Результат пошуку "dn25" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 80
Мінімальне замовлення: 2000
Мінімальне замовлення: 143
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 11
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 10
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5000
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DN2540N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Verarmungstyp, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V |
на замовлення 14194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2540N8-G | MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Verarmungstyp, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 400V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 5793 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DN2535 | SI |
на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
DN2540N5 | SUPERTEX | 96+ QFN |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
AT25DN256-MAHF-T | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC FLASH 256KBIT SPI 8UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V Technology: FLASH Clock Frequency: 104 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-UDFN (2x3) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 8µs, 1.75ms Memory Interface: SPI Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 2557 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AT25DN256-SSHF-T | Renesas / Dialog | NOR Flash 256 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash |
на замовлення 7223 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AT25DN256-XMHF-B | RENESAS |
Category: Serial FLASH memories - integrated circ. Description: IC: FLASH memory; 256kbFLASH; Dual-Output Read,SPI; 104MHz; tube Mounting: SMD Manufacturer series: Fusion Operating voltage: 2.3...3.6V Information: Product is not designed for and should not be used in connection with any applications where the failure of such product would reasonably be expected to result in significant personal injury or death. It is not allowed to use any commercial or industrial Kind of interface: serial Memory: 256kb FLASH Case: TSSOP8 Type of integrated circuit: FLASH memory Interface: Dual-Output Read; SPI Clock frequency: 104MHz Kind of package: tube |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AT25DN256-XMHF-B | ADESTO | AT25DN256-XMHFB Serial FLASH memories - integrated circ. |
на замовлення 100 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AT25DN256-XMHF-B | Renesas / Dialog | NOR Flash 256 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Single, Dual SPI NOR flash |
на замовлення 2579 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
AT25DN256-XMHF-T | Renesas Electronics Corporation |
Description: IC FLASH 256KBIT SPI 8TSSOP Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V Technology: FLASH Clock Frequency: 104 MHz Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 8-TSSOP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 8µs, 1.75ms Memory Interface: SPI Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC16DN25NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 17785 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
на замовлення 5679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSC16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 9928 шт: термін постачання 147-156 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ16DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V |
на замовлення 6078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 10874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3 |
на замовлення 27381 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
BSZ42DN25NS3GATMA1 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V |
на замовлення 22581 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MK51DN256CMD10 | NXP USA Inc. |
Description: IC MCU 32B 256KB FLASH 144MAPBGA Packaging: Tray Package / Case: 144-LBGA Mounting Type: Surface Mount Speed: 100MHz Program Memory Size: 256KB (256K x 8) RAM Size: 64K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH Core Processor: ARM® Cortex®-M4 Data Converters: A/D 41x16b; D/A 2x12b Core Size: 32-Bit Single-Core Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V Connectivity: EBI/EMI, I2C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG Peripherals: DMA, I2S, LCD, LVD, POR, PWM, WDT Supplier Device Package: 144-MAPBGA (13x13) Part Status: Active Number of I/O: 94 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MK60DN256VLL10 | NXP USA Inc. |
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP Packaging: Tray Package / Case: 100-LQFP Mounting Type: Surface Mount Speed: 100MHz Program Memory Size: 256KB (256K x 8) RAM Size: 64K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH Core Processor: ARM® Cortex®-M4 Data Converters: A/D 33x16b; D/A 1x12b Core Size: 32-Bit Single-Core Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14) Part Status: Active Number of I/O: 66 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MK60DN256VLL10 | NXP Semiconductors | ARM Microcontrollers - MCU Kinetis 256K |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MK60DN256VMD10 | NXP USA Inc. |
Description: IC MCU 32B 256KB FLASH 144MAPBGA Packaging: Tray Package / Case: 144-LBGA Mounting Type: Surface Mount Speed: 100MHz Program Memory Size: 256KB (256K x 8) RAM Size: 64K x 8 Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA) Oscillator Type: Internal Program Memory Type: FLASH Core Processor: ARM® Cortex®-M4 Data Converters: A/D 42x16b; D/A 2x12b Core Size: 32-Bit Single-Core Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT Supplier Device Package: 144-MAPBGA (13x13) Part Status: Active Number of I/O: 100 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
MK60DN256VMD10 | NXP Semiconductors | ARM Microcontrollers - MCU Kinetis 256K |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
SMDN-25G | Chip Quik Inc. |
Description: DISPENSING NEEDLES / SYRINGE TIP Packaging: Bulk Type: Dispenser Needle, Tip Tip Type: Needle Tip Gauge: 25 Number of Pieces: 100 Part Status: Active |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
14DN258A | FEVTI | DIP64 |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ADN2525ACPZ |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ADN2525ACPZ-R7 | ADI |
на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
ADN2526ACPZ | LFCSP | 2011+ |
на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ADN2526XCPZ | AD | 0837+ |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
ADN2530Y |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
ADN2530YCPZ | ADI |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
NDN256W3A2BN6 | ST | 06+ |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NDN256W3A2BN6 | ST | 06+ |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NDN256W3A2BN6 | ST | TSOP |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UDN2540 |
на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
UDN2540B | ALLEGRO |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
UDN2540B | ALLEGRO | DIP |
на замовлення 1432 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UDN2541B |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
UDN2543 |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
UDN2543A | ALLEGRO | DIP |
на замовлення 870 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UDN2543B | ALLEGRO |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
UDN2543B | ALLEGRO | 01+ DIP16 |
на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UDN2543B | ALLEGRO | 09+ |
на замовлення 798 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UDN2543B | ALL | 8727+ |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UDN2543B | ALLEGRO | DIP |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UDN2543BT |
на замовлення 2191 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
UDN2544 | ALLEGRO | N/A DIP16 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
UDN2544A |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||
UDN2544B | ALLEGRO |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
UDN2544B | ALLEGRO | DIP |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
DN2540N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 146.34 грн |
82+ | 143.01 грн |
100+ | 136.23 грн |
250+ | 127.55 грн |
DN2540N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 53.52 грн |
DN2540N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
143+ | 82.4 грн |
144+ | 81.59 грн |
147+ | 79.72 грн |
151+ | 75.07 грн |
250+ | 67.84 грн |
500+ | 63.53 грн |
1000+ | 61.92 грн |
DN2540N8-G |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Verarmungstyp, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MICROCHIP - DN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Verarmungstyp, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 61.72 грн |
DN2540N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 80.47 грн |
DN2540N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans MOSFET N-CH Si 400V 0.17A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 76.51 грн |
10+ | 75.76 грн |
25+ | 74.03 грн |
100+ | 69.71 грн |
250+ | 62.99 грн |
500+ | 58.99 грн |
1000+ | 57.5 грн |
DN2540N8-G |
Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 170MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 120mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Tc)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 25 V
на замовлення 14194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 70.73 грн |
25+ | 57.33 грн |
100+ | 51.53 грн |
DN2540N8-G |
Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Verarmungstyp, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: MICROCHIP - DN2540N8-G - Leistungs-MOSFET, Verarmungstyp, n-Kanal, 400 V, 170 mA, 17 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5793 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 73.06 грн |
25+ | 67.43 грн |
100+ | 61.72 грн |
AT25DN256-MAHF-T |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC FLASH 256KBIT SPI 8UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: FLASH
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-UDFN (2x3)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8µs, 1.75ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC FLASH 256KBIT SPI 8UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: FLASH
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-UDFN (2x3)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8µs, 1.75ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 2557 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 37.87 грн |
10+ | 35.5 грн |
25+ | 32.94 грн |
50+ | 30.75 грн |
100+ | 27.31 грн |
250+ | 26.96 грн |
500+ | 26.12 грн |
1000+ | 25.42 грн |
AT25DN256-SSHF-T |
Виробник: Renesas / Dialog
NOR Flash 256 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash
NOR Flash 256 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, SOIC-N 150mil (Tape & Reel), Single, Dual SPI NOR flash
на замовлення 7223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 29.36 грн |
12+ | 26.74 грн |
100+ | 19.82 грн |
500+ | 19.55 грн |
1000+ | 18.96 грн |
4000+ | 17.44 грн |
8000+ | 15.92 грн |
AT25DN256-XMHF-B |
Виробник: RENESAS
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 256kbFLASH; Dual-Output Read,SPI; 104MHz; tube
Mounting: SMD
Manufacturer series: Fusion
Operating voltage: 2.3...3.6V
Information: Product is not designed for and should not be used in connection with any applications where the failure of such product would reasonably be expected to result in significant personal injury or death. It is not allowed to use any commercial or industrial
Kind of interface: serial
Memory: 256kb FLASH
Case: TSSOP8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: Dual-Output Read; SPI
Clock frequency: 104MHz
Kind of package: tube
Category: Serial FLASH memories - integrated circ.
Description: IC: FLASH memory; 256kbFLASH; Dual-Output Read,SPI; 104MHz; tube
Mounting: SMD
Manufacturer series: Fusion
Operating voltage: 2.3...3.6V
Information: Product is not designed for and should not be used in connection with any applications where the failure of such product would reasonably be expected to result in significant personal injury or death. It is not allowed to use any commercial or industrial
Kind of interface: serial
Memory: 256kb FLASH
Case: TSSOP8
Type of integrated circuit: FLASH memory
Interface: Dual-Output Read; SPI
Clock frequency: 104MHz
Kind of package: tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 49.64 грн |
10+ | 44.72 грн |
25+ | 43.35 грн |
50+ | 41.28 грн |
AT25DN256-XMHF-B |
Виробник: ADESTO
AT25DN256-XMHFB Serial FLASH memories - integrated circ.
AT25DN256-XMHFB Serial FLASH memories - integrated circ.
на замовлення 100 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 62.24 грн |
18+ | 53.67 грн |
50+ | 50.36 грн |
AT25DN256-XMHF-B |
Виробник: Renesas / Dialog
NOR Flash 256 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Single, Dual SPI NOR flash
NOR Flash 256 Kbit, 3.0V (2.3V to 3.6V), -40C to 85C, TSSOP (Tube), Single, Dual SPI NOR flash
на замовлення 2579 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 32.13 грн |
100+ | 22.85 грн |
500+ | 20.48 грн |
10000+ | 19.68 грн |
AT25DN256-XMHF-T |
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: IC FLASH 256KBIT SPI 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: FLASH
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8µs, 1.75ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC FLASH 256KBIT SPI 8TSSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC)
Voltage - Supply: 2.3V ~ 3.6V
Technology: FLASH
Clock Frequency: 104 MHz
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 8-TSSOP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 8µs, 1.75ms
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 32.15 грн |
10+ | 30.14 грн |
25+ | 27.99 грн |
50+ | 26.14 грн |
100+ | 23.21 грн |
250+ | 22.91 грн |
500+ | 22.2 грн |
1000+ | 21.61 грн |
BSC16DN25NS3 G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 17785 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 153.35 грн |
10+ | 120.77 грн |
100+ | 86.53 грн |
250+ | 85.21 грн |
500+ | 73.98 грн |
1000+ | 59.25 грн |
2500+ | 58.92 грн |
BSC16DN25NS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 5679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 142.9 грн |
10+ | 114.49 грн |
100+ | 91.12 грн |
500+ | 72.36 грн |
1000+ | 61.39 грн |
2000+ | 58.33 грн |
BSC16DN25NS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-5
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 62.11 грн |
BSZ16DN25NS3 G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 9928 шт:
термін постачання 147-156 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 151.81 грн |
10+ | 125.33 грн |
100+ | 85.87 грн |
250+ | 79.92 грн |
500+ | 72.66 грн |
1000+ | 62.02 грн |
2500+ | 58.98 грн |
BSZ16DN25NS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 250V 10.9A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 152.58 грн |
10+ | 125.33 грн |
100+ | 86.53 грн |
250+ | 83.88 грн |
500+ | 73.98 грн |
1000+ | 59.05 грн |
5000+ | 57.13 грн |
BSZ16DN25NS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 61.87 грн |
BSZ16DN25NS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 32µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 100 V
на замовлення 6078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 142.18 грн |
10+ | 114.01 грн |
100+ | 90.77 грн |
500+ | 72.08 грн |
1000+ | 61.16 грн |
2000+ | 58.1 грн |
BSZ42DN25NS3 G |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 10874 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 100.95 грн |
10+ | 82.04 грн |
100+ | 55.28 грн |
500+ | 46.83 грн |
1000+ | 38.18 грн |
2500+ | 35.93 грн |
5000+ | 34.15 грн |
BSZ42DN25NS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8
N-канальний ПТ; Udss, В = 250; Id = 5 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 430 @ 100; Qg, нКл = 5,5 @ 10 В; Rds = 425 мОм @ 2,5 A, 10 В; Ugs(th) = 4 В @ 13 мкА; Р, Вт = 33,8; Тексп, °C = -55...+150; Тип монт. = smd; PG-TSDSON-8
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 124.8 грн |
10+ | 108.97 грн |
100+ | 101.18 грн |
BSZ42DN25NS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5000+ | 37.23 грн |
10000+ | 34.2 грн |
BSZ42DN25NS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
MOSFET N-Ch 250V 5A TDSON-8 OptiMOS 3
на замовлення 27381 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 100.95 грн |
10+ | 77.48 грн |
100+ | 53.7 грн |
500+ | 45.31 грн |
1000+ | 35.87 грн |
2500+ | 35.34 грн |
5000+ | 34.15 грн |
BSZ42DN25NS3GATMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 250V 5A TSDSON-8
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 425mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 13µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 100 V
на замовлення 22581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 94.31 грн |
10+ | 74.45 грн |
100+ | 57.92 грн |
500+ | 46.07 грн |
1000+ | 37.53 грн |
2000+ | 35.33 грн |
MK51DN256CMD10 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC MCU 32B 256KB FLASH 144MAPBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 41x16b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, I2C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG
Peripherals: DMA, I2S, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-MAPBGA (13x13)
Part Status: Active
Number of I/O: 94
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 32B 256KB FLASH 144MAPBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 41x16b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
Connectivity: EBI/EMI, I2C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG
Peripherals: DMA, I2S, LCD, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-MAPBGA (13x13)
Part Status: Active
Number of I/O: 94
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1194.64 грн |
10+ | 919.14 грн |
160+ | 776.25 грн |
480+ | 724.01 грн |
MK60DN256VLL10 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 33x16b; D/A 1x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 66
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 32BIT 256KB FLASH 100LQFP
Packaging: Tray
Package / Case: 100-LQFP
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 33x16b; D/A 1x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 100-LQFP (14x14)
Part Status: Active
Number of I/O: 66
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1012.44 грн |
10+ | 778.71 грн |
90+ | 657.64 грн |
MK60DN256VLL10 |
Виробник: NXP Semiconductors
ARM Microcontrollers - MCU Kinetis 256K
ARM Microcontrollers - MCU Kinetis 256K
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1084.23 грн |
10+ | 721.61 грн |
250+ | 623.52 грн |
450+ | 587.85 грн |
2700+ | 560.11 грн |
5400+ | 559.45 грн |
10350+ | 557.47 грн |
MK60DN256VMD10 |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: IC MCU 32B 256KB FLASH 144MAPBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 42x16b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-MAPBGA (13x13)
Part Status: Active
Number of I/O: 100
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IC MCU 32B 256KB FLASH 144MAPBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 144-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: 100MHz
Program Memory Size: 256KB (256K x 8)
RAM Size: 64K x 8
Operating Temperature: -40°C ~ 105°C (TA)
Oscillator Type: Internal
Program Memory Type: FLASH
Core Processor: ARM® Cortex®-M4
Data Converters: A/D 42x16b; D/A 2x12b
Core Size: 32-Bit Single-Core
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 1.71V ~ 3.6V
Connectivity: CANbus, EBI/EMI, Ethernet, I2C, IrDA, SD, SPI, UART/USART, USB, USB OTG
Peripherals: DMA, I2S, LVD, POR, PWM, WDT
Supplier Device Package: 144-MAPBGA (13x13)
Part Status: Active
Number of I/O: 100
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1124.61 грн |
10+ | 865.41 грн |
160+ | 730.9 грн |
480+ | 681.72 грн |
MK60DN256VMD10 |
Виробник: NXP Semiconductors
ARM Microcontrollers - MCU Kinetis 256K
ARM Microcontrollers - MCU Kinetis 256K
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1196.74 грн |
10+ | 882.64 грн |
100+ | 688.25 грн |
250+ | 679.67 грн |
500+ | 679 грн |
800+ | 672.4 грн |
SMDN-25G |
Виробник: Chip Quik Inc.
Description: DISPENSING NEEDLES / SYRINGE TIP
Packaging: Bulk
Type: Dispenser Needle, Tip
Tip Type: Needle Tip
Gauge: 25
Number of Pieces: 100
Part Status: Active
Description: DISPENSING NEEDLES / SYRINGE TIP
Packaging: Bulk
Type: Dispenser Needle, Tip
Tip Type: Needle Tip
Gauge: 25
Number of Pieces: 100
Part Status: Active
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1334.68 грн |