Продукція > YANGJIE TECHNOLOGY > Всі товари виробника YANGJIE TECHNOLOGY (4514) > Сторінка 74 з 76

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 69 70 71 72 73 74 75 76  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
YJG40G10A YJG40G10A Yangjie Technology Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+18.25 грн
25000+ 16.61 грн
50000+ 15.64 грн
100000+ 13.77 грн
200000+ 12.34 грн
500000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40G10AQ YJG40G10AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+36.07 грн
25000+ 32.8 грн
50000+ 30.86 грн
100000+ 27.14 грн
200000+ 24.42 грн
500000+ 22.6 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40N03A YJG40N03A Yangjie Technology Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+10.63 грн
25000+ 9.69 грн
50000+ 9.06 грн
100000+ 7.99 грн
200000+ 7.21 грн
500000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40P03A YJG40P03A Yangjie Technology Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.68 грн
25000+ 11.57 грн
50000+ 10.88 грн
100000+ 9.56 грн
200000+ 8.61 грн
500000+ 7.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG50N03B YJG50N03B Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12 грн
25000+ 10.93 грн
50000+ 10.31 грн
100000+ 9.03 грн
200000+ 8.12 грн
500000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG53G06A YANGJIE TECHNOLOGY YJG53G06A-YAN SMD N channel transistors
товар відсутній
YJG70G06A YANGJIE TECHNOLOGY YJG70G06A-YAN SMD N channel transistors
товар відсутній
YJG80G06A YJG80G06A YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.95 грн
12+ 30.24 грн
25+ 27.19 грн
40+ 20.34 грн
108+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
YJG80G06A YJG80G06A YANGJIE TECHNOLOGY YJG80G06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+79.14 грн
7+ 37.68 грн
25+ 32.63 грн
40+ 24.41 грн
108+ 23.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
YJGD20G10A YJGD20G10A Yangjie Technology Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+34.37 грн
25000+ 31.3 грн
50000+ 29.43 грн
100000+ 25.87 грн
200000+ 23.3 грн
500000+ 21.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJH03N06A YJH03N06A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.76 грн
5000+ 3.43 грн
10000+ 3.24 грн
20000+ 2.85 грн
40000+ 2.55 грн
100000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
YJH03N06B YJH03N06B Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.76 грн
5000+ 3.43 грн
10000+ 3.24 грн
20000+ 2.85 грн
40000+ 2.55 грн
100000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
YJH03N10A YJH03N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJH03N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
YJH03N10A YJH03N10A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.4 грн
5000+ 5.81 грн
10000+ 5.47 грн
20000+ 4.81 грн
40000+ 4.35 грн
100000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
YJH03N10A YJH03N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJH03N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+26.83 грн
100+ 8.02 грн
165+ 5.94 грн
450+ 5.61 грн
10000+ 5.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
YJH10N02A YJH10N02A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+6.4 грн
5000+ 5.81 грн
10000+ 5.47 грн
20000+ 4.81 грн
40000+ 4.35 грн
100000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
YJJ09N03A YJJ09N03A Yangjie Technology YJJ09N03A.pdf Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.25 грн
15000+ 5.67 грн
30000+ 5.33 грн
60000+ 4.68 грн
120000+ 4.22 грн
300000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL02N10A YJL02N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL02N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL02N10A YJL02N10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL02N10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL03G10A YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03G10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
65+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 65
YJL03G10A YJL03G10A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03G10A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
54+5.03 грн
100+ 4.36 грн
250+ 3.71 грн
290+ 3.32 грн
796+ 3.15 грн
3000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 54
YJL03N04A YJL03N04A Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
15000+ 1.94 грн
30000+ 1.8 грн
60000+ 1.62 грн
120000+ 1.43 грн
300000+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL03N06A YJL03N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.26 грн
140+ 2.56 грн
410+ 1.97 грн
1120+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 60
YJL03N06A YJL03N06A YANGJIE TECHNOLOGY YJL03N06A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.51 грн
100+ 3.19 грн
410+ 2.36 грн
1120+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 40
YJL03N06AQ YJL03N06AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.6 грн
15000+ 4.15 грн
30000+ 3.94 грн
60000+ 3.44 грн
120000+ 3.12 грн
300000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL03N06B YJL03N06B Yangjie Technology YJL03N06B.pdf Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.42 грн
15000+ 2.2 грн
30000+ 2.07 грн
60000+ 1.82 грн
120000+ 1.64 грн
300000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL05N04AQ YJL05N04AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.47 грн
15000+ 3.2 грн
30000+ 3 грн
60000+ 2.63 грн
120000+ 2.38 грн
300000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL05N06AL YJL05N06AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.41 грн
15000+ 4.94 грн
30000+ 4.6 грн
60000+ 4.07 грн
120000+ 3.7 грн
300000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2300A YJL2300A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2300A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.32 грн
180+ 1.99 грн
500+ 1.76 грн
550+ 1.44 грн
1520+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 120
YJL2300A YJL2300A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2300A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
70+3.99 грн
110+ 2.47 грн
500+ 2.12 грн
550+ 1.73 грн
1520+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 70
YJL2301C YJL2301C YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301C YJL2301C YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301C.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2301CQ YJL2301CQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.17 грн
15000+ 3.81 грн
30000+ 3.6 грн
60000+ 3.18 грн
120000+ 2.86 грн
300000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301D YJL2301D YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
YJL2301D YJL2301D Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.37 грн
15000+ 2.21 грн
30000+ 2.08 грн
60000+ 1.82 грн
120000+ 1.62 грн
300000+ 1.49 грн
600000+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301D YJL2301D YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301D.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.41 грн
100+ 2.95 грн
460+ 2.18 грн
1220+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJL2301F YJL2301F YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301F YJL2301F YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301F.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
YJL2301G YJL2301G YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301G YJL2301G Yangjie Technology Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.72 грн
15000+ 1.59 грн
30000+ 1.45 грн
60000+ 1.3 грн
120000+ 1.17 грн
300000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301G YJL2301G YANGJIE TECHNOLOGY YJL2301G.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2301N YJL2301N Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.58 грн
15000+ 1.45 грн
30000+ 1.31 грн
60000+ 1.17 грн
120000+ 1.04 грн
300000+ 0.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2302A YJL2302A Yangjie Technology YJL2302A.pdf Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.94 грн
15000+ 1.73 грн
30000+ 1.66 грн
60000+ 1.43 грн
120000+ 1.3 грн
300000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2302A YJL2302A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2302A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2302A YJL2302A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2302A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2304A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2304A YJL2304A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2304A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2305A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2305A YJL2305A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2305A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2305B YANGJIE TECHNOLOGY YJL2305B.pdf YJL2305B-YAN SMD P channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
39+7.15 грн
420+ 2.34 грн
1140+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 39
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2312A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 27A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
YJL2312A YJL2312A Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.51 грн
15000+ 2.28 грн
30000+ 2.14 грн
60000+ 1.88 грн
120000+ 1.69 грн
300000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2312A YJL2312A YANGJIE TECHNOLOGY YJL2312A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 27A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2312AL YJL2312AL Yangjie Technology Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.23 грн
15000+ 2.91 грн
30000+ 2.77 грн
60000+ 2.4 грн
120000+ 2.14 грн
300000+ 2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2312AQ YJL2312AQ Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.6 грн
15000+ 4.15 грн
30000+ 3.94 грн
60000+ 3.44 грн
120000+ 3.12 грн
300000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3400A YJL3400A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3400A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
120+3.28 грн
140+ 2.75 грн
400+ 2.1 грн
1060+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 120
YJL3400A YJL3400A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3400A.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
80+3.93 грн
100+ 3.42 грн
400+ 2.52 грн
1060+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 80
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL3401A YJL3401A YANGJIE TECHNOLOGY YJL3401A.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
YJL3401AL YJL3401AL Yangjie Technology Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.59 грн
15000+ 3.25 грн
30000+ 3.11 грн
60000+ 2.73 грн
120000+ 2.47 грн
300000+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJG40G10A
YJG40G10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN 5x6 N 100V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+18.25 грн
25000+ 16.61 грн
50000+ 15.64 грн
100000+ 13.77 грн
200000+ 12.34 грн
500000+ 11.43 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40G10AQ
YJG40G10AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+36.07 грн
25000+ 32.8 грн
50000+ 30.86 грн
100000+ 27.14 грн
200000+ 24.42 грн
500000+ 22.6 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40N03A
YJG40N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN(5x6) N 30V 40A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+10.63 грн
25000+ 9.69 грн
50000+ 9.06 грн
100000+ 7.99 грн
200000+ 7.21 грн
500000+ 6.69 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG40P03A
YJG40P03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: PDFN5060-8L P -30V -40A Transis
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+12.68 грн
25000+ 11.57 грн
50000+ 10.88 грн
100000+ 9.56 грн
200000+ 8.61 грн
500000+ 7.95 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG50N03B
YJG50N03B
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+12 грн
25000+ 10.93 грн
50000+ 10.31 грн
100000+ 9.03 грн
200000+ 8.12 грн
500000+ 7.53 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJG53G06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJG53G06A-YAN SMD N channel transistors
товар відсутній
YJG70G06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJG70G06A-YAN SMD N channel transistors
товар відсутній
YJG80G06A YJG80G06A.pdf
YJG80G06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+65.95 грн
12+ 30.24 грн
25+ 27.19 грн
40+ 20.34 грн
108+ 19.24 грн
Мінімальне замовлення: 6
YJG80G06A YJG80G06A.pdf
YJG80G06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SPLIT GATE TRENCH; unipolar; 60V; 50A; 38W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SPLIT GATE TRENCH
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 38W
Case: DFN5060-8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 67nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6168 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+79.14 грн
7+ 37.68 грн
25+ 32.63 грн
40+ 24.41 грн
108+ 23.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
YJGD20G10A
YJGD20G10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: DFN5060 N 100V 20A Transistors
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5000+34.37 грн
25000+ 31.3 грн
50000+ 29.43 грн
100000+ 25.87 грн
200000+ 23.3 грн
500000+ 21.61 грн
Мінімальне замовлення: 5000
YJH03N06A
YJH03N06A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+3.76 грн
5000+ 3.43 грн
10000+ 3.24 грн
20000+ 2.85 грн
40000+ 2.55 грн
100000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
YJH03N06B
YJH03N06B
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+3.76 грн
5000+ 3.43 грн
10000+ 3.24 грн
20000+ 2.85 грн
40000+ 2.55 грн
100000+ 2.37 грн
Мінімальне замовлення: 1000
YJH03N10A YJH03N10A.pdf
YJH03N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
YJH03N10A
YJH03N10A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+6.4 грн
5000+ 5.81 грн
10000+ 5.47 грн
20000+ 4.81 грн
40000+ 4.35 грн
100000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
YJH03N10A YJH03N10A.pdf
YJH03N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 2.4A; 4W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 4W
Case: SOT89
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+26.83 грн
100+ 8.02 грн
165+ 5.94 грн
450+ 5.61 грн
10000+ 5.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
YJH10N02A
YJH10N02A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+6.4 грн
5000+ 5.81 грн
10000+ 5.47 грн
20000+ 4.81 грн
40000+ 4.35 грн
100000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
YJJ09N03A YJJ09N03A.pdf
YJJ09N03A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23-6L N 30V 9A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+6.25 грн
15000+ 5.67 грн
30000+ 5.33 грн
60000+ 4.68 грн
120000+ 4.22 грн
300000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL02N10A YJL02N10A.pdf
YJL02N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL02N10A YJL02N10A.pdf
YJL02N10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 100V; 1.6A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.31Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL03G10A YJL03G10A.pdf
YJL03G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
65+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 65
YJL03G10A YJL03G10A.pdf
YJL03G10A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 3A; Idm: 121A; 1.2W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 121A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
54+5.03 грн
100+ 4.36 грн
250+ 3.71 грн
290+ 3.32 грн
796+ 3.15 грн
3000+ 3.11 грн
Мінімальне замовлення: 54
YJL03N04A
YJL03N04A
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.16 грн
15000+ 1.94 грн
30000+ 1.8 грн
60000+ 1.62 грн
120000+ 1.43 грн
300000+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL03N06A YJL03N06A.pdf
YJL03N06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+6.26 грн
140+ 2.56 грн
410+ 1.97 грн
1120+ 1.86 грн
Мінімальне замовлення: 60
YJL03N06A YJL03N06A.pdf
YJL03N06A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER MV; unipolar; 60V; 2.4A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER MV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2.4A
Pulsed drain current: 12A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 5.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.51 грн
100+ 3.19 грн
410+ 2.36 грн
1120+ 2.23 грн
Мінімальне замовлення: 40
YJL03N06AQ
YJL03N06AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.6 грн
15000+ 4.15 грн
30000+ 3.94 грн
60000+ 3.44 грн
120000+ 3.12 грн
300000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL03N06B YJL03N06B.pdf
YJL03N06B
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 3A Transistors FET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.42 грн
15000+ 2.2 грн
30000+ 2.07 грн
60000+ 1.82 грн
120000+ 1.64 грн
300000+ 1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL05N04AQ
YJL05N04AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.47 грн
15000+ 3.2 грн
30000+ 3 грн
60000+ 2.63 грн
120000+ 2.38 грн
300000+ 2.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL05N06AL
YJL05N06AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 60V 5A Transistors FET
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.41 грн
15000+ 4.94 грн
30000+ 4.6 грн
60000+ 4.07 грн
120000+ 3.7 грн
300000+ 3.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2300A YJL2300A.pdf
YJL2300A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+3.32 грн
180+ 1.99 грн
500+ 1.76 грн
550+ 1.44 грн
1520+ 1.36 грн
Мінімальне замовлення: 120
YJL2300A YJL2300A.pdf
YJL2300A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.6A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.6A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 49mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
70+3.99 грн
110+ 2.47 грн
500+ 2.12 грн
550+ 1.73 грн
1520+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 70
YJL2301C YJL2301C.pdf
YJL2301C
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301C YJL2301C.pdf
YJL2301C
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -2.7A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -2.7A
Pulsed drain current: -14A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2301CQ
YJL2301CQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.17 грн
15000+ 3.81 грн
30000+ 3.6 грн
60000+ 3.18 грн
120000+ 2.86 грн
300000+ 2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301D YJL2301D.pdf
YJL2301D
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
YJL2301D
YJL2301D
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -3.8A Transistors
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 900000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.37 грн
15000+ 2.21 грн
30000+ 2.08 грн
60000+ 1.82 грн
120000+ 1.62 грн
300000+ 1.49 грн
600000+ 1.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301D YJL2301D.pdf
YJL2301D
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -3A; 1W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -3A
Pulsed drain current: -15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 87mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 19 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+13.41 грн
100+ 2.95 грн
460+ 2.18 грн
1220+ 2.06 грн
Мінімальне замовлення: 20
YJL2301F YJL2301F.pdf
YJL2301F
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301F YJL2301F.pdf
YJL2301F
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -20V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
YJL2301G YJL2301G.pdf
YJL2301G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2301G
YJL2301G
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 P -19V -2A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.72 грн
15000+ 1.59 грн
30000+ 1.45 грн
60000+ 1.3 грн
120000+ 1.17 грн
300000+ 1.1 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2301G YJL2301G.pdf
YJL2301G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -1.6A; 0.7W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -1.6A
Pulsed drain current: -8A
Power dissipation: 0.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 3.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2301N
YJL2301N
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.58 грн
15000+ 1.45 грн
30000+ 1.31 грн
60000+ 1.17 грн
120000+ 1.04 грн
300000+ 0.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 4.3A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+1.94 грн
15000+ 1.73 грн
30000+ 1.66 грн
60000+ 1.43 грн
120000+ 1.3 грн
300000+ 1.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2302A YJL2302A.pdf
YJL2302A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 3.5A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 37mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2304A YJL2304A.pdf
YJL2304A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2304A YJL2304A.pdf
YJL2304A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 2.9A; 1W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 15A
Power dissipation: 1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 52mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2305A YJL2305A.pdf
YJL2305A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL2305A YJL2305A.pdf
YJL2305A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -15V; -4.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -15V
Drain current: -4.5A
Pulsed drain current: -23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 62mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2305B YJL2305B.pdf
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
YJL2305B-YAN SMD P channel transistors
на замовлення 39 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+7.15 грн
420+ 2.34 грн
1140+ 2.21 грн
Мінімальне замовлення: 39
YJL2312A YJL2312A.pdf
YJL2312A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 27A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
товар відсутній
YJL2312A
YJL2312A
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 6.8A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.51 грн
15000+ 2.28 грн
30000+ 2.14 грн
60000+ 1.88 грн
120000+ 1.69 грн
300000+ 1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2312A YJL2312A.pdf
YJL2312A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 20V; 5.4A; 1.2W
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Power dissipation: 1.2W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 4.6nC
Technology: TRENCH POWER LV
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±10V
Pulsed drain current: 27A
Case: SOT23
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 5.4A
On-state resistance: 39mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
YJL2312AL
YJL2312AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: SOT-23 N 20V 7.6A Transistors F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.23 грн
15000+ 2.91 грн
30000+ 2.77 грн
60000+ 2.4 грн
120000+ 2.14 грн
300000+ 2.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL2312AQ
YJL2312AQ
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 6.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.05 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 888 pF @ 10 V
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.6 грн
15000+ 4.15 грн
30000+ 3.94 грн
60000+ 3.44 грн
120000+ 3.12 грн
300000+ 2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000
YJL3400A YJL3400A.pdf
YJL3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+3.28 грн
140+ 2.75 грн
400+ 2.1 грн
1060+ 1.99 грн
Мінімальне замовлення: 120
YJL3400A YJL3400A.pdf
YJL3400A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; 30V; 4.5A; 1.2W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 4.5A
Pulsed drain current: 23A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 51mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 4.8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
80+3.93 грн
100+ 3.42 грн
400+ 2.52 грн
1060+ 2.38 грн
Мінімальне замовлення: 80
YJL3401A YJL3401A.pdf
YJL3401A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній
YJL3401A YJL3401A.pdf
YJL3401A
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TRENCH POWER LV; unipolar; -30V; -3.5A; 1.2W
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TRENCH POWER LV
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3.5A
Pulsed drain current: -27A
Power dissipation: 1.2W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 96mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 7.2nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 20 шт
товар відсутній
YJL3401AL
YJL3401AL
Виробник: Yangjie Technology
Description: Transistors - FETs, MOSFETs - Si
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.59 грн
15000+ 3.25 грн
30000+ 3.11 грн
60000+ 2.73 грн
120000+ 2.47 грн
300000+ 2.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 7 14 21 28 35 42 49 56 63 69 70 71 72 73 74 75 76  [ Наступна Сторінка >> ]