Результат пошуку "rf740" : > 120
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 381
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 9
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 20
Мінімальне замовлення: 200
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF740PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2850 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET |
на замовлення 14878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 2892 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 400V N-CH MOSFET |
на замовлення 17002 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 4801 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740S | Siliconix |
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF740STR IRF740STRL IRF740STRR IRF740S IRF740S VISHAY TIRF740s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740S2515 | Harris Corporation |
Description: 10A, 400V, 0.55OHM, N-CHANNEL, P Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740SPBF | Vishay/IR | N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 10 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK |
на замовлення 274 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740SPBF | IR | Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2-Pak Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm |
на замовлення 49 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740SPBF | VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 6.3A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.55Ω Mounting: SMD Gate charge: 63nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 891 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 3335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp |
на замовлення 1234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740SPBF | Vishay | Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 607 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 10400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 10863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740STRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 2643 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740STRRPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 400V 10 Amp |
на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
Транзистор польовий IRF740 10A 400V N-ch ТО-220 |
на замовлення 73 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF7403 8.5A 30V N-ch SO8 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7401TR | IR | 0449+ |
на замовлення 738 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7402 | IR | SO-8 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7402 | IOR |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7402 | IOR | 09+ |
на замовлення 2508 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7402 | IOR | 09+ SO-8 |
на замовлення 3854 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7402TR | IOR |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7402TRPBF | IOR | 09+ |
на замовлення 8318 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7402TRPBF | IR | SOP8 07+08+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7402TRPBF | IR | SOP8 2004+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7402TRPBF | IOR |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7403TR | IOR | 9742 |
на замовлення 3175 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7404 | IR | 09+ |
на замовлення 20408 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7404 | IOR |
на замовлення 14852 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7404 | IR | SO-8 |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7404 | IOR | 09+ |
на замовлення 8518 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7404 | IOR | 09+ SO-8 |
на замовлення 15570 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7404QTRPBF | IOR |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7404TRPBF | IRF7404TRPBF Транзисторы HEXFET |
на замовлення 10 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|||||||||||||||||
IRF7404TRPF |
на замовлення 1993 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7406TR | Infineon | P-MOSFET 5.8A 30V 2.5W 0.045Ω IRF7406, IRF7406TR , Possible substitute: IRF9335 IRF7406 smd TIRF7406 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF7406TRF | IR | 09+ MAC(8) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF740AS | IR | TO-263 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF740AS(94-2400) |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF740B |
на замовлення 4080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF740LCS |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF740LCSTRR |
на замовлення 934 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF740N | IR | 09+ |
на замовлення 5030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF740NPBF | IR | 08+ QFP |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF740PFB |
на замовлення 3080 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF740STR |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF740STRL |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF740STRRPBF | IR | 09+ MSOP-8 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
TRF740 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
Транзистор IRF740; TO-220 |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
Транзистор польовий IRF7404 -6.7A -20V P-ch SOP-8 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||||
740 | WXDH |
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; 740 DONGHAI TIRF740 DH кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRFI740G | Siliconix |
N-MOSFET 5.7A 400V 40W 0.55Ω IRFI740G TIRF740 iso кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
YFW9435AS | YFW |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7406TR; IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IRF7406 TIRF7406 c кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF740 Код товару: 18286 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 400 V Idd,A: 10 А Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm Монтаж: THT |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
IRF7401PBF Код товару: 47551 |
IR |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 20 V Idd,A: 7 А Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1600/48 Монтаж: SMD |
товар відсутній
|
IRF740PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 67.26 грн |
10+ | 58.95 грн |
19+ | 52.31 грн |
51+ | 48.99 грн |
250+ | 47.33 грн |
IRF740PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET
MOSFET 400V N-CH HEXFET
на замовлення 14878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 121.67 грн |
10+ | 100.07 грн |
100+ | 69.75 грн |
250+ | 68.42 грн |
500+ | 67.75 грн |
1000+ | 65.5 грн |
IRF740PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 2892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 132.21 грн |
50+ | 102.24 грн |
100+ | 84.13 грн |
500+ | 66.8 грн |
1000+ | 56.68 грн |
2000+ | 53.85 грн |
IRF740PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 400V N-CH MOSFET
MOSFET 400V N-CH MOSFET
на замовлення 17002 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 118.57 грн |
10+ | 89.38 грн |
100+ | 69.75 грн |
500+ | 63.64 грн |
1000+ | 57.46 грн |
2000+ | 54.67 грн |
5000+ | 53.74 грн |
IRF740PBF-BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 4801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 92.69 грн |
50+ | 71.88 грн |
100+ | 59.14 грн |
500+ | 50.11 грн |
IRF740S |
Виробник: Siliconix
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF740STR IRF740STRL IRF740STRR IRF740S IRF740S VISHAY TIRF740s
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF740STR IRF740STRL IRF740STRR IRF740S IRF740S VISHAY TIRF740s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 45.88 грн |
IRF740S2515 |
Виробник: Harris Corporation
Description: 10A, 400V, 0.55OHM, N-CHANNEL, P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: 10A, 400V, 0.55OHM, N-CHANNEL, P
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
381+ | 53.15 грн |
IRF740SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 891 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 101.34 грн |
5+ | 85.11 грн |
10+ | 74.73 грн |
12+ | 67.12 грн |
33+ | 63.66 грн |
250+ | 62.27 грн |
IRF740SPBF |
Виробник: Vishay/IR
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 10 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
N-канальний ПТ; Udss, В = 400; Id = 10 А; Ptot, Вт = 3,1; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 1400 @ 25; Qg, нКл = 63 @ 10 В; Rds = 550 мОм @ 6 A, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА; D2PAK
на замовлення 274 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
9+ | 73.57 грн |
10+ | 68.67 грн |
100+ | 63.76 грн |
IRF740SPBF |
Виробник: IR
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2-Pak Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm
Транз. Пол. БМ N-MOSFET D2-Pak Udss=400V; Id=10A; Pdmax=125W; Rds=0,55 Ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 98.86 грн |
10+ | 81.24 грн |
IRF740SPBF |
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.3A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.3A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 891 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 106.06 грн |
10+ | 89.67 грн |
12+ | 80.54 грн |
33+ | 76.39 грн |
250+ | 74.73 грн |
IRF740SPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 3335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 181.07 грн |
50+ | 140.24 грн |
100+ | 115.39 грн |
500+ | 91.63 грн |
1000+ | 77.74 грн |
2000+ | 73.86 грн |
IRF740SPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 171.27 грн |
10+ | 139.03 грн |
100+ | 100.97 грн |
250+ | 94.32 грн |
500+ | 85.03 грн |
1000+ | 76.39 грн |
2000+ | 75.06 грн |
IRF740SPBF |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH 400V 10A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 49.21 грн |
IRF740STRLPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 10400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 76.05 грн |
IRF740STRLPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 10863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 127.18 грн |
10+ | 101.92 грн |
100+ | 81.11 грн |
IRF740STRLPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
MOSFET 400V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 2643 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.39 грн |
10+ | 112.29 грн |
100+ | 77.72 грн |
500+ | 77.05 грн |
800+ | 73.07 грн |
IRF740STRRPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
MOSFET N-Chan 400V 10 Amp
на замовлення 361 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 214.67 грн |
10+ | 176.46 грн |
100+ | 121.56 грн |
250+ | 112.26 грн |
500+ | 96.98 грн |
800+ | 83.03 грн |
4800+ | 80.38 грн |
Транзистор польовий IRF740 10A 400V N-ch ТО-220 |
на замовлення 73 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 39.77 грн |
Транзистор польовий IRF7403 8.5A 30V N-ch SO8 |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 32.08 грн |
IRF7406TR |
Виробник: Infineon
P-MOSFET 5.8A 30V 2.5W 0.045Ω IRF7406, IRF7406TR , Possible substitute: IRF9335 IRF7406 smd TIRF7406
P-MOSFET 5.8A 30V 2.5W 0.045Ω IRF7406, IRF7406TR , Possible substitute: IRF9335 IRF7406 smd TIRF7406
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Транзистор польовий IRF7404 -6.7A -20V P-ch SOP-8 |
на замовлення 12 шт:
термін постачання 3 дні (днів)740 |
Виробник: WXDH
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; 740 DONGHAI TIRF740 DH
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 400V; 30V; 550mOhm; 10A; 100W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF740; IRF740-BE3; 740 DONGHAI TIRF740 DH
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 27.12 грн |
IRFI740G |
на замовлення 29 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 40.6 грн |
YFW9435AS |
Виробник: YFW
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7406TR; IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IRF7406 TIRF7406 c
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 70mOhm; 5,8A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7406TR; IRF7406; IRF7406TR; IRF9335; IRF7406-GURT; IRF7406 TIRF7406 c
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
200+ | 3.69 грн |
IRF740 Код товару: 18286 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 400 V
Idd,A: 10 А
Rds(on), Ohm: 0,55 Ohm
Монтаж: THT
товар відсутній
IRF7401PBF Код товару: 47551 |
Виробник: IR
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/48
Монтаж: SMD
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 20 V
Idd,A: 7 А
Rds(on), Ohm: 0,022 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/48
Монтаж: SMD
товар відсутній