Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (4511) > Сторінка 73 з 76

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 68 69 70 71 72 73 74 75 76  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
YJ2N65CI YJ2N65CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ2N65CP YJ2N65CP YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ2N65CP YJ2N65CP YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ2N65CZ YJ2N65CZ YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товар відсутній
YJ2N65CZ YJ2N65CZ YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.33mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ4N60CI YJ4N60CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ4N60CP YJ4N60CP YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ4N60CP YJ4N60CP YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
YJ4N65CP YJ4N65CP YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ4N65CP YJ4N65CP YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ4N65CZ YJ4N65CZ YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товар відсутній
YJ4N65CZ YJ4N65CZ YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.33mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ4N70CI YJ4N70CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ4N70CI YJ4N70CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ7N60CI YJ7N60CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ7N60CI YJ7N60CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ7N65CI YJ7N65CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ7N65CI YJ7N65CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ7N80CI YJ7N80CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ7N80CI YJ7N80CI YANGJIE TECHNOLOGY Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJA3134KA YJA3134KA Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.75 грн
50000+ 1.61 грн
100000+ 1.47 грн
200000+ 1.32 грн
400000+ 1.18 грн
1000000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
YJB150N06BQ YJB150N06BQ YANGJIE TECHNOLOGY YJB150N06BQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 105A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 94W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJB150N06BQ YJB150N06BQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+48.35 грн
4000+ 43.97 грн
8000+ 41.37 грн
16000+ 36.39 грн
32000+ 32.77 грн
80000+ 30.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
YJB150N06BQ YJB150N06BQ YANGJIE TECHNOLOGY YJB150N06BQ.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 105A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 94W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD112010DG1 YJD112010DG1 Yangjie Technology Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+386.67 грн
12500+ 351.66 грн
25000+ 330.98 грн
50000+ 291.2 грн
100000+ 262.04 грн
250000+ 242.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD120N04A YJD120N04A Yangjie Technology Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.76 грн
12500+ 22.51 грн
25000+ 21.18 грн
50000+ 18.62 грн
100000+ 16.78 грн
250000+ 15.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD15N10A YJD15N10A Yangjie Technology Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.84 грн
12500+ 12.55 грн
25000+ 11.78 грн
50000+ 10.4 грн
100000+ 9.34 грн
250000+ 8.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD15N10A YJD15N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJD15N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.63 грн
95+ 8.63 грн
260+ 8.13 грн
2500+ 7.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
YJD15N10A YJD15N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJD15N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.96 грн
95+ 10.75 грн
260+ 9.76 грн
2500+ 9.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJD180N03A YJD180N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.76 грн
12500+ 22.51 грн
25000+ 21.18 грн
50000+ 18.62 грн
100000+ 16.78 грн
250000+ 15.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD20N06A YJD20N06A Yangjie Technology YJD20N06A.pdf Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.62 грн
12500+ 12.41 грн
25000+ 11.64 грн
50000+ 10.27 грн
100000+ 9.21 грн
250000+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD20N06A YJD20N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJD20N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD20N06A YJD20N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJD20N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJD25N15B YJD25N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD25N15B YJD25N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD40N04A YJD40N04A Yangjie Technology Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+10.18 грн
12500+ 9.27 грн
25000+ 8.72 грн
50000+ 7.68 грн
100000+ 6.92 грн
250000+ 6.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD50N03A YJD50N03A Yangjie Technology Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.4 грн
12500+ 12.2 грн
25000+ 11.5 грн
50000+ 10.07 грн
100000+ 9.08 грн
250000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD50N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJD50N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD50N06A YJD50N06A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.91 грн
12500+ 16.27 грн
25000+ 15.36 грн
50000+ 13.49 грн
100000+ 12.17 грн
250000+ 11.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD50N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJD50N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD60N02A YJD60N02A Yangjie Technology Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.16 грн
12500+ 11.08 грн
25000+ 10.45 грн
50000+ 9.15 грн
100000+ 8.23 грн
250000+ 7.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD60N04A YJD60N04A YANGJIE TECHNOLOGY YJD60N04A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
30+13.24 грн
100+ 11.06 грн
105+ 8.05 грн
280+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
YJD60N04A YJD60N04A Yangjie Technology Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.54 грн
12500+ 12.34 грн
25000+ 11.64 грн
50000+ 10.2 грн
100000+ 9.21 грн
250000+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD60N04A YJD60N04A YANGJIE TECHNOLOGY YJD60N04A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+15.89 грн
100+ 13.78 грн
105+ 9.66 грн
280+ 9.14 грн
2500+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJD80G06A YJD80G06A YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD80G06A YJD80G06A YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD80N03A YJD80N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+17.04 грн
12500+ 15.5 грн
25000+ 14.59 грн
50000+ 12.83 грн
100000+ 11.58 грн
250000+ 10.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD80N03B YJD80N03B Yangjie Technology Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+12.16 грн
12500+ 11.08 грн
25000+ 10.45 грн
50000+ 9.15 грн
100000+ 8.23 грн
250000+ 7.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD90N06A YJD90N06A Yangjie Technology Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+23.74 грн
12500+ 21.6 грн
25000+ 20.34 грн
50000+ 17.9 грн
100000+ 16.12 грн
250000+ 14.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJG100N04A YJG100N04A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+20.68 грн
25000+ 18.86 грн
50000+ 17.74 грн
100000+ 15.6 грн
200000+ 14.02 грн
500000+ 12.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG105N03A YJG105N03A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+17.14 грн
25000+ 15.59 грн
50000+ 14.67 грн
100000+ 12.9 грн
200000+ 11.6 грн
500000+ 10.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG150N03A YJG150N03A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+21.41 грн
25000+ 19.49 грн
50000+ 18.37 грн
100000+ 16.12 грн
200000+ 14.54 грн
500000+ 13.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG15GP10A YJG15GP10A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+19.88 грн
25000+ 18.09 грн
50000+ 17.04 грн
100000+ 15 грн
200000+ 13.49 грн
500000+ 12.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG15N15B YJG15N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJG15N15B YJG15N15B YANGJIE TECHNOLOGY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJG20N06A YJG20N06A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.34 грн
25000+ 9.4 грн
50000+ 8.84 грн
100000+ 7.83 грн
200000+ 7.04 грн
500000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG30N06A YJG30N06A Yangjie Technology YJG30N06A.pdf Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+13.4 грн
25000+ 12.2 грн
50000+ 11.5 грн
100000+ 10.07 грн
200000+ 9.08 грн
500000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40G10A YJG40G10A Yangjie Technology Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.5 грн
25000+ 16.83 грн
50000+ 15.85 грн
100000+ 13.95 грн
200000+ 12.5 грн
500000+ 11.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40G10AQ YJG40G10AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.56 грн
25000+ 33.24 грн
50000+ 31.27 грн
100000+ 27.51 грн
200000+ 24.74 грн
500000+ 22.9 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40N03A YJG40N03A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.78 грн
25000+ 9.82 грн
50000+ 9.19 грн
100000+ 8.09 грн
200000+ 7.3 грн
500000+ 6.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJ2N65CI
YJ2N65CI
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 23W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 23W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ2N65CP
YJ2N65CP
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ2N65CP
YJ2N65CP
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ2N65CZ
YJ2N65CZ
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товар відсутній
YJ2N65CZ
YJ2N65CZ
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 2A; Idm: 8A; 54W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 2A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.7Ω
Mounting: THT
Gate charge: 14nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.33mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ4N60CI
YJ4N60CI
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ4N60CP
YJ4N60CP
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ4N60CP
YJ4N60CP
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5000 шт
товар відсутній
YJ4N65CP
YJ4N65CP
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ4N65CP
YJ4N65CP
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 51W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 51W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 20nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ4N65CZ
YJ4N65CZ
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.33mm
товар відсутній
YJ4N65CZ
YJ4N65CZ
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4A; Idm: 16A; 100W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 100W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.6Ω
Mounting: THT
Gate charge: 20nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Heatsink thickness: max. 1.33mm
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ4N70CI
YJ4N70CI
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ4N70CI
YJ4N70CI
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4A; Idm: 16A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ7N60CI
YJ7N60CI
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ7N60CI
YJ7N60CI
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ7N65CI
YJ7N65CI
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ7N65CI
YJ7N65CI
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 7A; Idm: 25A; 48W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 48W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJ7N80CI
YJ7N80CI
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJ7N80CI
YJ7N80CI
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7A; Idm: 28A; 49W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 49W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJA3134KA
YJA3134KA
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 1000000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+1.75 грн
50000+ 1.61 грн
100000+ 1.47 грн
200000+ 1.32 грн
400000+ 1.18 грн
1000000+ 1.12 грн
Мінімальне замовлення: 10000
YJB150N06BQ YJB150N06BQ.pdf
YJB150N06BQ
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 105A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 94W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJB150N06BQ
YJB150N06BQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
800+48.35 грн
4000+ 43.97 грн
8000+ 41.37 грн
16000+ 36.39 грн
32000+ 32.77 грн
80000+ 30.34 грн
Мінімальне замовлення: 800
YJB150N06BQ YJB150N06BQ.pdf
YJB150N06BQ
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 105A; 94W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 94W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 69nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD112010DG1
YJD112010DG1
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 1200V 16A Diodes Rectif
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+386.67 грн
12500+ 351.66 грн
25000+ 330.98 грн
50000+ 291.2 грн
100000+ 262.04 грн
250000+ 242.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD120N04A
YJD120N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 120A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.76 грн
12500+ 22.51 грн
25000+ 21.18 грн
50000+ 18.62 грн
100000+ 16.78 грн
250000+ 15.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD15N10A
YJD15N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 100V 15A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.84 грн
12500+ 12.55 грн
25000+ 11.78 грн
50000+ 10.4 грн
100000+ 9.34 грн
250000+ 8.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD15N10A YJD15N10A.pdf
YJD15N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+11.63 грн
95+ 8.63 грн
260+ 8.13 грн
2500+ 7.78 грн
Мінімальне замовлення: 35
YJD15N10A YJD15N10A.pdf
YJD15N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 10.5A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 10.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 12550 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+13.96 грн
95+ 10.75 грн
260+ 9.76 грн
2500+ 9.34 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJD180N03A
YJD180N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+24.76 грн
12500+ 22.51 грн
25000+ 21.18 грн
50000+ 18.62 грн
100000+ 16.78 грн
250000+ 15.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD20N06A YJD20N06A.pdf
YJD20N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 20A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.62 грн
12500+ 12.41 грн
25000+ 11.64 грн
50000+ 10.27 грн
100000+ 9.21 грн
250000+ 8.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD20N06A YJD20N06A.pdf
YJD20N06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD20N06A YJD20N06A.pdf
YJD20N06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 14A; Idm: 60A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 22.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
YJD25N15B
YJD25N15B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD25N15B
YJD25N15B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 90A; 52W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 52W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD40N04A
YJD40N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 40A Transistors FE
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+10.18 грн
12500+ 9.27 грн
25000+ 8.72 грн
50000+ 7.68 грн
100000+ 6.92 грн
250000+ 6.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD50N03A
YJD50N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 50A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.4 грн
12500+ 12.2 грн
25000+ 11.5 грн
50000+ 10.07 грн
100000+ 9.08 грн
250000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD50N06A YJD50N06A.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD50N06A
YJD50N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.91 грн
12500+ 16.27 грн
25000+ 15.36 грн
50000+ 13.49 грн
100000+ 12.17 грн
250000+ 11.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD50N06A YJD50N06A.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 42A; 21.6W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 21.6W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 51nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJD60N02A
YJD60N02A
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 20V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.16 грн
12500+ 11.08 грн
25000+ 10.45 грн
50000+ 9.15 грн
100000+ 8.23 грн
250000+ 7.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD60N04A YJD60N04A.pdf
YJD60N04A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+13.24 грн
100+ 11.06 грн
105+ 8.05 грн
280+ 7.61 грн
Мінімальне замовлення: 30
YJD60N04A
YJD60N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 40V 60A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+13.54 грн
12500+ 12.34 грн
25000+ 11.64 грн
50000+ 10.2 грн
100000+ 9.21 грн
250000+ 8.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD60N04A YJD60N04A.pdf
YJD60N04A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 40V; 42A; 35W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 42A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 35W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 6655 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+15.89 грн
100+ 13.78 грн
105+ 9.66 грн
280+ 9.14 грн
2500+ 9.13 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJD80G06A
YJD80G06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD80G06A
YJD80G06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 56A; 42.5W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 56A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 42.5W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 31nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJD80N03A
YJD80N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+17.04 грн
12500+ 15.5 грн
25000+ 14.59 грн
50000+ 12.83 грн
100000+ 11.58 грн
250000+ 10.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD80N03B
YJD80N03B
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 30V 80A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+12.16 грн
12500+ 11.08 грн
25000+ 10.45 грн
50000+ 9.15 грн
100000+ 8.23 грн
250000+ 7.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJD90N06A
YJD90N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: TO-252 N 60V 90A Transistors FE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+23.74 грн
12500+ 21.6 грн
25000+ 20.34 грн
50000+ 17.9 грн
100000+ 16.12 грн
250000+ 14.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500
YJG100N04A
YJG100N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 40V 100A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+20.68 грн
25000+ 18.86 грн
50000+ 17.74 грн
100000+ 15.6 грн
200000+ 14.02 грн
500000+ 12.96 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG105N03A
YJG105N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+17.14 грн
25000+ 15.59 грн
50000+ 14.67 грн
100000+ 12.9 грн
200000+ 11.6 грн
500000+ 10.74 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG150N03A
YJG150N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 150A Transistor
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+21.41 грн
25000+ 19.49 грн
50000+ 18.37 грн
100000+ 16.12 грн
200000+ 14.54 грн
500000+ 13.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG15GP10A
YJG15GP10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) P -100V -15A Transist
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+19.88 грн
25000+ 18.09 грн
50000+ 17.04 грн
100000+ 15 грн
200000+ 13.49 грн
500000+ 12.5 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG15N15B
YJG15N15B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJG15N15B
YJG15N15B
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 150V; 15A; 29W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 29W
Case: DFN5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
YJG20N06A
YJG20N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 20A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+10.34 грн
25000+ 9.4 грн
50000+ 8.84 грн
100000+ 7.83 грн
200000+ 7.04 грн
500000+ 6.51 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG30N06A YJG30N06A.pdf
YJG30N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 60V 30A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+13.4 грн
25000+ 12.2 грн
50000+ 11.5 грн
100000+ 10.07 грн
200000+ 9.08 грн
500000+ 8.42 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40G10A
YJG40G10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.5 грн
25000+ 16.83 грн
50000+ 15.85 грн
100000+ 13.95 грн
200000+ 12.5 грн
500000+ 11.58 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40G10AQ
YJG40G10AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+36.56 грн
25000+ 33.24 грн
50000+ 31.27 грн
100000+ 27.51 грн
200000+ 24.74 грн
500000+ 22.9 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40N03A
YJG40N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+10.78 грн
25000+ 9.82 грн
50000+ 9.19 грн
100000+ 8.09 грн
200000+ 7.3 грн
500000+ 6.78 грн
Мінімальне замовлення: 5000
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 68 69 70 71 72 73 74 75 76  [ Наступна Сторінка >> ]