Результат пошуку "irf741" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
IRF7413PBF IRF7413PBF
Код товару: 40660 		IR irf7413pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa8e901bb8 description Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/52
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 44 шт
1+49.5 грн
10+ 46.2 грн
IRF7413ZTR IRF7413ZTR
Код товару: 122875 		IR irf7413zpbf-937492-datasheet.pdf Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5
Монтаж: SMD
у наявності: 161 шт
1+16.5 грн
10+ 14.9 грн
100+ 13.1 грн
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF
Код товару: 25625 		IR irf7416.pdf Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 253 шт
1+26 грн
10+ 22.4 грн
100+ 19.9 грн
IRF741 IRF741 Harris Corporation HRISD017-4-351.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
296+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 296
IRF7410TR Infineon P-MOSFET 16A 12V 2.5W 0.007Ω IRF7410 smd TIRF7410
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies irf7410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa75d71bb0 Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
на замовлення 8562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+77.19 грн
10+ 60.52 грн
100+ 47.08 грн
500+ 37.45 грн
1000+ 30.51 грн
2000+ 28.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+40.24 грн
1000+ 31.83 грн
2000+ 30.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+22.7 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+22.7 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7410_DataSheet_v01_01_EN-3363198.pdf MOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC
на замовлення 39790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+81.68 грн
10+ 62.24 грн
100+ 42.48 грн
500+ 37.29 грн
1000+ 28 грн
2000+ 27.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.46 грн
250+ 42.67 грн
1000+ 38.5 грн
2000+ 34.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.77 грн
8000+ 27.5 грн
24000+ 27.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+66.03 грн
178+ 65.91 грн
224+ 52.2 грн
250+ 48.1 грн
500+ 41.02 грн
1000+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 177
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+37.58 грн
1000+ 29.71 грн
2000+ 28.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+78.84 грн
10+ 61.31 грн
25+ 61.21 грн
100+ 46.74 грн
250+ 41.35 грн
500+ 36.56 грн
1000+ 24.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies irf7410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa75d71bb0 Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+31.78 грн
8000+ 29.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+29.75 грн
8000+ 29.45 грн
24000+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF INFINEON INFN-S-A0004664165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+66.45 грн
50+ 49.46 грн
250+ 42.67 грн
1000+ 38.5 грн
2000+ 34.5 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7410TRPBF IRF7410TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
144+81.22 грн
158+ 74.02 грн
194+ 60.2 грн
208+ 54.3 грн
500+ 50.11 грн
1000+ 42.77 грн
4000+ 38.85 грн
8000+ 38.77 грн
Мінімальне замовлення: 144
IRF7413TR International Rectifier Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413 TIRF7413
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.8 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF7413TR UMW Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413TR UMW TIRF7413 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7413TR UMW Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413TR UMW TIRF7413 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7413ZTR International Rectifier IRF7413Z.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7413Z smd TIRF7413z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+31.49 грн
25+ 25.73 грн
40+ 21.11 грн
108+ 19.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irf7413zpbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
8+37.79 грн
25+ 32.07 грн
40+ 25.33 грн
108+ 23.9 грн
4000+ 23.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies irf7413z.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
196+59.83 грн
204+ 57.23 грн
288+ 40.64 грн
289+ 39.05 грн
500+ 29.81 грн
1000+ 18.8 грн
Мінімальне замовлення: 196
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 description Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.59 грн
8000+ 21.52 грн
12000+ 19.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies irf7413z.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+24.1 грн
100+ 21.24 грн
Мінімальне замовлення: 24
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies irf7413z.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+76.36 грн
182+ 64.3 грн
256+ 43.98 грн
500+ 33.52 грн
1000+ 25.76 грн
2000+ 25.6 грн
4000+ 20.84 грн
Мінімальне замовлення: 153
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 description Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 20143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.9 грн
10+ 51.82 грн
100+ 35.87 грн
500+ 28.13 грн
1000+ 23.94 грн
2000+ 21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+72.27 грн
13+ 60.94 грн
100+ 38.36 грн
500+ 29.73 грн
1000+ 19.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies irf7413z.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 26
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF INFINEON INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+38.36 грн
500+ 29.73 грн
1000+ 19.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies irf7413z.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+63.06 грн
11+ 55.56 грн
25+ 55.19 грн
100+ 36.39 грн
250+ 33.57 грн
500+ 26.58 грн
1000+ 17.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7413ZTRPBF IRF7413ZTRPBF Infineon Technologies irf7413z.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+61.9 грн
10+ 51.82 грн
100+ 35.87 грн
500+ 28.13 грн
1000+ 23.94 грн
2000+ 21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7413z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
175+66.92 грн
274+ 42.6 грн
320+ 36.48 грн
338+ 33.3 грн
500+ 28.83 грн
1000+ 26.01 грн
2000+ 24.51 грн
4000+ 22.93 грн
Мінімальне замовлення: 175
IRF7413ZTRPBFXTMA1 IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON 3980134.pdf Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7413ZTRPBFXTMA1 Infineon Technologies irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2 Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7413ZTRPBFXTMA1 IRF7413ZTRPBFXTMA1 INFINEON 3980134.pdf Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+40.25 грн
22+ 35.27 грн
100+ 29.22 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF7416PBF IR irf7416pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fac5661bc6 Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-30V; Id=-10A; Pdmax=2,5W; Rds=0,02Ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
7+41.36 грн
10+ 33.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7416TR JGSEMI Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416TR JGSEMI TIRF7416 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7416TR Infineon P-MOSFET 10A 30V 2.5W 0.02Ω IRF7416 smd TIRF7416
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7416TR UMW Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416TR UMW TIRF7416 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF7416TR Infineon P-MOSFET 10A 30V 2.5W 0.02Ω IRF7416 smd TIRF7416
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7416TR 4435. HXY MOSFET Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416 HXY MOSFET TIRF7416 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 49594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.03 грн
500+ 34.71 грн
1000+ 30.23 грн
5000+ 28.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 74835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
390+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 390
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
203+57.51 грн
206+ 56.92 грн
258+ 45.26 грн
261+ 43.2 грн
Мінімальне замовлення: 203
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF INFINEON 1912231.pdf Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 49594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+78.54 грн
13+ 61.55 грн
100+ 44.03 грн
500+ 34.71 грн
1000+ 30.23 грн
5000+ 28.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies irf7416pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fac5661bc6 Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+27.3 грн
8000+ 25.03 грн
12000+ 23.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+67.58 грн
11+ 53.4 грн
25+ 52.85 грн
100+ 40.52 грн
250+ 21.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies irf7416pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fac5661bc6 Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 49012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.27 грн
10+ 52.03 грн
100+ 40.44 грн
500+ 32.17 грн
1000+ 26.2 грн
2000+ 24.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7416TRPBF IRF7416TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRF7416_DataSheet_v01_01_EN-3363333.pdf MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
на замовлення 24628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+70.13 грн
10+ 54.65 грн
100+ 38.03 грн
500+ 32.65 грн
1000+ 25.11 грн
2000+ 25.04 грн
4000+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7413PBF
Код товару: 40660		 description irf7413pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa8e901bb8
IRF7413PBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 13 A
Rds(on), Ohm: 0,011 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1800/52
Примітка: Два транзистори в одному корпусі
Монтаж: SMD
у наявності: 44 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+49.5 грн
10+ 46.2 грн
IRF7413ZTR
Код товару: 122875		 irf7413zpbf-937492-datasheet.pdf
IRF7413ZTR
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 30 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 10 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1210/9,5
Монтаж: SMD
у наявності: 161 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+16.5 грн
10+ 14.9 грн
100+ 13.1 грн
IRF7416TRPBF
Код товару: 25625		 irf7416.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: IR
Транзистори > Польові P-канальні
Корпус: SO-8
Uds,V: 30 V
Id,A: 10 А
Rds(on),Om: 0,02 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1700/61
Монтаж: SMD
у наявності: 253 шт
Кількість Ціна без ПДВ
1+26 грн
10+ 22.4 грн
100+ 19.9 грн
IRF741 HRISD017-4-351.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRF741
Виробник: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
296+68.86 грн
Мінімальне замовлення: 296
IRF7410TR
Виробник: Infineon
P-MOSFET 16A 12V 2.5W 0.007Ω IRF7410 smd TIRF7410
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 3956 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+35.57 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7410TRPBF irf7410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa75d71bb0
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
на замовлення 8562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+77.19 грн
10+ 60.52 грн
100+ 47.08 грн
500+ 37.45 грн
1000+ 30.51 грн
2000+ 28.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7410TRPBF infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+40.24 грн
1000+ 31.83 грн
2000+ 30.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7410TRPBF infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+22.7 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7410TRPBF infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2299 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+22.7 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7410TRPBF Infineon_IRF7410_DataSheet_v01_01_EN-3363198.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC
на замовлення 39790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+81.68 грн
10+ 62.24 грн
100+ 42.48 грн
500+ 37.29 грн
1000+ 28 грн
2000+ 27.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
IRF7410TRPBF INFN-S-A0004664165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+49.46 грн
250+ 42.67 грн
1000+ 38.5 грн
2000+ 34.5 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7410TRPBF infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+27.77 грн
8000+ 27.5 грн
24000+ 27.23 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7410TRPBF infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
177+66.03 грн
178+ 65.91 грн
224+ 52.2 грн
250+ 48.1 грн
500+ 41.02 грн
1000+ 26.64 грн
Мінімальне замовлення: 177
IRF7410TRPBF infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+37.58 грн
1000+ 29.71 грн
2000+ 28.66 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7410TRPBF infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 1842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+78.84 грн
10+ 61.31 грн
25+ 61.21 грн
100+ 46.74 грн
250+ 41.35 грн
500+ 36.56 грн
1000+ 24.74 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7410TRPBF irf7410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fa75d71bb0
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 12V 16A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 91 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8676 pF @ 10 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+31.78 грн
8000+ 29.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7410TRPBF infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 156000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+29.75 грн
8000+ 29.45 грн
24000+ 29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7410TRPBF INFN-S-A0004664165-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7410TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7410TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 16 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+66.45 грн
50+ 49.46 грн
250+ 42.67 грн
1000+ 38.5 грн
2000+ 34.5 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7410TRPBF infineon-irf7410-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7410TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 12V 16A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
144+81.22 грн
158+ 74.02 грн
194+ 60.2 грн
208+ 54.3 грн
500+ 50.11 грн
1000+ 42.77 грн
4000+ 38.85 грн
8000+ 38.77 грн
Мінімальне замовлення: 144
IRF7413TR
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 18mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413 TIRF7413
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+24.8 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF7413TR
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413TR UMW TIRF7413 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 220 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7413TR
Виробник: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 17mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7413; IRF7413TR; IRF7413GTR; SP001559860; SP001570386; SP001574926; IRF7413TR UMW TIRF7413 UMW
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+10.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7413ZTR IRF7413Z.pdf
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 13mOhm; 13A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7413Z smd TIRF7413z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+30.61 грн
Мінімальне замовлення: 20
IRF7413ZTRPBF description irf7413zpbf.pdf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+31.49 грн
25+ 25.73 грн
40+ 21.11 грн
108+ 19.91 грн
Мінімальне замовлення: 12
IRF7413ZTRPBF description irf7413zpbf.pdf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 13A; 2.5W; SO8
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 13A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1315 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.79 грн
25+ 32.07 грн
40+ 25.33 грн
108+ 23.9 грн
4000+ 23.48 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRF7413ZTRPBF description irf7413z.pdf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
196+59.83 грн
204+ 57.23 грн
288+ 40.64 грн
289+ 39.05 грн
500+ 29.81 грн
1000+ 18.8 грн
Мінімальне замовлення: 196
IRF7413ZTRPBF description irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
IRF7413ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.59 грн
8000+ 21.52 грн
12000+ 19.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7413ZTRPBF description irf7413z.pdf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+24.1 грн
100+ 21.24 грн
Мінімальне замовлення: 24
IRF7413ZTRPBF description irf7413z.pdf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
153+76.36 грн
182+ 64.3 грн
256+ 43.98 грн
500+ 33.52 грн
1000+ 25.76 грн
2000+ 25.6 грн
4000+ 20.84 грн
Мінімальне замовлення: 153
IRF7413ZTRPBF description irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
IRF7413ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 20143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.9 грн
10+ 51.82 грн
100+ 35.87 грн
500+ 28.13 грн
1000+ 23.94 грн
2000+ 21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7413ZTRPBF description INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+72.27 грн
13+ 60.94 грн
100+ 38.36 грн
500+ 29.73 грн
1000+ 19.68 грн
Мінімальне замовлення: 11
IRF7413ZTRPBF description irf7413z.pdf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+12.49 грн
Мінімальне замовлення: 26
IRF7413ZTRPBF description INFN-S-A0002247310-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRF7413ZTRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+38.36 грн
500+ 29.73 грн
1000+ 19.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7413ZTRPBF description irf7413z.pdf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 2282 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+63.06 грн
11+ 55.56 грн
25+ 55.19 грн
100+ 36.39 грн
250+ 33.57 грн
500+ 26.58 грн
1000+ 17.46 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7413ZTRPBF description irf7413z.pdf
IRF7413ZTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
IRF7413ZTRPBFXTMA1 irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+61.9 грн
10+ 51.82 грн
100+ 35.87 грн
500+ 28.13 грн
1000+ 23.94 грн
2000+ 21.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7413ZTRPBFXTMA1 irf7413z.pdf
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 8-Pin SO T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
175+66.92 грн
274+ 42.6 грн
320+ 36.48 грн
338+ 33.3 грн
500+ 28.83 грн
1000+ 26.01 грн
2000+ 24.51 грн
4000+ 22.93 грн
Мінімальне замовлення: 175
IRF7413ZTRPBFXTMA1 3980134.pdf
IRF7413ZTRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+29.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7413ZTRPBFXTMA1 irf7413zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fab6901bc2
Виробник: Infineon Technologies
Description: TRENCH <= 40V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-DSO-8-902
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+23.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7413ZTRPBFXTMA1 3980134.pdf
IRF7413ZTRPBFXTMA1
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7413ZTRPBFXTMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 13 A, 0.008 ohm, SO-8, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SO-8
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+40.25 грн
22+ 35.27 грн
100+ 29.22 грн
Мінімальне замовлення: 19
IRF7416PBF irf7416pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fac5661bc6
Виробник: IR
Транз. Пол. ММ P-HEXFET SO8 Udss=-30V; Id=-10A; Pdmax=2,5W; Rds=0,02Ohm
на замовлення 240 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+41.36 грн
10+ 33.99 грн
Мінімальне замовлення: 7
IRF7416TR
Виробник: JGSEMI
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 9A; 2,1W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416TR JGSEMI TIRF7416 JGS
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+11.12 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7416TR
Виробник: Infineon
P-MOSFET 10A 30V 2.5W 0.02Ω IRF7416 smd TIRF7416
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 15900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7416TR
Виробник: UMW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 35mOhm; 10A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416TR UMW TIRF7416 UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+21.38 грн
Мінімальне замовлення: 25
IRF7416TR
Виробник: Infineon
P-MOSFET 10A 30V 2.5W 0.02Ω IRF7416 smd TIRF7416
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2668 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7416TR 4435.
Виробник: HXY MOSFET
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 36mOhm; 9A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7416; IRF7416TR; SP001554262; SP001565470; IRF7416 HXY MOSFET TIRF7416 HXY
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 50
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+15.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7416TRPBF 1912231.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 49594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.03 грн
500+ 34.71 грн
1000+ 30.23 грн
5000+ 28.35 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 74835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
390+29.96 грн
Мінімальне замовлення: 390
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+33.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
203+57.51 грн
206+ 56.92 грн
258+ 45.26 грн
261+ 43.2 грн
Мінімальне замовлення: 203
IRF7416TRPBF 1912231.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRF7416TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.04V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 49594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+78.54 грн
13+ 61.55 грн
100+ 44.03 грн
500+ 34.71 грн
1000+ 30.23 грн
5000+ 28.35 грн
Мінімальне замовлення: 10
IRF7416TRPBF irf7416pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fac5661bc6
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+27.3 грн
8000+ 25.03 грн
12000+ 23.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 453 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+67.58 грн
11+ 53.4 грн
25+ 52.85 грн
100+ 40.52 грн
250+ 21.2 грн
Мінімальне замовлення: 9
IRF7416TRPBF infineon-irf7416-datasheet-v01_01-en.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+17.59 грн
Мінімальне замовлення: 500
IRF7416TRPBF irf7416pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355fac5661bc6
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 49012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+66.27 грн
10+ 52.03 грн
100+ 40.44 грн
500+ 32.17 грн
1000+ 26.2 грн
2000+ 24.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
IRF7416TRPBF Infineon_IRF7416_DataSheet_v01_01_EN-3363333.pdf
IRF7416TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT PCh -30V -10A 20mOhm 61nC
на замовлення 24628 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+70.13 грн
10+ 54.65 грн
100+ 38.03 грн
500+ 32.65 грн
1000+ 25.11 грн
2000+ 25.04 грн
4000+ 24.64 грн
Мінімальне замовлення: 5
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]