Результат пошуку "irf734" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343.pdf description Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.39 грн
8000+ 31.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF Infineon Technologies irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 description Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7340 IOR 01+ SOP
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341 IR SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341 IR 05+ SOP-8;
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341 IOR
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341 IR 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341 IOR 09+
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341 IR 09+
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341 IOR 09+ SO-8
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341ITRPBF IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341Q IR SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341Q IR
на замовлення 12520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341Q IR 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341QPBF IR description
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341QTR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341QTRPB
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341TR
на замовлення 16549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341TRPBF International Rectifier Corporation irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 description MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7342 IOR description 09+ SO-8
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342 IR description
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342 IOR description
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342 IR description 07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342 IOR description 09+
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342 IR description SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342D2TRPBF IR IR_PartNumberingSystem.pdf SOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342QTRPBF IOR IRF7342QPbF.pdf
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69 IRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7342TRPBF/IR IR 08+;
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7343 description IRF7343 Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7343PBF irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 IRF7343PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7343QTRPBF IOR irf7343qpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f694211b75
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7343QTRPBF IOR irf7343qpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f694211b75 09+
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7343QTRPBF IRF irf7343qpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f694211b75 09+
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7343TR IR 2004
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7343TRPBF International Rectifier Corporation irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73 description MOSFET N/P-CH 55V SOIC-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRIRF7343TRPBF IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор IRF7342; SO8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7341PBF IRF7341PBF
Код товару: 26458 		IR IRF7341PBF.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7341QPBF
Код товару: 85128 		description Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товар відсутній
IRF7342D2PBF IRF7342D2PBF
Код товару: 28747 		IR IR_PartNumberingSystem.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7342PBF IRF7342PBF
Код товару: 29394 		IR irf7342pbf.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7342TR
Код товару: 181463 		Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
IRF7343TRPBF IRF7343TRPBF
Код товару: 180205 		IR Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf description Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7/3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
AUIRF7342Q (микросхема)
Код товару: 48078 		Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IRF734 IRF734 Vishay Siliconix IRF734%2C%20SiHF734.pdf Description: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF734 IRF734 Vishay / Siliconix IRF734%2C%20SiHF734.pdf MOSFET MOSFET N-CHANNEL 450V
товар відсутній
IRF7341GTRPBF IRF7341GTRPBF Infineon Technologies infineon-irf7341g-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7341IPBF IRF7341IPBF Infineon Technologies irf7341ipbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7341ITRPBF IRF7341ITRPBF Infineon Technologies irf7341ipbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7341PBF IRF7341PBF Infineon Technologies infineon-irf7341-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7341PBF IRF7341PBF International Rectifier HiRel Products infineon-irf7341-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7341PBF IRF7341PBF Infineon Technologies irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63 Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
IRF7341Q IRF7341Q Infineon Technologies irf7341q.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7341QPBF IRF7341QPBF Infineon Technologies irf7341qpbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7341QTRPBF IRF7341QTRPBF Infineon Technologies IRF7341QPbF.pdf Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7341QTRPBF IRF7341QTRPBF Infineon Technologies irf7341qpbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7341TRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7341.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7342 IRF7342 Infineon Technologies irf7342.pdf description Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7343TRPBF description irf7343.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+33.39 грн
8000+ 31.29 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7343TRPBF description irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73
IRF7343TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+31.31 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7340
Виробник: IOR
01+ SOP
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341
Виробник: IR
SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341
Виробник: IR
05+ SOP-8;
на замовлення 95 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341
Виробник: IOR
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341
Виробник: IR
07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341
Виробник: IOR
09+
на замовлення 37 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341
Виробник: IR
09+
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341
Виробник: IOR
09+ SO-8
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341ITRPBF
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341Q
Виробник: IR
SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341Q
Виробник: IR
на замовлення 12520 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341Q
Виробник: IR
07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341QPBF description
Виробник: IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341QTR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341QTRPB
на замовлення 3080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341TR
на замовлення 16549 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7341TRPBF description irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A SOIC-8
на замовлення 1150 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRF7342 description
Виробник: IOR
09+ SO-8
на замовлення 1771 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342 description
Виробник: IR
на замовлення 1580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342 description
Виробник: IOR
на замовлення 771 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342 description
Виробник: IR
07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342 description
Виробник: IOR
09+
на замовлення 3718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342 description
Виробник: IR
SO-8
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342D2TRPBF IR_PartNumberingSystem.pdf
Виробник: IR
SOP8 07+08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342QTRPBF IRF7342QPbF.pdf
Виробник: IOR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7342TRPBF irf7342pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f665771b69
IRF7342TRPBF Микросхемы
на замовлення 95 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7342TRPBF/IR
Виробник: IR
08+;
на замовлення 9100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7343 description
IRF7343 Транзисторы HEXFET
на замовлення 11 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7343PBF irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73
IRF7343PBF Транзисторы HEXFET
на замовлення 1043 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7343QTRPBF irf7343qpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f694211b75
Виробник: IOR
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7343QTRPBF irf7343qpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f694211b75
Виробник: IOR
09+
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7343QTRPBF irf7343qpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f694211b75
Виробник: IRF
09+
на замовлення 12043 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7343TR
Виробник: IR
2004
на замовлення 2996 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
IRF7343TRPBF description irf7343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f68c1a1b73
Виробник: International Rectifier Corporation
MOSFET N/P-CH 55V SOIC-8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
IRIRF7343TRPBF
Виробник: IR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Транзистор IRF7342; SO8
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
IRF7341PBF
Код товару: 26458		 IRF7341PBF.pdf
IRF7341PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7 A
Rds(on), Ohm: 0,050 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/24
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7341QPBF
Код товару: 85128		 description
Мікросхеми > Інші мікросхеми
8542 39 90 00
товар відсутній
IRF7342D2PBF
Код товару: 28747		 IR_PartNumberingSystem.pdf
IRF7342D2PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7342PBF
Код товару: 29394		 irf7342pbf.pdf
IRF7342PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 55 V
Id,A: 3,4 A
Rds(on),Om: 0,105 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 690/26
Монтаж: SMD
товар відсутній
IRF7342TR
Код товару: 181463
Транзистори > Польові P-канальні
товар відсутній
IRF7343TRPBF
Код товару: 180205		 description Infineon_IRF7343_DataSheet_v01_01_EN-1732495.pdf
IRF7343TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOIC-8
Uds,V: 55 V
Idd,A: 4,7/3,4 A
Rds(on), Ohm: 0,043/0,095 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 740/690/24/26
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
товар відсутній
AUIRF7342Q (микросхема)
Код товару: 48078
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товар відсутній
IRF734 IRF734%2C%20SiHF734.pdf
IRF734
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 450V 4.9A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 680 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF734 IRF734%2C%20SiHF734.pdf
IRF734
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET MOSFET N-CHANNEL 450V
товар відсутній
IRF7341GTRPBF infineon-irf7341g-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7341GTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 5.1A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7341IPBF irf7341ipbf.pdf
IRF7341IPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7341ITRPBF irf7341ipbf.pdf
IRF7341ITRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7341PBF infineon-irf7341-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7341PBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7341PBF infineon-irf7341-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7341PBF
Виробник: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC Tube
товар відсутній
IRF7341PBF irf7341pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355f64f031b63
IRF7341PBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товар відсутній
IRF7341Q irf7341q.pdf
IRF7341Q
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7341QPBF description irf7341qpbf.pdf
IRF7341QPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7341QTRPBF IRF7341QPbF.pdf
IRF7341QTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W
Drain to Source Voltage (Vdss): 55V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 780pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 5.1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF7341QTRPBF irf7341qpbf.pdf
IRF7341QTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5.1A Automotive 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7341TRPBFXTMA1 irf7341.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
IRF7342 description irf7342.pdf
IRF7342
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 3.4A 8-Pin SOIC T/R
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]