Результат пошуку "bsp2" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 387
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 446
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 355
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 22
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 49
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 19
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 15
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 1000
Мінімальне замовлення: 11
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
BSP-204-B |
Category: 4mm Banana Plugs Description: Plug; 4mm banana; 32A; 30VAC; 60VDC; black; 68.3mm; nickel plated Material: brass Colour: black Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover Overall length: 68.3mm Rated voltage: 30V AC; 60V DC Insulator material: polyamide Contact plating: nickel plated Mounting: on cable Connector: plug Type of connector: 4mm banana Current rating: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1769 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSP-204-R |
Category: 4mm Banana Plugs Description: Plug; 4mm banana; 32A; 30VAC; 60VDC; red; 68.3mm; nickel plated Material: brass Colour: red Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover Overall length: 68.3mm Rated voltage: 30V AC; 60V DC Insulator material: polyamide Contact plating: nickel plated Mounting: on cable Connector: plug Type of connector: 4mm banana Current rating: 32A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 945 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
BSP-226769-01 | Samtec | High Speed/Modular Connectors XCede HD 1.80 mm High-Density Backplane Right-Angle Receptacle |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP-226769-01 | Samtec Inc. |
Description: XCEDE HD DAUGHTER CARD ASSEMBLY Packaging: Bulk Connector Type: Receptacle, Female Sockets and Blade Sockets Mounting Type: Through Hole, Right Angle Pitch: 0.071" (1.80mm) Connector Usage: Daughtercard Connector Style: XCede® Part Status: Active |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP220,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -220V Drain current: -0.225A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP220,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -220V Drain current: -0.225A On-state resistance: 12Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1455 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP220,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
на замовлення 6521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP220,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP220,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85423990 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP220,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.225A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223 Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -250V Drain current: -0.225A On-state resistance: 15Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 639 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 4141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 4141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | MOSFET BSP225/SOT223/SC-73 |
на замовлення 8993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP225,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
на замовлення 7834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP230,135 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -300V; -210mA; Idm: -0.75A; 1.5W Mounting: SMD Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -0.75A Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -300V Drain current: -210mA On-state resistance: 17Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 863 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP230,135 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -300V; -210mA; Idm: -0.75A; 1.5W Mounting: SMD Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -0.75A Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -300V Drain current: -210mA On-state resistance: 17Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.5W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 863 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP230,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
BSP230,135 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V |
на замовлення 2517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP230,135 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Mounting: SMD Gate charge: 25nC Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape |
на замовлення 1422 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W Mounting: SMD Gate charge: 25nC Technology: DMOS Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: -12A Case: SC73; SOT223 Drain-source voltage: -30V Drain current: -3A On-state resistance: 0.4Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 1.65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1422 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
на замовлення 23257 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | MOSFET BSP250/SOT223/SC-73 |
на замовлення 3690 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 106000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | Nexperia | Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 5W Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 12584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,115 | NXP |
P-MOSFET 3A 30V 1.65W 0.25Ω BSP250 TBSP250 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 985 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,135 | Nexperia | MOSFET BSP250/SOT223/SC-73 |
на замовлення 14875 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,135 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
на замовлення 119154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP250,135 | Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V |
на замовлення 116000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP295 H6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3 |
на замовлення 26276 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSP295H6327XTSA1 | INFINEON |
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 6892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
BSP-204-B |
Category: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; 30VAC; 60VDC; black; 68.3mm; nickel plated
Material: brass
Colour: black
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Overall length: 68.3mm
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Insulator material: polyamide
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Current rating: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Description: Plug; 4mm banana; 32A; 30VAC; 60VDC; black; 68.3mm; nickel plated
Material: brass
Colour: black
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Overall length: 68.3mm
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Insulator material: polyamide
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Current rating: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1769 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.67 грн |
5+ | 80.19 грн |
15+ | 68.09 грн |
39+ | 64.77 грн |
100+ | 62.27 грн |
BSP-204-R |
Category: 4mm Banana Plugs
Description: Plug; 4mm banana; 32A; 30VAC; 60VDC; red; 68.3mm; nickel plated
Material: brass
Colour: red
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Overall length: 68.3mm
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Insulator material: polyamide
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Current rating: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
Description: Plug; 4mm banana; 32A; 30VAC; 60VDC; red; 68.3mm; nickel plated
Material: brass
Colour: red
Connector variant: insulated; with 4mm axial socket; with sliding cover
Overall length: 68.3mm
Rated voltage: 30V AC; 60V DC
Insulator material: polyamide
Contact plating: nickel plated
Mounting: on cable
Connector: plug
Type of connector: 4mm banana
Current rating: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 945 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 112.67 грн |
5+ | 80.19 грн |
15+ | 68.09 грн |
39+ | 64.77 грн |
100+ | 62.27 грн |
BSP-226769-01 |
Виробник: Samtec
High Speed/Modular Connectors XCede HD 1.80 mm High-Density Backplane Right-Angle Receptacle
High Speed/Modular Connectors XCede HD 1.80 mm High-Density Backplane Right-Angle Receptacle
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2136.59 грн |
10+ | 1986.13 грн |
28+ | 1546.39 грн |
56+ | 1545.73 грн |
112+ | 1526.47 грн |
252+ | 1481.3 грн |
504+ | 1434.13 грн |
BSP-226769-01 |
Виробник: Samtec Inc.
Description: XCEDE HD DAUGHTER CARD ASSEMBLY
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets and Blade Sockets
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Pitch: 0.071" (1.80mm)
Connector Usage: Daughtercard
Connector Style: XCede®
Part Status: Active
Description: XCEDE HD DAUGHTER CARD ASSEMBLY
Packaging: Bulk
Connector Type: Receptacle, Female Sockets and Blade Sockets
Mounting Type: Through Hole, Right Angle
Pitch: 0.071" (1.80mm)
Connector Usage: Daughtercard
Connector Style: XCede®
Part Status: Active
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2244.75 грн |
10+ | 1893.2 грн |
25+ | 1811.4 грн |
BSP220,115 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 64.83 грн |
12+ | 29.06 грн |
25+ | 26.09 грн |
38+ | 21.44 грн |
103+ | 20.27 грн |
BSP220,115 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -220V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -220V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 12Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1455 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.79 грн |
8+ | 36.21 грн |
25+ | 31.3 грн |
38+ | 25.72 грн |
103+ | 24.32 грн |
BSP220,115 |
Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 15.5 грн |
BSP220,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 29.92 грн |
21+ | 28.15 грн |
25+ | 27.96 грн |
100+ | 23.46 грн |
250+ | 21.51 грн |
500+ | 19.08 грн |
1000+ | 15.05 грн |
BSP220,115 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 6521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 56.05 грн |
10+ | 46.91 грн |
100+ | 32.45 грн |
500+ | 25.45 грн |
BSP220,115 |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 59.91 грн |
16+ | 46.95 грн |
50+ | 34.87 грн |
200+ | 28.23 грн |
BSP220,115 |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BSP220,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85423990
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 34.87 грн |
200+ | 28.23 грн |
BSP220,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
387+ | 30.12 грн |
445+ | 26.2 грн |
449+ | 25.94 грн |
500+ | 23.12 грн |
1000+ | 16.88 грн |
BSP220,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 17.88 грн |
BSP220,115 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 200V 225MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 18.54 грн |
BSP220,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 200V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 16.68 грн |
BSP225,115 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 49.93 грн |
12+ | 29.48 грн |
25+ | 26.5 грн |
36+ | 22.86 грн |
97+ | 21.62 грн |
500+ | 21.03 грн |
BSP225,115 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -250V; -0.225A; 1.5W; SC73,SOT223
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -250V
Drain current: -0.225A
On-state resistance: 15Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 639 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 59.91 грн |
8+ | 36.73 грн |
25+ | 31.8 грн |
36+ | 27.43 грн |
97+ | 25.94 грн |
500+ | 25.24 грн |
BSP225,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 17.53 грн |
2000+ | 17.35 грн |
BSP225,115 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 18.27 грн |
2000+ | 15.67 грн |
5000+ | 14.85 грн |
BSP225,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 45.07 грн |
17+ | 35.96 грн |
25+ | 30.54 грн |
100+ | 28.83 грн |
250+ | 26.13 грн |
500+ | 24.54 грн |
1000+ | 24 грн |
3000+ | 23.46 грн |
BSP225,115 |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 58.64 грн |
18+ | 42.77 грн |
50+ | 33.53 грн |
200+ | 30.51 грн |
500+ | 27.59 грн |
BSP225,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
446+ | 26.16 грн |
551+ | 21.16 грн |
688+ | 16.94 грн |
1000+ | 15.34 грн |
BSP225,115 |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 28.54 грн |
3000+ | 27.94 грн |
BSP225,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 4141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
355+ | 32.89 грн |
362+ | 32.2 грн |
370+ | 31.52 грн |
500+ | 29.74 грн |
1000+ | 26.92 грн |
3000+ | 25.26 грн |
BSP225,115 |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BSP225,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 250 V, 200 mA, 10 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 250V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 33.53 грн |
200+ | 30.51 грн |
500+ | 27.59 грн |
BSP225,115 |
Виробник: Nexperia
MOSFET BSP225/SOT223/SC-73
MOSFET BSP225/SOT223/SC-73
на замовлення 8993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.11 грн |
10+ | 36.36 грн |
100+ | 23.58 грн |
500+ | 19.79 грн |
1000+ | 16.34 грн |
2000+ | 14.88 грн |
5000+ | 13.75 грн |
BSP225,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
22+ | 27.09 грн |
24+ | 24.29 грн |
100+ | 19.65 грн |
500+ | 15.16 грн |
1000+ | 13.19 грн |
BSP225,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 16.34 грн |
2000+ | 16.18 грн |
BSP225,115 |
Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 250V 0.225A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 15.11 грн |
BSP225,115 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 250V 225MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 7834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 43.11 грн |
10+ | 35.77 грн |
100+ | 24.75 грн |
500+ | 19.4 грн |
BSP230,135 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -300V; -210mA; Idm: -0.75A; 1.5W
Mounting: SMD
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.75A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -300V
Drain current: -210mA
On-state resistance: 17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -300V; -210mA; Idm: -0.75A; 1.5W
Mounting: SMD
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.75A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -300V
Drain current: -210mA
On-state resistance: 17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 56.63 грн |
11+ | 33.21 грн |
25+ | 25.12 грн |
42+ | 19.18 грн |
115+ | 18.14 грн |
BSP230,135 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -300V; -210mA; Idm: -0.75A; 1.5W
Mounting: SMD
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.75A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -300V
Drain current: -210mA
On-state resistance: 17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -300V; -210mA; Idm: -0.75A; 1.5W
Mounting: SMD
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -0.75A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -300V
Drain current: -210mA
On-state resistance: 17Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.5W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 863 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 67.96 грн |
7+ | 41.39 грн |
25+ | 30.14 грн |
42+ | 23.02 грн |
115+ | 21.77 грн |
BSP230,135 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)BSP230,135 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 300V 210MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17Ohm @ 170mA, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.55V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 2517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 43.83 грн |
10+ | 35.98 грн |
100+ | 25.01 грн |
500+ | 18.32 грн |
1000+ | 14.89 грн |
2000+ | 13.32 грн |
BSP230,135 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 300V 0.21A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
49+ | 11.86 грн |
BSP250,115 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 57.38 грн |
10+ | 35.84 грн |
25+ | 27.05 грн |
38+ | 21.53 грн |
103+ | 20.36 грн |
BSP250,115 |
Виробник: NEXPERIA
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; Idm: -12A; 1.65W
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Technology: DMOS
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -12A
Case: SC73; SOT223
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
On-state resistance: 0.4Ω
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 1.65W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1422 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 68.85 грн |
6+ | 44.66 грн |
25+ | 32.47 грн |
38+ | 25.84 грн |
103+ | 24.43 грн |
BSP250,115 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 18.28 грн |
2000+ | 15.68 грн |
5000+ | 14.86 грн |
10000+ | 12.91 грн |
BSP250,115 |
Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 15.11 грн |
BSP250,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 25.59 грн |
25+ | 23.96 грн |
100+ | 18.54 грн |
BSP250,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 16.22 грн |
BSP250,115 |
Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
19+ | 16.58 грн |
BSP250,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 15.78 грн |
5000+ | 14.52 грн |
BSP250,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 18.71 грн |
BSP250,115 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 23257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 43.11 грн |
10+ | 35.77 грн |
100+ | 24.76 грн |
500+ | 19.42 грн |
BSP250,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 15.06 грн |
BSP250,115 |
Виробник: Nexperia
MOSFET BSP250/SOT223/SC-73
MOSFET BSP250/SOT223/SC-73
на замовлення 3690 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 52.62 грн |
10+ | 39.19 грн |
100+ | 27.9 грн |
1000+ | 23.71 грн |
2000+ | 23.65 грн |
5000+ | 14.88 грн |
BSP250,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 106000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 16.93 грн |
5000+ | 15.56 грн |
BSP250,115 |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 16.32 грн |
3000+ | 15.65 грн |
BSP250,115 |
Виробник: Nexperia
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
Trans MOSFET P-CH 30V 3A 4-Pin(3+Tab) SC-73 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 17.38 грн |
BSP250,115 |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 27.05 грн |
200+ | 23.11 грн |
500+ | 19.42 грн |
BSP250,115 |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: NEXPERIA - BSP250,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1 A, 0.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 12584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 51.79 грн |
18+ | 43.07 грн |
50+ | 27.05 грн |
200+ | 23.11 грн |
500+ | 19.42 грн |
BSP250,115 |
на замовлення 985 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 22.01 грн |
BSP250,135 |
Виробник: Nexperia
MOSFET BSP250/SOT223/SC-73
MOSFET BSP250/SOT223/SC-73
на замовлення 14875 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 46.11 грн |
10+ | 39.19 грн |
100+ | 23.58 грн |
500+ | 19.79 грн |
1000+ | 17.4 грн |
4000+ | 14.75 грн |
8000+ | 14.22 грн |
BSP250,135 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 119154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 30.18 грн |
12+ | 25.12 грн |
100+ | 17.4 грн |
500+ | 13.64 грн |
1000+ | 12.78 грн |
BSP250,135 |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 30V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.65W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 20 V
на замовлення 116000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 14.14 грн |
BSP295 H6327 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
MOSFET N-Ch 60V 1.8A SOT-223-3
на замовлення 26276 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 67.03 грн |
10+ | 58.29 грн |
100+ | 34.54 грн |
500+ | 28.83 грн |
1000+ | 24.51 грн |
2000+ | 22.25 грн |
5000+ | 20.66 грн |
BSP295H6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 18.13 грн |
2000+ | 17.54 грн |
BSP295H6327XTSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans MOSFET N-CH 60V 1.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 23.08 грн |
2000+ | 21.1 грн |
5000+ | 20.3 грн |
10000+ | 18.88 грн |
BSP295H6327XTSA1 |
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: INFINEON - BSP295H6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.8 A, 0.22 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 72.73 грн |
14+ | 57.3 грн |
50+ | 40.91 грн |
200+ | 35.15 грн |
500+ | 29.76 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]