
50+ | 10.31 грн |
87+ | 9.39 грн |
238+ | 8.88 грн |
BD138 |
Виробник: STM
Транз. Бипол. БМ PNP TO126 Uceo=-60V; Ic=1,5A; f=160MHz, Pdmax=8W; hfe=40/250
Транз. Бипол. БМ PNP TO126 Uceo=-60V; Ic=1,5A; f=160MHz, Pdmax=8W; hfe=40/250
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 23.17 грн |
BD138 |
Виробник: DIV
Транзистор PNP; Uceo, В = 60; Ic = 1,5 А; Тексп, °C = -65...+150; TO-126-3
Транзистор PNP; Uceo, В = 60; Ic = 1,5 А; Тексп, °C = -65...+150; TO-126-3
на замовлення 34 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
34+ | 18.35 грн |
100+ | 7.64 грн |
BD138 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 25...250
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 25...250
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 668 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 31.3 грн |
18+ | 14.66 грн |
50+ | 12.37 грн |
87+ | 11.27 грн |
238+ | 10.65 грн |
1000+ | 10.46 грн |
BD138 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS PNP 60V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS PNP 60V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 12468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 35.21 грн |
50+ | 26.71 грн |
100+ | 19.84 грн |
500+ | 14.54 грн |
1000+ | 11.81 грн |
2000+ | 10.56 грн |
5000+ | 9.86 грн |
10000+ | 9.16 грн |
BD138 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 33.9 грн |
22+ | 26.65 грн |
100+ | 18.87 грн |
500+ | 10.22 грн |
1000+ | 9.38 грн |
2000+ | 8.64 грн |
10000+ | 8.12 грн |
24000+ | 8.01 грн |
BD138 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 34776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
408+ | 28.54 грн |
577+ | 20.2 грн |
1032+ | 11.29 грн |
1042+ | 10.78 грн |
2000+ | 9.64 грн |
10000+ | 8.68 грн |
24000+ | 8.56 грн |
BD138 |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier
Bipolar Transistors - BJT PNP Audio Amplfier
на замовлення 5221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 36.73 грн |
11+ | 28.49 грн |
100+ | 18.73 грн |
500+ | 14.81 грн |
1000+ | 12.02 грн |
2000+ | 10.16 грн |
10000+ | 9.43 грн |
BD138 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 34800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
46+ | 6.82 грн |
BD138 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD138 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - BD138 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 41.28 грн |
22+ | 34.72 грн |
100+ | 23.25 грн |
500+ | 17.02 грн |
BD138 |
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 4.84 грн |
BD138 |
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 10.64 грн |
BD138-16 |
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
150+ | 4.48 грн |
BD13810STU |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 63...160
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 63...160
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 29.58 грн |
25+ | 24.7 грн |
43+ | 18.9 грн |
118+ | 17.87 грн |
BD13810STU |
Виробник: ONSEMI
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 63...160
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 1.5A; 12.5W; TO126ISO
Case: TO126ISO
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 63...160
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 60V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 35.5 грн |
25+ | 30.78 грн |
43+ | 22.68 грн |
118+ | 21.44 грн |
BD13810STU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-126 Tube
на замовлення 1920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
27+ | 22.09 грн |
29+ | 20.56 грн |
100+ | 17.82 грн |
500+ | 15.62 грн |
1000+ | 12.63 грн |
1920+ | 11.79 грн |
BD13810STU |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO126-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 40.24 грн |
60+ | 32.37 грн |
120+ | 23.5 грн |
540+ | 18.43 грн |
1020+ | 15.68 грн |
BD13810STU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD13810STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - BD13810STU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BD13810STU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
Description: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 1.5A,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126-3
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 3626 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1302+ | 15.47 грн |
BD13816STU |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
Bipolar Transistors - BJT PNP Epitaxial Sil
на замовлення 13370 шт:
термін постачання 77-86 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 45.41 грн |
10+ | 37.51 грн |
100+ | 23.51 грн |
500+ | 19.79 грн |
1000+ | 18.6 грн |
1920+ | 15.74 грн |
BD138G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1500+ | 23.9 грн |
BD138G |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - BD138G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-225, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-225
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 72.43 грн |
13+ | 60.36 грн |
100+ | 38.45 грн |
500+ | 29.82 грн |
1000+ | 20.69 грн |
BD138G |
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP
Bipolar Transistors - BJT 1.5A 60V 12.5W PNP
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.39 грн |
10+ | 54.77 грн |
100+ | 33.01 грн |
500+ | 27.5 грн |
1000+ | 20.86 грн |
3000+ | 20.72 грн |
BD138G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BD138G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 45.07 грн |
14+ | 41.19 грн |
100+ | 31.89 грн |
500+ | 26.82 грн |
1000+ | 20.03 грн |
BD138G |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 25.57 грн |
BD138G |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 1127 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 59.64 грн |
10+ | 49.96 грн |
100+ | 34.58 грн |
500+ | 27.12 грн |
1000+ | 23.08 грн |
BD139 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 25...250
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 80V
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 25...250
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 80V
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 25.34 грн |
30+ | 11.69 грн |
50+ | 9.55 грн |
96+ | 8.5 грн |
262+ | 8.05 грн |
1000+ | 7.89 грн |
BD139 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 25...250
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 25...250
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 30.4 грн |
18+ | 14.57 грн |
50+ | 11.46 грн |
96+ | 10.2 грн |
262+ | 9.66 грн |
1000+ | 9.47 грн |
BD139 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: STMICROELECTRONICS - BD139 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7409 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 50.22 грн |
18+ | 42.92 грн |
100+ | 26.45 грн |
500+ | 20.55 грн |
1000+ | 13.54 грн |
5000+ | 13.29 грн |
BD139 |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
Bipolar Transistors - BJT NPN Audio Amplifier
на замовлення 8391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.83 грн |
14+ | 22.38 грн |
100+ | 14.55 грн |
500+ | 12.16 грн |
1000+ | 12.02 грн |
BD139 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 476 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 27.3 грн |
50+ | 21.03 грн |
100+ | 15.62 грн |
BD139 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor NPN; 250; 1,25W; 80V; 1,5A; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BD139-ST; BD139-CDI; BD139G; BD139 JSMICRO TBD139 JSM
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 5.78 грн |
BD139 |
Виробник: ST
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
NPN 1,5A 80V 12,5W 40 < beta < 250 Alternative:BD140 BD139 TBD139
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 676 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 7.86 грн |
BD139-10 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 63...160
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 80V
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 63...160
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 80V
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 25.34 грн |
18+ | 19.51 грн |
50+ | 14.6 грн |
89+ | 9.12 грн |
245+ | 8.62 грн |
1000+ | 8.3 грн |
BD139-10 |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 1,25; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; Тип монт. = вивідний; hFE = 40 @ 150 мA, 2 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 50 мA, 500 мA; Тексп, °С = -65...+150; SOT-32-3 (TO-126-3)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 36.71 грн |
100+ | 6.24 грн |
BD139-10 |
Виробник: STMicroelectronics
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 63...160
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 1.5A; 12.5W; SOT32
Case: SOT32
Mounting: THT
Kind of package: tube
Current gain: 63...160
Power dissipation: 12.5W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: NPN
Frequency: 50MHz
Collector current: 1.5A
Collector-emitter voltage: 80V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1238 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 30.4 грн |
11+ | 24.32 грн |
50+ | 17.52 грн |
89+ | 10.94 грн |
245+ | 10.35 грн |
1000+ | 9.96 грн |
BD139-10 |
Виробник: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MULTICOMP PRO - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 12.5 W, TO-126, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 63hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5W
Bauform - Transistor: TO-126
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 31.97 грн |
30+ | 25.56 грн |
100+ | 18.26 грн |
500+ | 11.9 грн |
1000+ | 7.86 грн |
BD139-10 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 9828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
506+ | 23.02 грн |
752+ | 15.5 грн |
880+ | 13.24 грн |
1095+ | 10.26 грн |
2000+ | 8.21 грн |
BD139-10 |
Виробник: STMicroelectronics
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
Description: TRANS NPN 80V 1.5A SOT32
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V
Supplier Device Package: SOT-32
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1.25 W
на замовлення 899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 27.3 грн |
50+ | 21.34 грн |
100+ | 15.85 грн |
500+ | 11.62 грн |
BD139-10 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
44+ | 7.11 грн |
BD139-10 |
Виробник: STMicroelectronics
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon Trnsistr
на замовлення 9826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.53 грн |
14+ | 22.99 грн |
100+ | 14.81 грн |
500+ | 11.69 грн |
1000+ | 9.9 грн |
2000+ | 8.37 грн |
10000+ | 7.51 грн |
BD139-10 |
Виробник: STMicroelectronics
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube
на замовлення 9836 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 27.26 грн |
27+ | 21.52 грн |
100+ | 14.47 грн |
500+ | 11.92 грн |
1000+ | 8.87 грн |
2000+ | 7.36 грн |
BD139-10 |
Виробник: STMICROELECTRONICS
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
Description: STMICROELECTRONICS - BD139-10 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 80 V, 1.5 A, 1.25 W, SOT-32, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 1.5A
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-32
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
на замовлення 7008 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 33.23 грн |
30+ | 25.34 грн |
100+ | 14.98 грн |
500+ | 11.28 грн |
1000+ | 8.24 грн |
5000+ | 8.05 грн |
BD139-10 |
Виробник: ST
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube BD139-10 STM TBD13910 STM
кількість в упаковці: 50 шт
Trans GP BJT NPN 80V 1.5A 1250mW 3-Pin(3+Tab) SOT-32 Tube BD139-10 STM TBD13910 STM
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 9.47 грн |
BD139-10STU |
Виробник: STMicroelectronics
Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
Транзистор NPN; Uceo, В = 80; Ic = 1,5 А; hFE = 63; Р, Вт = 12,5; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = вивідний; ізольований; TO-126ISO
на замовлення 100 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
51+ | 12.36 грн |
55+ | 11.53 грн |
100+ | 10.7 грн |