Результат пошуку "fgh4" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
FGH40N60SFD FGH40N60SFD
Код товару: 201597 		China fgh40n60sfd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 67 шт
1+135 грн
10+ 124 грн
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU) FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Код товару: 79400 		FAIR fgh40n60sfd.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 201 шт
очікується: 100 шт
1+165 грн
10+ 152 грн
100+ 139 грн
FGH40N60SMD FGH40N60SMD
Код товару: 63296 		FAIR/ON fgh40n60smd-d.pdf Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності: 129 шт
1+205 грн
10+ 186 грн
FGH40N60SFD Fairchaild IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
1+320.51 грн
10+ 267.86 грн
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU onsemi / Fairchild FGH40N60SFDTU_F085_D-2313336.pdf IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
1+405.8 грн
10+ 381.75 грн
25+ 276.74 грн
100+ 236.71 грн
450+ 210.49 грн
900+ 169.77 грн
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU ON Semiconductor fgh40n60sf-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.26 грн
10+ 267.44 грн
25+ 222.79 грн
100+ 172.11 грн
450+ 140.42 грн
900+ 134.2 грн
2700+ 133.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU onsemi fgh40n60sf-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+305.33 грн
FGH40N60SFTU FGH40N60SFTU Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0002366253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
122+173.35 грн
Мінімальне замовлення: 122
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI FGH40N60SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+376.25 грн
3+ 309.12 грн
4+ 268.86 грн
9+ 253.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMD FGH40N60SMD ONSEMI 1874910.pdf Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+384.77 грн
10+ 266.32 грн
100+ 203.61 грн
500+ 171.81 грн
1000+ 155.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60SMD FGH40N60SMD onsemi / Fairchild FGH40N60SMD_D-2313395.pdf IGBT Transistors 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 12115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+346.22 грн
10+ 286.51 грн
25+ 170.46 грн
100+ 162.18 грн
250+ 159.42 грн
450+ 155.97 грн
900+ 151.14 грн
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 onsemi fgh40n60smd_f085-d.pdf Description: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.95 грн
30+ 339.58 грн
120+ 303.82 грн
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 ON Semiconductor fgh40n60sm-f085jp-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 ON Semiconductor fgh40n60smd_f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+352.34 грн
Мінімальне замовлення: 34
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 onsemi / Fairchild FGH40N60SMD_F085_D-2313465.pdf IGBT Transistors 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+472.62 грн
10+ 429.36 грн
25+ 318.84 грн
100+ 289.16 грн
250+ 280.19 грн
450+ 255.35 грн
900+ 218.77 грн
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD-F085 ON Semiconductor fgh40n60smd_f085-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
300+328.21 грн
Мінімальне замовлення: 300
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI FGH40N60UFD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+335.22 грн
3+ 279.65 грн
4+ 214.95 грн
11+ 203.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+288.3 грн
25+ 254.13 грн
100+ 220.34 грн
450+ 192.35 грн
900+ 155.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ONSEMI 2303983.pdf Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+381.67 грн
10+ 272.51 грн
100+ 202.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU onsemi fgh40n60ufd-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.24 грн
30+ 248.85 грн
120+ 213.3 грн
510+ 177.93 грн
1020+ 152.35 грн
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU ON Semiconductor fgh40n60ufd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+321.69 грн
Мінімальне замовлення: 38
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFDTU onsemi / Fairchild FGH40N60UFD_D-2313363.pdf IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+357.49 грн
25+ 279.36 грн
100+ 207.73 грн
450+ 180.81 грн
900+ 160.8 грн
FGH40N65UFDTU ON-Semicoductor IGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+453.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+695.22 грн
2+ 445.71 грн
6+ 421.27 грн
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+834.26 грн
2+ 555.42 грн
6+ 505.52 грн
FGH40T120SMD FGH40T120SMD onsemi / Fairchild FGH40T120SMD_D-2313554.pdf IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+660.22 грн
10+ 557.94 грн
25+ 440.3 грн
100+ 404.42 грн
250+ 380.26 грн
FGH40T120SMD FGH40T120SMD onsemi fgh40t120smd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.38 грн
30+ 474.44 грн
120+ 424.5 грн
510+ 351.51 грн
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+620.86 грн
22+ 548.64 грн
26+ 475.45 грн
100+ 428.73 грн
250+ 329.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+578.33 грн
10+ 511.05 грн
25+ 442.87 грн
100+ 399.36 грн
250+ 306.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.02 грн
FGH40T120SMD ON-Semicoductor fgh40t120smd-d.pdf Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+460.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMD ON-Semicoductor fgh40t120smd-d.pdf Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+460.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMD-F155 ONSEMI FGH40T120SMD.pdf Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1183.73 грн
2+ 767.77 грн
4+ 726.07 грн
10+ 725.36 грн
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 onsemi / Fairchild FGH40T120SMD_D-2313554.pdf IGBT Transistors 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+661.03 грн
25+ 520.63 грн
250+ 405.11 грн
450+ 356.8 грн
900+ 336.78 грн
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ONSEMI 4097325.pdf Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 555W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1062.96 грн
5+ 972.38 грн
10+ 881.8 грн
50+ 773.52 грн
100+ 672.21 грн
250+ 608.51 грн
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 onsemi fgh40t120smd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.38 грн
30+ 474.51 грн
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+428.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+399.41 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD-F155 ON Semiconductor fgh40t120smd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
450+347.02 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4 ONSEMI 2619971.pdf Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+700.64 грн
5+ 603.09 грн
10+ 505.54 грн
50+ 450.74 грн
100+ 398.15 грн
250+ 374.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4 onsemi fgh40t120sqdnl4-d.pdf Description: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+619.62 грн
30+ 476.07 грн
120+ 425.96 грн
FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4 onsemi FGH40T120SQDNL4_D-2313179.pdf IGBT Transistors IGBT 1200V 40A UFS
на замовлення 450 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
1+662.64 грн
10+ 602.38 грн
25+ 447.2 грн
100+ 405.8 грн
250+ 392.68 грн
450+ 358.18 грн
900+ 307.8 грн
FGH40T65SHD-F155 onsemi / Fairchild FGH40T65SHD_D-2313426.pdf IGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.61 грн
10+ 234.13 грн
25+ 202.9 грн
100+ 200.14 грн
250+ 189.79 грн
450+ 145.62 грн
900+ 117.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHD-F155 FGH40T65SHD-F155 onsemi fgh40t65shd-d.pdf Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+263.53 грн
10+ 213.08 грн
450+ 153.25 грн
1350+ 123.14 грн
2250+ 115.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHDF-F155 FGH40T65SHDF-F155 onsemi fgh40t65shdf-d.pdf Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.29 грн
30+ 199.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHDF-F155 FGH40T65SHDF-F155 onsemi / Fairchild FGH40T65SHDF_D-2313337.pdf IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.19 грн
10+ 247.62 грн
25+ 189.79 грн
100+ 162.18 грн
250+ 128.36 грн
450+ 119.39 грн
900+ 116.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SPD-F085 ONSEMI ONSM-S-A0013933712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 267W
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: TO-247
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SPD-F155 FGH40T65SPD-F155 ON Semiconductor fgh40t65spd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD-F155 onsemi fgh40t65sqd-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+279.2 грн
30+ 212.72 грн
120+ 182.33 грн
510+ 152.1 грн
1020+ 130.23 грн
2010+ 122.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD-F155 onsemi FGH40T65SQD_D-2313467.pdf IGBT Transistors 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.71 грн
10+ 269.05 грн
25+ 202.9 грн
100+ 173.91 грн
250+ 169.08 грн
450+ 153.9 грн
900+ 124.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SQD-F155 ONSEMI ONSM-S-A0013178430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
180+192 грн
Мінімальне замовлення: 180
FGH40T70SHD-F155 FGH40T70SHD-F155 ON Semiconductor fgh40t70shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+157.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH40T70SHD-F155 FGH40T70SHD-F155 ON Semiconductor fgh40t70shd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+169.52 грн
Мінімальне замовлення: 71
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD ON Semiconductor fgh4l40t120lqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+446.16 грн
29+ 418.96 грн
30+ 401.25 грн
50+ 383 грн
100+ 345.51 грн
250+ 317.74 грн
Мінімальне замовлення: 27
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD onsemi fgh4l40t120lqd-d.pdf Description: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+581.55 грн
10+ 480.22 грн
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD ON Semiconductor fgh4l40t120lqd-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+414.3 грн
10+ 389.04 грн
25+ 372.59 грн
50+ 355.64 грн
100+ 320.83 грн
250+ 295.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD ONSEMI 3672835.pdf Description: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+647.99 грн
5+ 556.64 грн
10+ 465.29 грн
50+ 414.8 грн
100+ 366.3 грн
250+ 345.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD onsemi FGH4L40T120LQD_D-3150157.pdf IGBT Transistors IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+579.71 грн
10+ 496.82 грн
25+ 394.75 грн
100+ 367.15 грн
250+ 363.01 грн
450+ 307.8 грн
900+ 301.59 грн
FGH4L50T65MQDC50 FGH4L50T65MQDC50 onsemi FGH4L50T65MQDC50_D-3225044.pdf IGBT Transistors 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+845.41 грн
10+ 714.28 грн
25+ 563.15 грн
100+ 517.6 грн
250+ 487.23 грн
450+ 456.18 грн
900+ 410.63 грн
FGH40N60SFD
Код товару: 201597		 fgh40n60sfd.pdf
FGH40N60SFD
Виробник: China
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 67 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+135 грн
10+ 124 грн
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Код товару: 79400		 fgh40n60sfd.pdf
FGH40N60SFD (FGH40N60SFDTU)
Виробник: FAIR
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,3 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
у наявності: 201 шт
очікується: 100 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+165 грн
10+ 152 грн
100+ 139 грн
FGH40N60SMD
Код товару: 63296		 fgh40n60smd-d.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: FAIR/ON
Транзистори > IGBT
Корпус: TO-247
Vces: 600 V
Vce: 2,1 V
Ic 25: 80 A
Ic 100: 40 A
Pd 25: 349 W
td(on)/td(off) 100-150 град: 12/92
у наявності: 129 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+205 грн
10+ 186 грн
FGH40N60SFD
Виробник: Fairchaild
IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс 600 V, 40 A Field Stop
на замовлення 2 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+320.51 грн
10+ 267.86 грн
FGH40N60SFDTU FGH40N60SFDTU_F085_D-2313336.pdf
FGH40N60SFDTU
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 161-170 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+405.8 грн
10+ 381.75 грн
25+ 276.74 грн
100+ 236.71 грн
450+ 210.49 грн
900+ 169.77 грн
FGH40N60SFTU fgh40n60sf-d.pdf
FGH40N60SFTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+307.26 грн
10+ 267.44 грн
25+ 222.79 грн
100+ 172.11 грн
450+ 140.42 грн
900+ 134.2 грн
2700+ 133.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SFTU fgh40n60sf-d.pdf
FGH40N60SFTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 25ns/115ns
Switching Energy: 1.13mJ (on), 310µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+305.33 грн
FGH40N60SFTU FAIR-S-A0002366253-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
FGH40N60SFTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
на замовлення 13230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
122+173.35 грн
Мінімальне замовлення: 122
FGH40N60SMD FGH40N60SMD.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 174W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 174W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+376.25 грн
3+ 309.12 грн
4+ 268.86 грн
9+ 253.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60SMD 1874910.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60SMD - IGBT, 80 A, 1.9 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.9V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 349W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+384.77 грн
10+ 266.32 грн
100+ 203.61 грн
500+ 171.81 грн
1000+ 155.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60SMD FGH40N60SMD_D-2313395.pdf
FGH40N60SMD
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V, 40A Field Stop IGBT
на замовлення 12115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+346.22 грн
10+ 286.51 грн
25+ 170.46 грн
100+ 162.18 грн
250+ 159.42 грн
450+ 155.97 грн
900+ 151.14 грн
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Виробник: onsemi
Description: IGBT 600V 80A 349W TO-247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 47 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/110ns
Switching Energy: 920µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 180 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 349 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+441.95 грн
30+ 339.58 грн
120+ 303.82 грн
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60sm-f085jp-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349000mW Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+352.34 грн
Мінімальне замовлення: 34
FGH40N60SMD-F085 FGH40N60SMD_F085_D-2313465.pdf
FGH40N60SMD-F085
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V/40A FS Planar IGBT Gen 2
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+472.62 грн
10+ 429.36 грн
25+ 318.84 грн
100+ 289.16 грн
250+ 280.19 грн
450+ 255.35 грн
900+ 218.77 грн
FGH40N60SMD-F085 fgh40n60smd_f085-d.pdf
FGH40N60SMD-F085
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 349W Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+328.21 грн
Мінімальне замовлення: 300
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 40A; 116W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 40A
Power dissipation: 116W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 120A
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+335.22 грн
3+ 279.65 грн
4+ 214.95 грн
11+ 203.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+288.3 грн
25+ 254.13 грн
100+ 220.34 грн
450+ 192.35 грн
900+ 155.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60UFDTU 2303983.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40N60UFDTU - IGBT, Universal, 80 A, 1.8 V, 290 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 290W
Bauform - Transistor: TO-247AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+381.67 грн
10+ 272.51 грн
100+ 202.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 600V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/112ns
Switching Energy: 1.19mJ (on), 460µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 120 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 290 W
на замовлення 1188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+326.24 грн
30+ 248.85 грн
120+ 213.3 грн
510+ 177.93 грн
1020+ 152.35 грн
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+165.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40N60UFDTU fgh40n60ufd-d.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 290W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
38+321.69 грн
Мінімальне замовлення: 38
FGH40N60UFDTU FGH40N60UFD_D-2313363.pdf
FGH40N60UFDTU
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 600V 40A Field Stop
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+357.49 грн
25+ 279.36 грн
100+ 207.73 грн
450+ 180.81 грн
900+ 160.8 грн
FGH40N65UFDTU
Виробник: ON-Semicoductor
IGBT 650V 80A 290W   FGH40N65UFDTU TFGH40N65ufdtu
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 51 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+453.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMD FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+695.22 грн
2+ 445.71 грн
6+ 421.27 грн
FGH40T120SMD FGH40T120SMD.pdf
FGH40T120SMD
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+834.26 грн
2+ 555.42 грн
6+ 505.52 грн
FGH40T120SMD FGH40T120SMD_D-2313554.pdf
FGH40T120SMD
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+660.22 грн
10+ 557.94 грн
25+ 440.3 грн
100+ 404.42 грн
250+ 380.26 грн
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+617.38 грн
30+ 474.44 грн
120+ 424.5 грн
510+ 351.51 грн
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+620.86 грн
22+ 548.64 грн
26+ 475.45 грн
100+ 428.73 грн
250+ 329.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+578.33 грн
10+ 511.05 грн
25+ 442.87 грн
100+ 399.36 грн
250+ 306.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3778 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+347.02 грн
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+460.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMD fgh40t120smd-d.pdf
Виробник: ON-Semicoductor
Single IGBT Transistors 1200V 40A FS2 Trench IGBT; 1.8V ;   FGH40T120SMD TO-247-3L TFGH40T120smd
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+460.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 1.2kV; 40A; 277W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 40A
Power dissipation: 277W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±25V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 0.37µC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1183.73 грн
2+ 767.77 грн
4+ 726.07 грн
10+ 725.36 грн
FGH40T120SMD-F155 FGH40T120SMD_D-2313554.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 1200V, 40A Field Stop Trench IGBT
на замовлення 149 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+661.03 грн
25+ 520.63 грн
250+ 405.11 грн
450+ 356.8 грн
900+ 336.78 грн
FGH40T120SMD-F155 4097325.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SMD-F155 - IGBT, 80 A, 1.8 V, 555 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 555W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1062.96 грн
5+ 972.38 грн
10+ 881.8 грн
50+ 773.52 грн
100+ 672.21 грн
250+ 608.51 грн
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 65 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 40ns/475ns
Switching Energy: 2.7mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 370 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 555 W
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+617.38 грн
30+ 474.51 грн
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+428.78 грн
Мінімальне замовлення: 30
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+399.41 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH40T120SMD-F155 fgh40t120smd-d.pdf
FGH40T120SMD-F155
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 555000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
450+347.02 грн
Мінімальне замовлення: 450
FGH40T120SQDNL4 2619971.pdf
FGH40T120SQDNL4
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T120SQDNL4 - IGBT, 160 A, 1.78 V, 454 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.78V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 454W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 160A
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 437 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+700.64 грн
5+ 603.09 грн
10+ 505.54 грн
50+ 450.74 грн
100+ 398.15 грн
250+ 374.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T120SQDNL4 fgh40t120sqdnl4-d.pdf
FGH40T120SQDNL4
Виробник: onsemi
Description: IGBT 1200V 40A UFS FOR SO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 166 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 46ns/220ns
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.1mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 221 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 454 W
на замовлення 380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+619.62 грн
30+ 476.07 грн
120+ 425.96 грн
FGH40T120SQDNL4 FGH40T120SQDNL4_D-2313179.pdf
FGH40T120SQDNL4
Виробник: onsemi
IGBT Transistors IGBT 1200V 40A UFS
на замовлення 450 шт:
термін постачання 196-205 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+662.64 грн
10+ 602.38 грн
25+ 447.2 грн
100+ 405.8 грн
250+ 392.68 грн
450+ 358.18 грн
900+ 307.8 грн
FGH40T65SHD-F155 FGH40T65SHD_D-2313426.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors IGBT, 650 V, 40 A Field Stop Trench
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+282.61 грн
10+ 234.13 грн
25+ 202.9 грн
100+ 200.14 грн
250+ 189.79 грн
450+ 145.62 грн
900+ 117.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHD-F155 fgh40t65shd-d.pdf
FGH40T65SHD-F155
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 19.2ns/65.6ns
Switching Energy: 1.01mJ (on), 297µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 72.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 2523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+263.53 грн
10+ 213.08 грн
450+ 153.25 грн
1350+ 123.14 грн
2250+ 115.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHDF-F155 fgh40t65shdf-d.pdf
FGH40T65SHDF-F155
Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 101 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.81V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 18ns/64ns
Switching Energy: 1.22mJ (on), 440µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 68 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 268 W
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+261.29 грн
30+ 199.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SHDF-F155 FGH40T65SHDF_D-2313337.pdf
FGH40T65SHDF-F155
Виробник: onsemi / Fairchild
IGBT Transistors 650V FS Gen3 Trench IGBT
на замовлення 359 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+280.19 грн
10+ 247.62 грн
25+ 189.79 грн
100+ 162.18 грн
250+ 128.36 грн
450+ 119.39 грн
900+ 116.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SPD-F085 ONSM-S-A0013933712-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T65SPD-F085 - IGBT, 267 W, 650 V, TO-247, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 267W
Transistormontage: Durchsteckmontage
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform - Transistor: TO-247
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SPD-F155 fgh40t65spd-d.pdf
FGH40T65SPD-F155
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FGH40T65SQD-F155 fgh40t65sqd-d.pdf
FGH40T65SQD-F155
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 31.8 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 16.4ns/86.4ns
Switching Energy: 138µJ (on), 52µJ (off)
Test Condition: 400V, 10A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 80 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 238 W
на замовлення 3430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+279.2 грн
30+ 212.72 грн
120+ 182.33 грн
510+ 152.1 грн
1020+ 130.23 грн
2010+ 122.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SQD-F155 FGH40T65SQD_D-2313467.pdf
FGH40T65SQD-F155
Виробник: onsemi
IGBT Transistors 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+298.71 грн
10+ 269.05 грн
25+ 202.9 грн
100+ 173.91 грн
250+ 169.08 грн
450+ 153.9 грн
900+ 124.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH40T65SQD-F155 ONSM-S-A0013178430-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH40T65SQD-F155 - FIELD STOP TRENCH IGBT, 650V-80A, TO-247
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
180+192 грн
Мінімальне замовлення: 180
FGH40T70SHD-F155 fgh40t70shd-d.pdf
FGH40T70SHD-F155
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+157.41 грн
Мінімальне замовлення: 4
FGH40T70SHD-F155 fgh40t70shd-d.pdf
FGH40T70SHD-F155
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 700V 80A 268W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
71+169.52 грн
Мінімальне замовлення: 71
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
FGH4L40T120LQD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+446.16 грн
29+ 418.96 грн
30+ 401.25 грн
50+ 383 грн
100+ 345.51 грн
250+ 317.74 грн
Мінімальне замовлення: 27
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
FGH4L40T120LQD
Виробник: onsemi
Description: 1200V 40A FSIII IGBT LOW VCESAT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 42ns/218ns
Switching Energy: 1.04mJ (on), 1.35mJ (off)
Test Condition: 600V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 227 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 306 W
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+581.55 грн
10+ 480.22 грн
FGH4L40T120LQD fgh4l40t120lqd-d.pdf
FGH4L40T120LQD
Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 306W 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+414.3 грн
10+ 389.04 грн
25+ 372.59 грн
50+ 355.64 грн
100+ 320.83 грн
250+ 295.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH4L40T120LQD 3672835.pdf
FGH4L40T120LQD
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FGH4L40T120LQD - IGBT, 80 A, 1.55 V, 306 W, 1.2 kV, TO-247, 4 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 306W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 80A
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+647.99 грн
5+ 556.64 грн
10+ 465.29 грн
50+ 414.8 грн
100+ 366.3 грн
250+ 345.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
FGH4L40T120LQD FGH4L40T120LQD_D-3150157.pdf
FGH4L40T120LQD
Виробник: onsemi
IGBT Transistors IGBT, 1200V, 40A, Ultra Field Stop, Fast-switching Co-packed Diode.
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+579.71 грн
10+ 496.82 грн
25+ 394.75 грн
100+ 367.15 грн
250+ 363.01 грн
450+ 307.8 грн
900+ 301.59 грн
FGH4L50T65MQDC50 FGH4L50T65MQDC50_D-3225044.pdf
FGH4L50T65MQDC50
Виробник: onsemi
IGBT Transistors 650V Field stop 4th generation mid speed IGBT with co-pack SiC diode
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+845.41 грн
10+ 714.28 грн
25+ 563.15 грн
100+ 517.6 грн
250+ 487.23 грн
450+ 456.18 грн
900+ 410.63 грн
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]