Результат пошуку "n2907" : > 120

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
PN2907ATF PN2907ATF Fairchild Semiconductor FAIR-S-A0000083802-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 45385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7212+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 7212
PN2907ATF PN2907ATF onsemi / Fairchild PN2907_D-2319877.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 27171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.2 грн
17+ 18.53 грн
100+ 6.61 грн
1000+ 4.62 грн
2000+ 3.1 грн
10000+ 3.04 грн
24000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
PN2907ATF PN2907ATF onsemi pzt2907a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.3 грн
6000+ 3.84 грн
10000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
PN2907ATFR PN2907ATFR onsemi pzt2907a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+4.3 грн
6000+ 3.84 грн
10000+ 3.19 грн
50000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
PN2907ATFR PN2907ATFR onsemi pzt2907a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 62192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.72 грн
17+ 16.86 грн
100+ 8.24 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
PN2907ATFR PN2907ATFR onsemi / Fairchild PN2907_D-2319877.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 35829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+22.19 грн
21+ 14.58 грн
100+ 5.61 грн
1000+ 4.56 грн
2000+ 3.1 грн
10000+ 2.71 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
PN2907BU PN2907BU Fairchild Semiconductor ONSM-S-A0003589196-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 40V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 21349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6411+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 6411
PN2907BU PN2907BU onsemi pn2907-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.58 грн
18+ 15.82 грн
100+ 8.02 грн
500+ 6.13 грн
1000+ 4.55 грн
2000+ 3.83 грн
5000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
PN2907TA PN2907TA Fairchild Semiconductor FAIRS25416-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 40V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 109682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11539+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 11539
RN2907,LF(CT RN2907,LF(CT Toshiba RN2907_datasheet_en_20211223-1627370.pdf Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+19.34 грн
24+ 12.84 грн
100+ 4.62 грн
1000+ 3.17 грн
3000+ 2.51 грн
9000+ 2.11 грн
24000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN2907,LF(CT RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2907 Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2907,LF(CT RN2907,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2907 Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.15 грн
25+ 11.35 грн
100+ 5.55 грн
500+ 4.35 грн
1000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
RN2907,LXHF(CT RN2907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.07 грн
6000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2907,LXHF(CT RN2907,LXHF(CT Toshiba RN2907_datasheet_en_20211223-1627370.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 10kOhm, 47kOhm, 10kOhm, 47kOhm, -50V (SOT-363)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+30.82 грн
15+ 21.5 грн
100+ 7.73 грн
1000+ 5.68 грн
3000+ 4.56 грн
9000+ 3.96 грн
24000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
RN2907,LXHF(CT RN2907,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+27.87 грн
15+ 18.99 грн
100+ 9.6 грн
500+ 7.35 грн
1000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
RN2907FE,LF(CT RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.15 грн
25+ 11.35 грн
100+ 5.55 грн
500+ 4.35 грн
1000+ 3.02 грн
2000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
RN2907FE,LF(CT RN2907FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+2.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
RN2907FE,LXHF(CT RN2907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
RN2907FE,LXHF(CT RN2907FE,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.58 грн
17+ 16.31 грн
100+ 8.24 грн
500+ 6.85 грн
1000+ 5.33 грн
2000+ 4.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN2907FE,LXHF(CT RN2907FE,LXHF(CT Toshiba RN2907FE_datasheet_en_20211223-1628513.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.2 грн
16+ 19.67 грн
100+ 7.46 грн
1000+ 5.15 грн
4000+ 4.95 грн
8000+ 4.29 грн
24000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
TN2907A TN2907A Fairchild Semiconductor FAIRS25735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-226-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 10071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.4 грн
Мінімальне замовлення: 1025
TPN2907A TPN2907A CDIL PN2907_A.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
70+5.63 грн
160+ 2.24 грн
500+ 2.02 грн
520+ 1.55 грн
1420+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 70
TPN2907A TPN2907A CDIL PN2907_A.pdf Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+6.76 грн
100+ 2.8 грн
500+ 2.42 грн
520+ 1.86 грн
1420+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 40
TPN2907A CDIL PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 400
TPN2907A CDIL PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
400+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 400
Транзистор біполярний 2N2907 -0.6A -40V PNP TO-92
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
66+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 66
2N2222/2N2907 FSC 08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N22222N2907
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N2907A MICROSEMI 2N2907-2N2907A.pdf 2n2907a.pdf TO18/PNP TRANSISTOR 2N2907
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1197T146RSOT23-GASTN2907SF ROHM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JAN2N2907 MOTOROLA
на замовлення 236500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JAN2N2907 NS CAN
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX2N2907 MOTOROLA
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX2N2907 NS CAN
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX2N2907A MICROSEMI 8896-lds-0059-datasheet TO-18PNP Transistor 2N2907A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JANTX2N2907AUB MICROSEMI 8896-lds-0059-datasheet UB/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JTX2N2907 MOTOROLA
на замовлення 265700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JTX2N2907A MOTOROLA
на замовлення 259890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JX2N2907 MOTOROLA
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JX2N2907A MOTOROLA
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907A
на замовлення 8385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907A-AT/P KEC TO92
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907A-SRTK NEC
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907AS KEC SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907AS-RTK KEC 09+
на замовлення 281018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907S KEC 09+
на замовлення 18018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS KEC 07+ SOT-23
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS-RTK KEC SOT-23 03+
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS-RTK KEC SOT-23
на замовлення 6888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS-RTK/P KEC SOT-23 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS-RTK/P KEC SOT23
на замовлення 639000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS-RTK/PS KEC SOT-23
на замовлення 11232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907S KEC 07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907S-RTK KEC
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P2N2907AG p2n2907a-d.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P2N2907ARL1 P2N2907A%20Rev4.pdf
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P2N2907ARL1G ON p2n2907a-d.pdf 07+ QFP
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P2N2907AZL1 P2N2907A Rev4.pdf
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P2N2907AZL1G P2N2907A%20Rev4.pdf
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PN2907
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PN2907ATF FAIR-S-A0000083802-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PN2907ATF
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 45385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7212+2.68 грн
Мінімальне замовлення: 7212
PN2907ATF PN2907_D-2319877.pdf
PN2907ATF
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 27171 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.2 грн
17+ 18.53 грн
100+ 6.61 грн
1000+ 4.62 грн
2000+ 3.1 грн
10000+ 3.04 грн
24000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 12
PN2907ATF pzt2907a-d.pdf
PN2907ATF
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+4.3 грн
6000+ 3.84 грн
10000+ 3.19 грн
Мінімальне замовлення: 2000
PN2907ATFR pzt2907a-d.pdf
PN2907ATFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 62000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+4.3 грн
6000+ 3.84 грн
10000+ 3.19 грн
50000+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 2000
PN2907ATFR pzt2907a-d.pdf
PN2907ATFR
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 62192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.72 грн
17+ 16.86 грн
100+ 8.24 грн
500+ 6.45 грн
1000+ 4.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
PN2907ATFR PN2907_D-2319877.pdf
PN2907ATFR
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor General Purpose
на замовлення 35829 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+22.19 грн
21+ 14.58 грн
100+ 5.61 грн
1000+ 4.56 грн
2000+ 3.1 грн
10000+ 2.71 грн
24000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
PN2907BU ONSM-S-A0003589196-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PN2907BU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 21349 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6411+3.34 грн
Мінімальне замовлення: 6411
PN2907BU pn2907-d.pdf
PN2907BU
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 8823 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.58 грн
18+ 15.82 грн
100+ 8.02 грн
500+ 6.13 грн
1000+ 4.55 грн
2000+ 3.83 грн
5000+ 3.6 грн
Мінімальне замовлення: 13
PN2907TA FAIRS25416-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
PN2907TA
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 40V 0.8A TO92-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 109682 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11539+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 11539
RN2907,LF(CT RN2907_datasheet_en_20211223-1627370.pdf
RN2907,LF(CT
Виробник: Toshiba
Digital Transistors PNP x 2 BRT, Q1BSR=10kOhm, Q1BER=47kOhm, Q2BSR=10kOhm, Q2BER=47kOhm, VCEO=-50V, IC=-0.1A
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+19.34 грн
24+ 12.84 грн
100+ 4.62 грн
1000+ 3.17 грн
3000+ 2.51 грн
9000+ 2.11 грн
24000+ 1.98 грн
Мінімальне замовлення: 16
RN2907,LF(CT RN2907_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2907
RN2907,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2907,LF(CT RN2907_datasheet_en_20211223.pdf?did=18909&prodName=RN2907
RN2907,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: PNPX2 BRT Q1BSR10KOHM Q1BER47KOH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 4819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.15 грн
25+ 11.35 грн
100+ 5.55 грн
500+ 4.35 грн
1000+ 3.02 грн
Мінімальне замовлення: 17
RN2907,LXHF(CT
RN2907,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.07 грн
6000+ 4.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000
RN2907,LXHF(CT RN2907_datasheet_en_20211223-1627370.pdf
RN2907,LXHF(CT
Виробник: Toshiba
Digital Transistors AUTO AEC-Q TR PNPx2 BRT, 10kOhm, 47kOhm, 10kOhm, 47kOhm, -50V (SOT-363)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+30.82 грн
15+ 21.5 грн
100+ 7.73 грн
1000+ 5.68 грн
3000+ 4.56 грн
9000+ 3.96 грн
24000+ 3.7 грн
Мінімальне замовлення: 10
RN2907,LXHF(CT
RN2907,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q TR PNPX2 BRT, Q1BSR=1
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: US6
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.87 грн
15+ 18.99 грн
100+ 9.6 грн
500+ 7.35 грн
1000+ 5.45 грн
Мінімальне замовлення: 11
RN2907FE,LF(CT RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE
RN2907FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.15 грн
25+ 11.35 грн
100+ 5.55 грн
500+ 4.35 грн
1000+ 3.02 грн
2000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
RN2907FE,LF(CT RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE
RN2907FE,LF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.1W ES6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+2.9 грн
Мінімальне замовлення: 4000
RN2907FE,LXHF(CT RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE
RN2907FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000
RN2907FE,LXHF(CT RN2907FE_datasheet_en_20211223.pdf?did=19094&prodName=RN2907FE
RN2907FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q 2-IN-1 (POINT-SYMMETR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 100mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 200MHz
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: ES6
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.58 грн
17+ 16.31 грн
100+ 8.24 грн
500+ 6.85 грн
1000+ 5.33 грн
2000+ 4.77 грн
Мінімальне замовлення: 13
RN2907FE,LXHF(CT RN2907FE_datasheet_en_20211223-1628513.pdf
RN2907FE,LXHF(CT
Виробник: Toshiba
Digital Transistors AUTO AEC-Q 2-in-1 (Point-symmetrical) PNP x 2 Q1BSR=10kO, Q1BER=47kO, VCEO=-50V, IC=-0.1A (SOT-563)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+27.2 грн
16+ 19.67 грн
100+ 7.46 грн
1000+ 5.15 грн
4000+ 4.95 грн
8000+ 4.29 грн
24000+ 3.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
TN2907A FAIRS25735-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
TN2907A
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS PNP 60V 0.8A TO226-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V
Supplier Device Package: TO-226-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 10071 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1025+19.4 грн
Мінімальне замовлення: 1025
TPN2907A PN2907_A.pdf
TPN2907A
Виробник: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+5.63 грн
160+ 2.24 грн
500+ 2.02 грн
520+ 1.55 грн
1420+ 1.46 грн
Мінімальне замовлення: 70
TPN2907A PN2907_A.pdf
TPN2907A
Виробник: CDIL
Category: PNP THT transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.6A; 0.625W; TO92
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.625W
Case: TO92
Current gain: 35...300
Mounting: THT
Kind of package: bulk
Frequency: 200MHz
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8320 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+6.76 грн
100+ 2.8 грн
500+ 2.42 грн
520+ 1.86 грн
1420+ 1.75 грн
Мінімальне замовлення: 40
TPN2907A
Виробник: CDIL
PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2265 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 400
TPN2907A
Виробник: CDIL
PNP 600mA 60V 400mW 200MHz PN2907A, P2N2222, P2N2222A PN2907A-CDI 2N2907A T2N2907a p
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
400+1.51 грн
Мінімальне замовлення: 400
Транзистор біполярний 2N2907 -0.6A -40V PNP TO-92
на замовлення 66 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
66+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 66
2N2222/2N2907
Виробник: FSC
08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N22222N2907
на замовлення 98000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
2N2907A 2N2907-2N2907A.pdf 2n2907a.pdf
Виробник: MICROSEMI
TO18/PNP TRANSISTOR 2N2907
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2SB1197T146RSOT23-GASTN2907SF
Виробник: ROHM
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JAN2N2907
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 236500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JAN2N2907
Виробник: NS
CAN
на замовлення 198 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX2N2907
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 264000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX2N2907
Виробник: NS
CAN
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JANTX2N2907A 8896-lds-0059-datasheet
Виробник: MICROSEMI
TO-18PNP Transistor 2N2907A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JANTX2N2907AUB 8896-lds-0059-datasheet
Виробник: MICROSEMI
UB/PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR 2N2907
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
JTX2N2907
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 265700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JTX2N2907A
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 259890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JX2N2907
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
JX2N2907A
Виробник: MOTOROLA
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907A
на замовлення 8385 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907A-AT/P
Виробник: KEC
TO92
на замовлення 3254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907A-SRTK
Виробник: NEC
на замовлення 2591 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907AS
Виробник: KEC
SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907AS-RTK
Виробник: KEC
09+
на замовлення 281018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KN2907S
Виробник: KEC
09+
на замовлення 18018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS
Виробник: KEC
07+ SOT-23
на замовлення 8420 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS-RTK
Виробник: KEC
SOT-23 03+
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS-RTK
Виробник: KEC
SOT-23
на замовлення 6888 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS-RTK/P
Виробник: KEC
SOT-23 09+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS-RTK/P
Виробник: KEC
SOT23
на замовлення 639000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907AS-RTK/PS
Виробник: KEC
SOT-23
на замовлення 11232 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907S
Виробник: KEC
07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
KTN2907S-RTK
Виробник: KEC
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P2N2907AG p2n2907a-d.pdf
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P2N2907ARL1 P2N2907A%20Rev4.pdf
на замовлення 234000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P2N2907ARL1G p2n2907a-d.pdf
Виробник: ON
07+ QFP
на замовлення 128 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P2N2907AZL1 P2N2907A Rev4.pdf
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
P2N2907AZL1G P2N2907A%20Rev4.pdf
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
PN2907
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3  [ Наступна Сторінка >> ]